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1.
依据Malozemoff和Griessen等建议的表征高温超导体有效钉扎势的唯象表式U(T,B,J)=Uo(T,B)/μ(T,B)[Jc(T,B)/J)^μ(T,B)-1]和热激活涡旋运动模型,并通过YBa2Cu3O7-δ薄膜直流传输特性的测量结果,利用“函数唯一性”数据处理方法,研究了钉扎液体的玻璃态指数μ(T,B)随温度与外磁场的负值函数形式。以及钉扎势垒Uo(T,B)和Jc(T,B)随外场与  相似文献   
2.
采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结,并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ~Ⅴ特征曲线.结果表明,临界电流几乎保持不变,但返回电流随温度增加而增大;与此同时,Mccumber参数βc随着温度增加而减小.临界温度附近,跳跃电压△V明显偏离BCS理论.  相似文献   
3.
Eu(Pr)替代Ba位对EuBa2Cu3O7-δ晶体结构及其超导电性的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用X射线衍射、直流输运和拉曼光谱法分别研究了Pr和Eu替代EuBa2 Cu3O7 δ的Ba位对晶体结构及其超导电性的影响。实验结果表明 ,随着Pr和Eu替代浓度的增加 ,晶体结构发生了从正交相到四方相的结构转变 ,超导临界温度Tc 迅速降低 ,拉曼光谱表明 ,随着替代含量的增加 ,Cu(1)—O(4 )的拉伸振动 5 0 4cm- 1 和Cu(2 )—O(2 ,3)反相弯曲的振动模 30 4cm- 1 系统地向高波数移动。  相似文献   
4.
测量了预结厚膜在不同压力下的密度,用SEM观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌,实验结果表明,厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是;在制备过程中粉末内存在的空气,在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差,提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。  相似文献   
5.
测量了(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2 多层膜在强磁场下的超导转变展宽 .这种YBa2Cu3O7层间具有耦合 退耦合的临界绝缘层PrBa2Cu3O7厚度以及由 3D向 2D过渡的YBa2Cu3O7层厚度的多层膜 ,其不可逆场遵守H ∝ ( 1-t)μ关系 ,其 μ值约为1 ,介于3D( μ =3/2 )和2D( μ =1 /2 )之间 .磁通运动的热激活能的结果表明 ,对于H∥c和H⊥J的磁场位形 ,遵守U∝lnH关系 ,即磁通涡旋处于2D区 .而对于H∥ab和H⊥J ,H∥ab和H∥J两种磁场位形 ,激活能U随磁场的增加而线性减小 ,表明磁通涡旋处于3D态 .讨论了上述维度变化的可能物理机制 .  相似文献   
6.
在0~7.5T磁场范围内,采用膺磁通变压器结构(八电极),测量了磁场平行于c轴时熔融织构生长的YBCO单晶上和下两个表面的电阻-温度关系。实验结果表明,在测量仪表所能测量的精度范围内,没有观测到Vtop和Vbot的情况,Vtop总是大于Vbot。不同磁场下Vtop/Vbot随着温度的降低而变化;c-轴电阻的测量结构则表明,样品沿c方向与ab面具有相似的超导电性,且T^cc〉Tabc,这充分表明随着  相似文献   
7.
王智河 《物理学报》1996,45(3):518-521
测量了Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oy银夹板厚膜的应力与应变、应变和临界电流密度关系,及其在不同应变下的Jc(H)特性.结果表明,在应力-应变曲线上存在两个应变转变,分别对应于Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oy关键词:  相似文献   
8.
张宏  王智河  杨腾 《低温物理学报》2003,25(Z2):411-414
成功地制备了K掺杂的MTG-YBKCO单畴块材, 在70K时,Jc随H单调下降.但在55K时,Jc-H曲线在(2~4)T范围内呈现了第二峰即峰值效应,使能在较宽磁场中仍保持高Jc值.  相似文献   
9.
在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.  相似文献   
10.
采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O y的比热.零场下,2~180K的比热结果可以用Einstein模型来描述.通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法,我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热,获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热,并将实验结果与London模型的计算结果进行对比,发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果.  相似文献   
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