共查询到20条相似文献,搜索用时 447 毫秒
1.
2.
研究了用产中分熔化法制备Tl-1223超导体的工艺。样品的名义组成为(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)Ca2Cu3Oy。经熔化退火的样品,其磁化电流的77K和1T下大于2×10^4/cm^2。用熔化-退火的超导粉作原料制得的复Ag带短样,Jc达1.6-1.7×10^4A/cm^2(77k,0T)。采用烧结后的超导粉作原料,在制备复Ag带的工艺中,如用熔化-退火的热处理制度,可以免除… 相似文献
3.
利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
4.
用SQUID磁强计测得了Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7-δ单晶在外场平行于c轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下,除了磁化强度是可逆的以外,由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约2K处。利用Hao-Clem模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Hc(T)和金兹堡-朗道参数k。其它超导参数由Hc(T)和k推得,比较YBa2Cu3O7-δ的热力学参数,讨论了Pr离子的效应 相似文献
5.
本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
6.
7.
对于La0.2Ba0.8-xCax(O,CO3)其中x=0.0、0.2、0.4、0.6氧化物在973K及甲烷氧化偶联(OCM)条件下,无Ca^2+的样品可用表面BaCO3和(LaO)2CO3的Raman谱及810cm^-1附近的O2^2-特征峰来表征;含Ca^2+的样品,则表现了混合碳酸盐(Ca,Ba)CO3的特征,还有位于1135cm^-1(w)和810cm^-1(w)的O2^-、O2^2-瞬时 相似文献
8.
MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带 总被引:2,自引:0,他引:2
本报道了用MOCVD静态和动态沉积两种工艺制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)3、Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,O2气为反应剂,高纯Ar气为载流气体,在静止和以10-15cm/h带速移动的金属银基体上,制出了有强烈c-轴取向的YBCO超导带。静态沉积样品的Jc达到1.04×10^4A/cm^2,动态沉积样品的Jc达到1.4×10^4A/cm^2(78K,0T)。对改… 相似文献
9.
10.
在77-300K温度范围内用正电子湮没方法测量了Y1-xPrxBaCu3O7-δ(x=0.2,0.1,0.0)三个超导样品中正电子湮没寿命随温度的变化,细致地研究了正常态异常现象,x为0.0和0.1的二个样品分别在较Tc高40K和30K处观察到了正常态异常现象.x=0.2样品没有观察到正常态异常现象,实验观察到的正常态异常现象可能是发生超导转的前秦,由结构不稳定产生的类相变所致。 相似文献
11.
12.
激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式 总被引:1,自引:0,他引:1
用反射式高能电子衍射(RHEED) 和原子力显微镜(AFM) 研究激光分子束制备的铁电BaTiO3 和高Tc 超导c 取向Y1Ba2Cu3O7 薄膜的生长模式,BTO 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;c 取向YBCO 超导薄膜是SK生长模式 当薄膜厚度小于5 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长.处理SrTiO3 基片表面可以改变c 取向YBCO薄膜的生长模式 相似文献
13.
本采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微(~100A)超导原粉,在份调节和粒度控制方面具有独到之处。用这种粉末合成的YBa2Cu3O7-δ超导体,其主相为正交123相,TR=0=91,2K,Jc(0T,77K)=1.8×10^5(A/cm^2),制备中烧结时间短,温度低(≤880℃),反应周期短(≤36hours),是一种很有发展前途的方法。 相似文献
14.
氧化态K—MoO3/γ—Al2O3催化剂结构的EXAFS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Na2MoO4.2H2O,MoO3,(NH4)6Mo7O24.4H2O等结构典型的含钼化合物及氧化态K-MoO3/γ-Al2O3催化剂样品进行了EXAFS测试,并以Na2MoO4.2H2O为标样进行多层拟合计算,以研究各样品钼组分的配位结构。 相似文献
15.
超导体系(Pb1.8Pb0.2)Sr2(R1.7Ce0.3)Cu2O10+δ(R=Nd,Sm,Cd,Y)经碘嵌入后形成一个c轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个(BiO)双层膨胀3.4至3.6A,体系氧含量减少从而导致Tc下降。与其它超导体系相比,碘嵌入的样品的(CuO2)面间距很大,但R=Sm,Nd的样品仍然超导,这意味着(CuO2)面间偶合对超导性产生并不重要。 相似文献
16.
Ba1-xKxBiO3(BKBO)超导体之所以令人感兴趣,其原因除了BKBO不含铜和它是立方钙钛矿结构外,更是由于它具有相干长度长(约5-7nm),制备温度低,导电性和超导性各向同性等优点。最近的研究还表明BKBO对于环境介质(如水)的稳定性明显好于含铜超导体.这些优点对于BKBO超导体走向实用化是重要的.BKBO的超导性与钾含量有关。当钾含量x在0.37<x<0.5范围时BKBO才超导,当x=0.4时,Tc为30-32K,晶格常数为4.283A°.晶格常数随钾含量增加而减少,二者有线性关系.因… 相似文献
17.
本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
18.
J.Z.Bai O.Bardon I.Blum A. Breakstone T.Burnett G.Chen G.P.Chen H.F.Chen J.Chen S.M.Chen Y.Q.Chen Y.Chen Y.B.Chen B.S.Cheng R.F.Cowan X.Z.Cui H.L.Ding Z.Z.DU W.Dunwoodie X.L.Fan J.Fang M.Fero C.S.Gao M.L.Gao S.Q.Gao P.Gratton J.H.Gu S.D.Gu W.X.Gu Y.F.Gu 《中国物理 C》1996,(12)
利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的350万(2S)事例,通过(2S)→γπ-和γK+K-反应道测量了Xc0的总宽度.由MonteCarlo模拟给出的质量分辨函数,利用拟合Xc2谱形得到的质量分辨作标定后,用于Xc0宽度的拟合,得到Xc0的宽度为(15.0)MeV.同时定出了XcJ(J=0,2)到π+π=和K+K-的衰变分支比.结果为B(Xc0→π+π-)=(4.27±0.23±O.60)×10-3;B(Xc0→K+K-)=(3.44±0.21±0.47×10-3;B(Xc2→π+π-)=(1.52±0.17±0.29)×10-3和B(Xc2→K+K-)=(5.2±1.1±1.8)×10-4,其中第一项误差为统计误差,第二项为系统误差。 相似文献
19.
20.
在成功制备C60外延薄膜的基础上,我们又尝试了碱金属Rb对该膜的掺杂。结果表明,从室温至80K左右,Rb3C60薄膜的电阻温度系数大于0,并近似符合公式:ρ(T)=a+bT^2,与单晶样品一致。但是,当温度低于80K以后,出现了弱的对数局域。在5K、零场下,样品的Jc值一般为10^3-10^4A/cm^2,且有如下规律:Jc(T)=Jc(0)(1-T/Tc)^a,α=1.3-2.0。此外,我们还测 相似文献