Y稳定的ZrO_2基体上YBa_2Cu_3O_7／SrTiO_3／YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的制备、超导性能和显微结构

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜，利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征．研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．Ｋ和８６．７Ｋ之间．ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为Ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶粒．三层膜中层界面比较清晰但不十分平整．在膜／基界面处有８－１０ｎｍ厚的过渡层，它由多晶的ＢａＺｒＯ３组成．膜层和（１０）ＹＳＺ基底之间具有如下的外延生长关系ＹＳＺ［００１］／／ＹＢＣＯ［１１０］／／ＳｒＴｊＯ３［１１０］；ＹＳＺ（１００）／／ＹＢＣＯ（００１）／／ＳｒＴｉＯ３（００１）．     

Nb_3Sn带横场磁化曲线测量

我们测量了不同镀Cu厚度的气相沉积Nb,Sn带的垂直场磁化曲线,由这些曲线,我们发现当镀Cu厚度从30μm增加到60μm时,初始磁通跳跃场从10kG增加到14 kG.作为比较,我们也测量了几条扩散Nb,Sn带的垂直场磁化曲线.     

非平衡超导体在Tc附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。 关键词：     

PREPARATION OF a-AXIS ORIENTED YBa2Cu3Ox THIN FILMS

The a-axis oriented YBa₂Cu₃O_x(YBCO) thin films could be grown on (100) SrTiO₃(STO) substrates with STO buffer layers by dc and rf magnetron sputtering either by low-ering the deposition temperature, or by using a self-template technique. For the latter, the resistivity of the thin film at 290K along the substrate [001] direction is about four times larger than that in the [010] direction. The zero resistance temperatures T_c0 are 89 K in both directions. So high quality a-axis oriented YBCO thin films can be prepared by the self-template technique. Also the T_c0 increase monotonously with the reduction of the thickness of the YBCO seed layer.     

BaO-Y2O3(La2O3)-CuO三元系相图的研究

本文采用X射线衍射,热学分析、超导电性测量等方法测定了La₂O₃-CuO,BaO-CuO,Y₂O₃-CuO二元系相图,BaO-La₂O₃-CuO,BaO-Y₂O₃-CuO三元系室温截面。在这两个三元系的富CuO区,存在Ba_xLa_2-x CuO₄(x≤0.07),BaLaCu₂O_5+δ,BaLa₄Cu₅O_14+δ,BaLa₂Cu₂O₆和Ba₂YCu₃O_9-y,BaY₂CuO₉化合物。Ba_xLa_2-x,CuO₄(x≤0.07),BaLa₄Cu₅O_14+δ,BaLaCu₂O_5+δ,BaLa₂Cu₂O₆均属四方晶系,点阵常数分别为a=5.356,c=13.20;a=8.660,c=3.863;a=3.917,c=11.75;a=3.992,c=19.96.Ba₂YCu₃O_9-y属正交畸变钙钛矿结构,a=3.892,b=3.824,c=11.64,空间群为Pmmm。BaY₂CuO₅具有正交结构,a=7.123,b=12.163,c=5.649;空间群为Pbnm。研究了组成与超导电性的关系,考查了烧结温度对Ba₂YCu₃O_9-y化合物结构和超导电性的影响,并对超导电性产生的原因进行了讨论。     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

非平衡超导体在T_c附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。     

超导铅膜远离平衡态的特性

我们利用隧道注入准粒子的方法,使超导铅膜远离平衡态。在不同温度下,测量了泡在液氦池里的和在真空室内的铅膜的直流电阻随注入电流的变化。本文报道我们已经取得的一些实验结果,除了得到与Iguchi相类似的结果外,并在T相似文献   

多芯NbTi组合导体的交流损耗

测量了多芯NbTi组合导体在纵向场和横向场中的动态磁化曲线和静态磁化曲线,给出磁场峰值最大到60kOe的交流损耗值。静态法测量结果与磁滞模型一致,动态法则包括磁滞损耗和芯间耦合导致的涡流损耗。由于几何因子的差别和钉扎强度的各向异性,导体在纵向场中的损耗低于横向场中的值。     

TI膜微桥隧道结的低频1／f噪声

我们在７７Ｋ下测量了ＴＩ膜微桥结的低频１／ｆ电压噪声和Ｉ－Ｖ特性曲线并得到了１０ＨＺ下偏置电流和电压噪声关系．实验结果表明在临界电流附近总有噪声峰出现．在不同的磁场下冷却样品，噪声峰的幅度并不改变．这一结果意味着ＴＩ膜微桥隧道结的１／ｆ噪声主要来自于临界电流的涨落，而不象是由于磁通捕获造成的．