排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p+n结的电学性质,发现在p+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。
关键词: 相似文献
2.
3.
4.
采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
10.
提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移,与常规的多频导纳谱相比,它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Si/Ge0.33Si0.67/Si单量子阱进行测试,得到激活能为Ea=0.20eV。为了计算出能带偏移值,必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置,由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度(即能带偏移)及温度等几个因素均有关。为此,本文通过解泊松方程,计算出结合本文样品
关键词: 相似文献