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在4.2—273K 温区内,0—14 Kbar 压强下,测量了 CeSb 单晶的电阻率.计及 P-f 互作用随温度的变化,我们在理论上计算了与压强有关的 CeSb 磁性电阻率,并将计算结果与实验值比较. 相似文献
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在0—12kbar的压力下,在77—300K的温区里,研究了Y_1-Ba_2-Cu_3和Y_1-Gd_1-Ba_1-CU_3氧化物超导转变温度的压力效应。电阻测量采取标准直流四线方法。采用液体介质传压的Be-Cu自锁式压力装置。压力能提高这二种样品的偏离线性温度Tci 和零电阻温度Tcf。Y-Ba-Cu氧化物的Tcf平均增加率为0.71K/kbar,Y-Gd-Ba-Cu氧化物为0.27K/kbar。在Tci处的电阻率Pci随压力P增加而下降。 相似文献
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本文从朗道二级相变理论出发,讨论了A-15结构化合物的M点相变模型,并得到了二级结构相变的相交方向。 相似文献
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