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利用脉冲激光法研究了在(100)SrTiO3(STO)、(100)LaAlO3(LAO)和(100)Y-ZrO2(YSZ)衬底上外延生长LaCuO4(LCO),La1.85Sr0.15CuO4(LSCO),Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)和Pr2CuO4(PCO)薄膜的工艺技术。利用X光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。X射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底 相似文献
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异质外延生长钙钛矿结构氧化物薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多,最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核.直接外延生长时,衬底温度影响到薄膜的成相.衬底温度还影响薄膜的生长动力学,并因此影响薄膜的外延生长取向.由于薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长的,因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.衬底材料(或异质外延材料)与薄膜的相互作用是影响外延生长的最直接因素,而晶格常数失配会造成薄膜样品中存在应力并影响样品性质.利用脉冲激光淀积法,我们成功地外延生长了YBa2Cu3O7超导薄膜、Sr0.5Ba0.5TiO3铁电介电薄膜、La0.7Ca0.3MnO3铁磁巨磁电阻薄膜、La0.5Sr0.5CoO3导电薄膜等多种具有钙钛矿结构的氧化物功能薄膜.以这些钙钛矿结构氧化物薄膜的外延生长为例,本文讨论影响氧化物薄膜异质外延生长的因素 相似文献
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采用磁控溅射方法在(100)YSZ基底上沉积了YBa2Cu3O7/SrTiO3/YBa2Cu3O7异质外延三层膜,利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能,利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征.研究结果表明,膜层的结晶质量较好,临界转变温度Tc在83.K和86.7K之间.YBCO膜层中的绝大多数甚至全部)晶粒为C取向,在有些膜中只存在少量的a或b取向的YBCO晶粒.三层膜中层界面比较清晰但不十分平整.在膜/基界面处有8-10nm厚的过渡层,它由多晶的BaZrO3组成.膜层和(10)YSZ基底之间具有如下的外延生长关系YSZ[001]//YBCO[110]//SrTjO3[110];YSZ(100)//YBCO(001)//SrTiO3(001). 相似文献
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用第一原理的LDF-LMTO-ASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=1.6eV及Eg=1.5eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=0.5.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变
关键词: 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入LEC半绝缘GaAs的γ射线辐照缺陷。在Be-Si共注的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐照引入一电子陷阶E2,并且大大增强了原有的E01(0.298)和E02(0.341)等缺陷,同时明显地瓦解了原有的少子陷阱H03。在单纯注Si的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐阳引进了E'01(0.216),E'02(0.341),E'2,E'4和E'5(0.608)等缺陷。其中E01和E'01是新发现的和γ辐照有关的GaAs缺陷。和低阻衬底同质外延GaAs相比,Be-Si共注LEC半绝缘GaAs具有较低的γ射线辐照缺陷引入率,与此相反,单纯注Si的LEC半绝缘GaAs具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
关键词: 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献
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分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2 μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2关键词:
择优取向
Cu(In
2薄膜')" href="#">Ga)Se2薄膜
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L12/3Ca1/3MnOz薄膜中的巨磁阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射法在ZrO2衬底上首次成功地制备了La2/3Ca1/3MnOz薄膜,X-射线衍射结果表明该膜具有良好的择优取向,并首次观察到十分明显的巨磁阻效应,在6个特斯拉磁场下,室温时的磁阻比为6%,而78度K时竟高达2500%,中还对磁阻比的磁场关系作了简单的讨论 相似文献
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采用激光分子束外延技术,在玻璃衬底上制备了La067Sr033MnO3 (LSMO) 薄膜,X射线衍射测量结果表明在玻璃衬底上生长的LSMO薄膜沿c轴择优取向生长.在外磁场3 T和88, 220, 300 K条件下,LSMO薄膜的磁电阻变化率分别达到-378%, -268%和-607%.实验结果表明,在廉价的玻璃衬底上制备大面积和具有应用价值的锰氧化物薄膜是可行的.
关键词:
锰氧化物薄膜
玻璃衬底
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采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(100)衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度TC以上的高温顺磁相都很好
关键词:
0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3')" href="#">Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3
绝热小极化子模型
双交换作用
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