首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   30篇
  免费   19篇
  国内免费   3篇
化学   6篇
晶体学   8篇
力学   3篇
数学   6篇
物理学   29篇
  2020年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   2篇
  2014年   8篇
  2013年   3篇
  2012年   2篇
  2010年   2篇
  2009年   8篇
  2008年   4篇
  2007年   6篇
  2006年   3篇
  2001年   3篇
  1998年   2篇
  1994年   1篇
  1984年   2篇
  1965年   1篇
排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%.  相似文献   
2.
考察了通过自主研发的高温热裂解辅助硒化装置所产生的高活性硒对CIGS薄膜结构和器件性能的影响.通过调节高温裂解系统的温度可以有效调节不同的硒活性.研究发现, 第一台阶HC-Se气氛可以提高CIGS薄膜表面的Ga含量, 使得CIGS薄膜内的Ga分布更加平缓, 进而提高CIGS薄膜表面禁带宽度.而且HC-Se气氛可以消除CIGS"两相分离"现象.两种因素的共同作用使得CIGS薄膜太阳电池的开路电压提高了34.6%.电池转换效率从6.02%提升至8.76%, 增长了45.5%.  相似文献   
3.
刘芳芳  张力  何青 《人工晶体学报》2012,41(6):1519-1523
本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程。  相似文献   
4.
<正>This paper reports that GaSb thin films have been co-deposited on soda-lime glass substrates.The GaSb thin film structural properties are characterized by Raman spectroscopy.The Sb-A1g/GaSb-TO ratio decreases rapidly with the increase of substrate temperature,which suggests a small amount of crystalline Sb in the GaSb thin film and suggests that Sb atoms in the thin film decrease.In Raman spectra,the transverse optical(TO) mode intensity is stronger than that of the longitudinal optical(LO) mode,which indicates that all the samples are disordered.The LO/TO intensity ratio increases with increasing substrate temperature which suggests the improved polycrystalline quality of the GaSb thin film.A downshift of the TO and LO frequencies of the polycrystalline GaSb thin film to single crystalline bulk GaSb Raman spectra is also observed.The uniaxial stress in GaSb thin film is calculated and the value is around 1.0 GPa.The uniaxial stress decreases with increasing substrate temperature.These results suggest that a higher substrate temperature is beneficial in relaxing the stress in GaSb thin film.  相似文献   
5.
本文对感应电动机故障诊断原理和方法进行了分析,并以电流频谱分析法为基础,应用BP神经网络诊断感应电动机转子断条数,给出了网络训练和测试结果,该方法根据感应电动机的运行状态参数,可以直接诊断出感应电动机转子的断条数的多少,具有智能化诊断,诊断准确,精度高等特点。该方法已应用于作者开发的虚拟电机故障分析诊断仪中,取出了很好的效果。  相似文献   
6.
A dc magnetic sputtering process is applied to growth of a Mo back. contact layer onto the flexible polyimide (PI) and rigid soda-lime glass (SLC) substrates. The structural and electrical properties of the Mo layer coated on the two kinds of substrates are investigated by x-ray diffraction (XRD) and Hall effect measurements. The results show that the Mo layer on SLG indicate more better crystal quality and lower resistivity than that on the PI sheets. In contrast to the SLG substrate, the resistivity of the Mo layer on PI is increased by the vacuum annealing process at the substrate temperature of 450℃ under Se atmosphere, which is attributed to the cracked Mo layer induced by the mismatch of the coefficient of thermal expansion between PI and Mo material. The Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells based on the PI and SLO substrates show the best conversion efficiencies of 8.16% and 10.98% (active area, 0.2cm^2), respectively. The cell efficiency of flexible CIGS solar cells on PI is limited by its relatively lower fill factor caused by the Mo back contact.  相似文献   
7.
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10~100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好.  相似文献   
8.
Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520~1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.  相似文献   
9.
Cu(In, Ga)Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu(In,Ga)Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu(In, Ga)Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.  相似文献   
10.
随着计算机的普及,现在许多数学家、工程师、科研工作者已经开始用计算机代替纸和笔进行计算。众所周知,现有的计算机高级语言如C语言、Pascal语言、Basic语言等只适合于数值计算,不适合符号计算和公式推导。例如要计算一个8阶矩阵的特征根,用手工计算,可能需要一天的时间,而且很容易算错;如果用高级语言编写程序,既使对于熟练的程序员,其工作量也是非常大的。但若用Mathematica、Maple、Reduce等符号计算软件,则在几分钟内就可以得到结果。符号计算软件(包括Mathematica,Maple,Reduce)是近二十年来发展起来的计算机软件…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号