电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化

用同时计入电场、对称破缺项t_e和电子-晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化.极化程度随场强增加，也与t_e有关.并发现t_e≤0.1 eV时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上     

电场中高分子的发光和激子的解离

研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1.在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：(1)电场超过1.5MV/cm时，PPP衍生物的发光强度很快减弱；(2)电场对4.5MV/cm时，发光强度减为24%；(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2.高分子中π电子具有“离域性”，易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上. 关键词：     

电场作用下高分子中自陷束缚激了的极化

用同时计入电场、对称破损项ｔｅ和电子－晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子，发现电场使高分子中自吵缚激子内电荷发生转移，出现极化，极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关，并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学化理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两上靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明限上定域态是     

强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能

计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε₁(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。 关键词：     

聚合物中光激发在电场作用下的转化

用动力学方法模拟了在聚合物中观察到的“场诱导电荷产生”现象,给出了聚合物链上键结构和电荷分布随时间的演变过程,并确定了激子变为极化子对的弛豫时间. 关键词：     

电子相互作用和孤子元激发(Ⅱ)——电子关联对孤子激发能的影响

电子相互作用对孤子的激发能是增加还是减小，各种理论相互矛盾．分析了产生矛盾的原因，提出了计算孤子激发能的新方法，结果表明：电子相互作用使荷电孤子对的激发能增加，其增加的幅度小于电子-空穴对激发能的增加幅度 关键词：     

原子无序起伏对C60的影响

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C₆₀的键长和格点电子密度分布的影响．得到了C₆₀中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：1）在C₆₀的长、短键之差等于0.0044nm，格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时，C₆₀中的二聚化结构仍然存在．2）在格点原子 关键词：     

发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象

揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象，光激发即吸收一个光子 使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子，从而使发光聚合物的磁化率改变。     

超晶格的理论研究

本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的低频吸收带

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe的低频吸收带,提出另一种解释。把Hg_(1-x)Cd_xTe作为具有0—25％Cd(或Hg)替位杂质的HgTe(或CdTe)晶体,用格林函数计算含有一个Cd(或Hg)的HgTe(或CdTe)双原子链振动谱,进而讨论Hg_(1-x)Cd_xTe混晶振动模的特性,结果表明Hg_(1-x)Cd_xTe在k→0存在频率不趋于零的声学声子,它们有条件吸收远红外波段的光子,形成低频吸收带。它能说明已报道的实验上观察到的低频吸收带的主要特征,并表明对光学声子存在双模行为的其它混晶,在远红外吸收谱中很可能存在类似的低频吸收带。