高J＿cTl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ＿ｃ＝１．５×１０￣４Ａ＊ｃｍ￣（－２），７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈａｂ面）和磁场垂直于带面（ＨＪ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ＿（０）＝０．２１，其中Ｈ的单位为ｋＧ。对Ｈａｂ面，ＨＩ时出现的与宏观洛仑兹力无关的耗散进行了讨论。     

Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ_1-xＣａ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-y（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ_c／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ_c的压力导数随着ｃａ²⁺含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ_c和ｄＴ_c／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ₂面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ₂面之间耦合解释Ｔ_c（Ｐ）曲线的非线性关系。 关键词：     

CH2Br2的同步辐射光电离研究:10—12eV范围内CH2Br2的振动自电离态

报道在超声射流冷却条件下用同步辐射ＶＵＶ光源研究ＣＨ₂Ｂｒ₂的振动自电离结构．根据测量的１０５—１２３ｎｍ范围内母体离子（ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺）的光电离产率曲线，获得ＣＨ₂Ｂｒ₂的绝热电离势为１０.２３±０.０１ｅＶ．ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺的最低三个电子激发态，即Ａ（²Ａ₂），Ｂ（²Ｂ₁），Ｃ（²Ａ₁）分别位于１０.７８±０.０１ｅＶ，１１.２０±０.０１ｅＶ和１１.２７±０.０１ｅＶ．在１１５.０１—１２１.１５ｎｍ范围内，观察到ＣＨ₂Ｂｒ₂自电离峰叠加在若干台阶结构上，台阶平均宽度为７１６.８±４０.０ｃｍ^-1，对应于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂）中Ｂｒ-Ｃ-Ｂｒ反对称的伸缩振动（ｖ₉），所有的峰均归属为收敛于ＣＨ₂Ｂｒ₂⁺（Ｘ²Ｂ₂，ｖ⁺）振动能级的ｎｓ，ｎｐ和ｎｄ自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ态．此外，对ＣＨ₂Ｂｒ₂光解离电离产生离子型自由基ＣＨ₂Ｂｒ⁺（Ｘ）的光电离产率曲线的结构也进行了归属 关键词：     

飞秒瞬态反射谱研究YBa2Cu3Ｏ７－δ费密面变化与电声子耦合

利用飞秒脉冲激光与泵浦－探测技术测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_７－δ（其中δ＝０．０，０．１，０．４，０．８）外延薄膜的瞬态反射率改变随时间变化曲线。由于氧含量的不同使得样品瞬态反射率改变随时间变化曲线有很大差异。瞬态反射率改变随时间变化的曲线符号变化可以理解为氧含量的变化改变了样品费密面附近的能带结构。对实验数据的拟合表明δ＝0．４的样品电声子耦合远弱于高Ｔ_cδ＝０的样品。 关键词：     

(Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦ-ＬＭＴＯ-ＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ_３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ^３＋和Ｂｉ^5＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ₄Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（Ｂａ_３Ｋ）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（ＢａＫ）Ｂｉ₂Ｏ₆，（ＢａＫ_３）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，Ｋ₂Ｂｉ₂Ｏ₆（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅ_g＝１.６ｅＶ及Ｅ_g＝１.５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０.５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ_1-xＫ_x）ＢｉＯ_３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔ_c在ｘ＝０．２５附近的突变 关键词：     

四角或三角畸变立方晶场中(3d)1过渡金属离子的劈裂因子

对四角或三角畸变立方晶场中的(3d)¹离子,在已有的静电晶场理论的基础上,采用“集团模型”,进一步引入Γ_∥, Γ_⊥及K_∥, K_⊥,R_∥, R_⊥,并考虑E_g混入T_2g,导出适用于四角或三角畸变立方晶场各种可能情况的g_∥, g_⊥公式。讨论了g_∥, g 关键词：     

Y0.9Eu0.1Ba2Cu3O7-δ中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ和Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1Ｂａ₂·Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ_c（Ｔ）和Ｕ_eff（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ相比，Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1·Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 关键词：     

典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性

通过制备（ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇）_1-x（Ｖ₂Ｏ₅）_x（０≤ｘ≤０．１５）复合材料，获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体，其中以ｄＲ／ｄＴ－Ｔ关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变，第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品，其临界电流密度一致地符合ｉ_c～（１－ｔ）^ｎ，ｎ＝１．６．这一行为与三维Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结网络系统的渗流行为相一致；对于不具有双峰转变的系统，临界电流密度随温度的变化尽管也可以用ｊ_c～（１－ｔ）^ｎ描述，但是幂指数ｎ明显地大于１．６，且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。 关键词：     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_{3< /sub>-0.38PbTiO3( 0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率，给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带 结构与折射率的关系，计算了样品的Sellmeier光学系数：对no，E0=5.50eV,λ0=0.2 26μm，Ｓ０=1.004×10¹⁴m^-2，Ed=28.1 0eV；对ne，Ｅ0=5.57eV,λ 0=0.223μm，S0=1.017×10¹⁴m^-2，Ed=28.10eV.A BO3型钙钛矿材料中，BO6八面体基元决定了晶体的能带结构，对折 射率产生重要影响. 关键词： PMNT单晶 折射率 Sellmeier光学系数}     

温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T⁽¹⁾₀ 和 T⁽²⁾₀（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到T⁽²⁾₀的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ_ip都分布于一个与Ｔ有关的区间[H_ip⁽¹⁾(T), H_ip⁽²⁾(T)]内，称为临界面内磁场区间：H_ip^{＜H_ip(1)(T)时，ＶＢＬ链保持不变;H_ip(1)(T)< H_ip < H_ip(2)(T)时，随着Ｈ_ip的增加，越来越多的ＶＢＬ消失;H_ip > H_ip(2)(T)时，所有ＶＢＬ都消失。H_ip(1)(T),H_ip(2)(T)及H_ip(2)(T)-H_ip(1)(T)均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于T(1)₀ 和 T(2)₀降为零。比值H_ip(2)(T)/H_ip(1)(T)随Ｔ的升高而升高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为21/2,在T(1)₀附近急剧升高且至T(1)₀时趋于∞。对以上结果做了理论分析。 关键词：}     

高JcBi-2223银包套带材的电阻转变展宽与磁通钉扎

系统地研究了高J_cBi-2223相银包套带材在0—1T磁场下的电阻转变展宽.实验结果表明,Bi-2223带材的电阻转变具有热激活的性质.研究了磁通钉扎势与温度的关系,得到电阻转变曲线的温度关系为R(T)=R₀exp{-u₀(1-T/T_c)ⁿ/kT},其中磁场平行于ab面时,n=4.5;磁场垂直于ab面时,n=3.在磁场平行于ab面时,耗散与Lorentz力无关,只与平行于ab面的磁场大小有关,这可 关键词：     

Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的Al_xGa_1-xAs/GaAs异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ₀^*／ｍ₀＝０．０７３，ｍ₁^{*关键词：}     

电子关联对C60激子极化子的影响

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ₆₀，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ₆₀分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ₆₀分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。 关键词：     

MyM′1-yFClxBr1-x:Sm2+的电子跃迁过程和光谱烧孔效率

通过测量无机光谱烧孔系列材料MyM′_1-yFCl_xBr_1-x:Sm²⁺（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，⁵Ｄ_J—⁷Ｆ₀（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ相似文献   

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ₀₁（０．２９８），Ｅ₀₂（０．３４１），Ｅ₀₃（０．５５５）和Ｅ₀₄（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇₀₃（０．５４）和Ｈ″₀₃（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。 关键词：     

磁场对重电子金属材料CeCu6-xCdx电阻的影响

介绍了重电子金属CeCu6-x_6-xCdx_x（x=010，015，020，0 30，050）在18—300K温度范围内,在磁场(μ0₀H=0，5，10T)下电阻 随温度的变化规律 及低温（19 ，15K）下的磁电阻（μ0₀H=0—10T）.实验表明所有样品在 零场下的Tmax_max（对应于电阻极大值的温度）都低于18K.加磁场后，Tmax _max随磁场和掺杂量 关键词： 重电子系统 低温电阻 近藤散射 相干散射     

YBa2Cu3O7-δ外延薄膜的有效钉扎势

在0—7T磁场范围内，测量了不同测量电流密度下YBa₂Cu₃O_7-δ外延薄膜的电阻温度关系.实验结果表明，临界温度以下，混合态的耗散电阻率能很好地用热激活磁通蠕动描述.有效钉扎势的电流密度关系遵守Zeldov等人提出的对数关系，有效钉扎势的温度和磁场关系遵守U∝(1-T/T_c)H^-α关系，其中α=0.63，与热激活磁通点阵位错运动模型相一致，表明样品具有2D涡旋性质. 关键词：     

ZrO2涂层热性质的弧光光热分析技术和有限差分热流模型研究

应量汞弧光灯作加热光源的背表面检测光热技术和有限差分热流模型研究了ＺｒＯ₂涂层的热导和热扩散率。其值分别为：ｋ＝０．００６９Ｊ／ｃｍ·Ｋ·ｓ和α＝０．００２８ｃｍ²／ｓ．结果表明对于带涂层的多层系统的光热检测，有限差分热流模型法是一个有效的数据处理方法。 关键词：     

Upper critical field <Emphasis Type="Italic">H</Emphasis><Subscript><Emphasis Type="Italic">c</Emphasis>2</Subscript> in anisotropic superconductors with varying charge carrier density: Application of the theory to doped MgB<Subscript>2</Subscript>

A theory describing the magnetic properties of a two-band superconductor with a varying charge carrier density is constructed. The upper critical field H _c2^(ab) parallel to the ab plane and field H _c2^(c) parallel to the c axis are determined in the entire temperature range 0 < T < T _c . A considerable increase in upper critical field H _c2^(ab) as compared to H _c2^(c) because of strong anisotropy of the system is detected. Anisotropy of coefficient γ _H = H _c2^(ab) / H _c2^(c) is obtained as a function of temperature for pure MgB₂ and as a function of the chemical potential in the case when Mg and B atoms are replaced with other chemical elements. A correlation between the variation in the superconducting transition temperature upon an increase in the chemical potential and critical magnetic fields H _c2^(ab) and H _c2^(c) is observed. The effect of doping on magnetic anisotropy is also determined.