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报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg1-xCdxTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg1-xCdxTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermal freeze
关键词: 相似文献
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采用原子力显微镜(AFM)、俄歇电子能谱(AES)和显微压痕分析等手段对射频等离子体增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石(DLC:N)薄膜的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明,随着含氮量的增加,DLC薄膜的AFM表面形貌中出现了几十纳米的颗粒,原子侧向力显微镜和AES分析表明这种纳米颗粒是x大于0.126的非晶氮化碳CNx结构.这种非晶DLC/CNx的纳米复合结构,减小了薄膜的内应力,从而提高了薄膜与衬底的附着力.
关键词:
类金刚石碳膜
微观结构
附着特性 相似文献
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通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 . 相似文献
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在1.5K低温和0~9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用. 相似文献
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介绍了纳米硅膜的PECVD生长方法,样品的结构特征和结构参数的测量方法,根据现有的实验数据,讨论了给米硅样品的电学性质和光学性质,简要评述了内米硅研究的方向和进一步所要做的工作。 相似文献
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报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg_(1-x)Cd_xTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermalfreeze-out),即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成R_H(T)=R_(H0)exp[a/kT],它实际上反映了磁冻结在施主上的电子,随温度的升高,逐步热激发到导带的过程,从磁致MIT后的激活能初步推知,导带下存在两个浅施主能级。 相似文献