Al局域替代La1.85Sr0.15CuO4中的Cu引起的电子结构变化

本用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究Ａｌ局域替代Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４中的Ｃｕ引起的电子结构变化。认为Ａｌ替代后使得ＣｕＯ２面空穴载流子浓度减少，这对超导电性有相当破坏作用；此外，因掺杂而诱导出的有效磁矩也对超导电性起部分破坏作用。     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系

利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术，我们在ＳｉＴｉＯ３衬底上成功地外延生长了超薄超导ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７薄膜样品．样品ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度分别为２．４ｎｍ至１０．８ｎｍ（二至九个原胞）．四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变．超导零电阻温度分别为１６Ｋ至８１Ｋ．超薄超导薄膜样品显示当ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度达到和超过四个原胞层厚（９．６ｎｍ）时，厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显．实验观察到ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同．这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响．超薄ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件．     

La1.85-xSr0.15+xCu1-xMxO4(M = Cr, Mn, Fe, Co, Ga, Al)体系的输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电阻率和电势等实验手段,系统地研究了Ｌａ１．８５－ｘＳｒ０．１５＋ｘＣｕ１－ｘＭｘＯ４（Ｍ＝Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｇａ ａｎｄ Ａｌ）体系的结构和输运性质。结果表明;所有的三阶离子掺杂都能在较低的掺杂浓度下抑制超导电性,并且引起金属到绝缘体的转变。磁性离子和非磁性离子掺杂引起显著不同的热电势变化,并用ｄ－ｐ杂化态的变化和局域自旋散射来进行分析讨论。     

Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/YBa2Cu3O7-x双层结构的制备及其特性的研究

我们通过脉冲激光淀积的方法在Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位生长了Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成分,Ｘ衍射谱证实了两层薄膜为单取向生长,对Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线,并对介电常数和损耗角正切值随频率变化进行了测量。     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

Spontaneous strain in high-temperature superconductor La1.85Sr0.15CuO4

The lattice parameters of La_1.85Sr_0.15CuO₄ were measured by an x-ray Rietveld method between 15 K and room temperature. A change in a lattice parameter could be detected at superconducting phase transition. It is pointed out, for the first time, that the change can be attributed to a spontaneous strain in the superconducting phase caused by coupling between a superconducting order parameter and the strain.     

柠檬酸盐凝胶法制备La1.85Sr0.15CuO4超导样品工艺研究

采用溶胶凝胶法制备LSCO超导样品.凝胶中不同组元分布均匀,达到分子级的程度,有利于样品成相.通过我们的研究发现,仅在750℃就可以合成具有超导性的LSCO样品;处理过程中通氧,有利于有机物的分解,消除残余碳氮含量.     

La1.85Sr0.15CuO4纳米线阵列的微结构与超导电性

采用溶胶-凝胶结合多孔氧化铝硬模板约束的方法,成功制备出直径约30nm的La1.85Sr0.15CuO4纳米线阵列,用XRD与X-ray EDX测定了所制备纳米线的物相与成分;FE-SEM与TEM表征了其形貌特征;由HRTEM与SAED测量分析了其微结构;磁化强度的测量结果表明样品具有Tc= 30 K的超导电性,比块材La1.85Sr0.15CuO4的Tc稍低.分析表明所制备的样品中存在一种a,b轴拉伸,c轴压缩的结构畸变,减弱了铜氧面内Cu3d和O2p轨道的杂化程度,减小了a,b面内的态密度,从而压制了体系的超导电性.     

La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列的微结构与超导电性

采用溶胶凝胶结合多孔氧化铝硬模板约束的方法，成功制备出直径约30nm的La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列，用XRD与X-ray EDX测定了所制备纳米线的物相与成分；FE-SEM与TEM表征了其形貌特征；由HRTEM与SAKD测量分析了其微结构；磁化强度的测量结果表明样品具有L-30K的超导电性，比块材La1．85Sr0．15CuO4的Tc稍低．分析表明所制各的样品中存在一种α，b轴拉伸，c轴压缩的结构畸变，减弱了铜氧面内Cu3d和O2p轨道的杂化程度，减小了α，b面内的态密度，从而压制了体系的超导电性．     

Tunneling and point contact investigations of La1.85Sr0.15CuO4

The high-T _c superconductor La_1.85Sr_0.15CuO₄ was investigated by means of point contact and tunneling measurements on small-sized contacts. We find different values for the energy gap at different points of the samples. The ratio 2/k _B T _c ranges from about 3 to 6. For some point contacts we observe a clear signature of a supercurrent. Data for the temperature dependence of the critical current are presented.     

Novel in-gap spin state in Zn-doped La1.85Sr0.15CuO4

Low-energy spin excitations of La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-y)Zn(y)O4 were studied by neutron scattering. In y=0.004, the incommensurate magnetic peaks show a well-defined "spin gap" below T(c). The magnetic signals at omega=3 meV decrease below T(c)=27 K for y=0.008, also suggesting the gap opening. At lower temperatures, however, the signal increases again, implying a novel in-gap spin state. In y=0.017, the spin gap vanishes and elastic magnetic peaks appear. These results clarify that doped Zn impurities induce the novel in-gap state, which becomes larger and more static with increasing Zn.     

Microhardness of the compounds La2CuO4 and La1.85Sr0.15CuO4 at temperatures from 81 to 292 K

The microhardness of La₂CuO₄ and La_1.85Sr_0.15CuO₄ crystals is measured in the temperature range 81–292 K, and the influence of various factors on it is investigated. The thermal activation parameters of the plastic deformation process in the vicinity of the indenter impression are estimated. The change of the phase state of the compound La_1.85Sr_0.15CuO₄ at the temperature T ₀=180 K and the appearance of domain (twin) boundaries formed in the ferroelastic tetraortho transition are not seen in the temperature dependence of the microhardness. The results of the study are compared with previously published results for YBa₂CuO_7−x crystals. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 40, 493–497 (March 1998)