少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ₀₁（０．２９８），Ｅ₀₂（０．３４１），Ｅ₀₃（０．５５５）和Ｅ₀₄（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇₀₃（０．５４）和Ｈ″₀₃（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。 关键词：     

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ_ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ_{０．４ 关键词：}     

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ⁺在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ_0.3Ｇ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。 关键词：     

(Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦ-ＬＭＴＯ-ＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ_３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ^３＋和Ｂｉ^5＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ₄Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（Ｂａ_３Ｋ）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（ＢａＫ）Ｂｉ₂Ｏ₆，（ＢａＫ_３）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，Ｋ₂Ｂｉ₂Ｏ₆（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅ_g＝１.６ｅＶ及Ｅ_g＝１.５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０.５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ_1-xＫ_x）ＢｉＯ_３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔ_c在ｘ＝０．２５附近的突变 关键词：     

Sm2(Fe,M)17C1.5(M=Ga,Si)化合物的形成和磁性

用电弧炉熔炼方法制备了Ｓｍ₂Ｆｅ_17-xＭ_xＣ_1.5（Ｍ＝Ｇａ，Ｓｉ）化合物，研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明，用Ｇａ替代Ｆｅ，当２≤ｘ≤６时，可形成Ｔｈ₂Ｚｎ₁₇型单相化合物，而Ｓｉ的替代仅在ｘ＝２时为单相结构。居里温度随Ｇａ含量的增加从ｘ＝２时的６３３Ｋ下降到ｘ＝６时的３５１Ｋ，Ｓｍ₂Ｆｅ₁₅Ｓｉ₂关键词：     

HIGHLYCHARGEDATOMICPHYSICSATHIRFL－

ＨＩＧＨＬＹＣＨＡＲＧＥＤＡＴＯＭＩＣＰＨＹＳＩＣＳＡＴＨＩＲＦＬ－ＣＳＲＭａＸｉｎｗｅｎＷａｎｇＹｏｕｄｅＨｏｕＭｉｎｇｄｏｎｇＪｉｎＧｅｎｇｍｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｌａｎｚｈｏｕ７３...     

脉冲红外激光诱发SiH4+CH4解离动力学研究

采用光学发射谱（ＯＥＳ）技术对脉冲ＴＥＡ ＣＯ₂激光诱发ＳｉＨ₄＋ＣＨ₄系统击穿产生的等离子体辐射进行了时间分辨的光谱测量。结果表明等离子体内分子的各碎片发光均在气体击穿时刻开始出现，但具有不同的时间特性，由此探讨了气体分子的分解过程。分析结果支持激光诱发ＳｉＨ₄＋ＣＨ₄等离子体内的主要离解通道为产生Ｓｉ，Ｃ原子通道的分解动力学机制的解释。据此观点讨论了气体分解碎片间的反应过程。实验与理论符合较好。 关键词：     

Investigation of the Excitation of the Static GaseousLasers by the Combined Microwave and DC Discharges

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＥｘｃｉｔａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｔａｔｉｃＧａｓｅｏｕｓＬａｓｅｒｓｂｙｔｈｅＣｏｍｂｉｎｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＤＣＤｉｓｃｈａｒｇｅｓ￥ＷＡＮＧＹｕｍｉｎ；ＺＨＥＮＧＨｕｉ；ＬＯＵＱｉｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＲｕ...     

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）_１（ＧａＡｓ）_１（００１），（ＩｎＰ）_n（ＩｎＡｓ）_n（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ_v和平均键能Ｅ_m的行为，对以Ｅ_m为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡ 关键词：     

Brief Introduction to HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS

ＨＩＧＨＥＮＥＲＧＹＰＨＹＳＩＣＳＡＮＤＮＵＣＬＥＡＲＰＨＹＳＩＣＳｉｓａｓｃｉｅｎｃｅｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｆｏｃｕｓｉｎｇｏｎｓｐｅｃｉａｌｉｚｅｄｆｉｅｌｄｓｗｉｔｈｉｔｓｆｉｒｓｔｉｓｓｕｅｐｕｂｌｉｓｈｅｄｉｎ 1 977.ＩｔｉｓｓｐｏｎｓｏｒｅｄｂｙｔｈｅＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＨｉｇｈＥｎｅｒ ｇｙＰｈｙｓｉｃｓａｎｄｔｈｅＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓ,ｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ.Ｉｔｉｓａｍｏｎｔｈｌｙｊｏｕｒｎａｌ,ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｂｏ…     

ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ₂Ｏ₃－Ｓｂ₂Ｏ₃系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ₂Ｏ₃和Ｚｎ_2．３３Ｓｂ_０．６７Ｏ₄晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ₂Ｏ₆）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ_{2关键词：}     

Cu3Au与Au3Cu中点缺陷的分子动力学研究——兼论L12型合金点缺陷的性质

讨论了Ｌ１２型合金中点缺陷的各种可能构型，然后运用分子动力学的方法，采用由Ａｃｋ-ｌａｎｄ等提出的Ｃｕ-Ａｕ体系的多体势函数，计算了具有Ｌ１₂结构的Ｃｕ₃Ａｕ与Ａｕ₃Ｃｕ中点缺陷的构型、形成能及缺陷体积，并进一步讨论了目前研究较为深入的Ｌ１₂型金属间化合物中点缺陷的性质 关键词：     

Introduction to Authors

ＡｉｍｓａｎｄｓｃｏｐｅＨＩＧＨＥＮＥＲＧＹＰＨＹＳＩＣＳＡＮＤＮＵＣＬＥＡＲＰＨＹＳＩＣＳｃｏｖｅｒｓｔｈｅｆｉｅｌｄｓｏｆＨｉｇｈＥｎｅｒｇｙＰｈｙｓｉｃｓ,Ｃｏｓｍｉｃ ＲａｙＰｈｙｓｉｃｓ,ＨｉｇｈＥｎｅｒｇｙＡｓｔｒｏｐｈｙｓｉｃｓ,ＩｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅＥｎｅｒｇｙＰｈｙｓｉｃｓ,ＮｕｃｌｅａｒＰｈｙｓｉｃｓ,ＨｅａｖｙＩｏｎＰｈｙｓｉｃｓ,Ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ,Ｄｅｔｅｃ ｔｏｒａｎｄＳｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｒａｄｉａｔｉｏｎｉｎｔｈｅａｓｐｅｃｔｓｏｆｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ,ｔｈｅｏｒｉ…     

NEOCLASSICAL TRANSPORT IN A TOKAMAK WITH ELECTRIC SHEAR

ＮＥＯＣＬＡＳＳＩＣＡＬＴＲＡＮＳＰＯＲＴＩＮＡＴＯＫＡＭＡＫＷＩＴＨＥＬＥＣＴＲＩＣＳＨＥＡＲＷＡＮＧＺｈｏｎｇ ｔｉａｎ1,ＧＬｅＣｌａｉｒ2(1.ＳｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ,Ｃｈｅｎｇｄｕ610041;2.ＣｅｎｔｅｒＣａｎａｄｉｅｎｄｅＦｕｓｉｏｎＭａｇｎｅｔｉｑｕｅ,Ｃａｎａｄａ)　　Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｎｅｏｃｌａｓｓｉｃａｌｔｒａｎｓｐｏｒｔｔｈｅｏｒｙｆｏｒａｔｏｋａｍａｋｉｎｔｈｅｐｒｅｓｅｎｃｅｏｆａｌａｒｇｅｒａｄｉａｌｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｗｉｔｈｓｈｅａ…     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低     

Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ_1-xＣａ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-y（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ_c／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ_c的压力导数随着ｃａ²⁺含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ_c和ｄＴ_c／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ₂面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ₂面之间耦合解释Ｔ_c（Ｐ）曲线的非线性关系。 关键词：     

Annual Cumulative Contents of Volume B11.Chinese Journal of Lasers(2002)

·ＬＡＳＥＲＤＥＶＩＣＥＳ·ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＳｔｕｄｙｏｎＡｃｔｉｖｅ ｐａｓｓｉｖｅＭｏｄｅ ｌｏｃｋｉｎｇＵｓｉｎｇＣｒ4 + ∶ＹＡＧａｓＳａｔｕｒａｂｌｅＡｂｓｏｒｂｅｒ1 61 1ＡＭｉｃｒｏｃｈｉｐＴｕｎａｂｌｅＢｌｕｅＬａｓｅｒＳｏｕｒｃｅＢａｓｅｄＵｐｏｎＣｒ∶ＬｉＳＡＦｉｎＣｏｎｔａｃｔｗｉｔｈＫＮＣｒｙｓｔａｌ1 61 5ＨｉｇｈＰｏｗｅｒ 940ｎｍＡｌ ｆｒｅｅＡｃｔｉｖｅＲｅｇｉｏｎＬａｓｅｒＤｉｏｄｅｓａｎｄＢａｒｓｗｉｔｈａＢｒｏａｄＷａｖｅｇｕｉｄｅ1 61 91 .3 2 μｍＮｄ3+ ∶Ｙ…     

STRUCTURES AND INTERNAL MOTION OF A Ne_3 CLUSTER

ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳＡＮＤＩＮＴＥＲＮＡＬＭＯＴＩＯＮＯＦＡＮｅ３ＣＬＵＳＴＥＲＸｉｅＷｅｎｆａｎｇＣｈｅｎＣｈｕａｎｙｕＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＧｕａｎｇｚｈｏｕＴｅａｃｈｅｒｓ′ｃｏｌｅｇｅＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０４００ＡＢＳＴ...     

HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS Vol.26(2002) CONTENTS

Ｎｏ .1ＢｒｉｅｆＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏＨＩＧＨＥＮＥＲＧＹＰＨＹＳＩＣＳＡＮＤＮＵＣＬＥＡＲＰＨＹＳＩＣＳ (ｉｉｉ)…………………………………………ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏＡｕｔｈｏｒｓ (ｖ)……………………………………………………………………………………………………ＥｄｉｔｏｒｉａｌＢｏａｒｄｏｆＨＩＧＨＥＮＥＲＧＹＰＨＹＳＩＣＳＡＮＤＮＵＣＬＥＡＲＰＨＹＳＩＣＳ (ｖｉ)……………………………………………Ｌｅｔｔｅｒｓ　ＦｕｒｔｈｅｒＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＤｉ ｇｌｕｏｎＦｕｓｉｏｎＭｅ…     

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．