射频磁控溅射CaS：TmF3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ：ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光，电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ＾３＋离子的Ｇ４→＾３Ｈ６、Ｇ４→＾３Ｈ４、＾３Ｆ３→＾３Ｈ６和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的电子跃迁发光。通过对ＣａＳ：ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致没能量的光子激发下的光的研究，谱的红外／蓝峰的哟度比有较大的不同，     

非晶Si/SiO2超晶格的制备及其光谱研究

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO₂超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8—3.2nm变化,SiO₂层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量 关键词：     

含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光

用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得蓝色的交流薄膜电致发光，通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关。     

多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

自从Canham[1]在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究[2,3].我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象[4].在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨.     

复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计

本文从交流薄膜电致发光(ACTFEL)显示屏的稳定性与可靠性角度出发,兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的RC响应的要求,对ACTFEL矩阵屏的结构进行了综合优化设计.从理论上分析了复合绝缘层SiO₂/Ta₂O₅击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ZnS:Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取值范围.通过实验对理论结果进行了验证,并在理论设计的指导下研制了640×480(10英寸)ZnS:MnACTFEL单色计算机终端显示器.     

非晶Si/SiO-2超晶格的制备及其光谱研究

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8-3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量子尺寸效应.     

非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光

设计并用磁控溅射方法制备了非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构,以高纯多晶Ｓｉ为靶材,当以Ａｒ＋Ｏ２为溅射气氛时,得到ＳｉＯ２膜,仅以Ａｒ为气氛时,得到Ｓｉ膜。重复地开和关Ｏ２气,便交替地得到ＳｉＯ２和Ｓｉ膜。衬底在靶前往返平移,改变平移的速度或者改变溅射的功率,可以控制膜的厚度。通过透民镜的照片可以看出ＳｉＯ２和Ｓｉ膜具有均匀的周期结构,用低角Ｘ－射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表     

InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成

用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/III较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生。在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长。     

衬底温度对CaS：TbF3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜地不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究，通过对薄膜的透射率和慢反射率的测量研究了薄 致密性，Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相，随着衬底温度的提高，ＣａＳ：ＴｂＦ３薄厝的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增另，从而增中了电致发光亮度。     

射频磁控溅射CaS∶TmF_3薄膜的电致发光及其激发过程的研究

首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ∶ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光．电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ３＋离子的１Ｇ４→３Ｈ６、１Ｇ４→３Ｈ４、３Ｆ３→３Ｈ６和３Ｆ４→３Ｈ６的电子跃迁发光．通过对ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致不同能量的光子激发下的光致发光光谱的红外／蓝峰的强度比有较大的差别．通过对电致发光光谱中红外／蓝峰强度比与不同波长的激发光激发下ＣａＳ∶ＴｍＦ３粉末的光致发光光谱的红外／蓝峰强度比的对比研究，我们判断主要激发过程为从基质到Ｔｍ３＋中心的能量传递．