首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   61篇
  免费   102篇
  国内免费   4篇
化学   5篇
数学   15篇
物理学   147篇
  2019年   1篇
  2018年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2009年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   4篇
  2005年   7篇
  2004年   5篇
  2003年   5篇
  2002年   1篇
  2001年   7篇
  2000年   10篇
  1999年   11篇
  1998年   5篇
  1997年   4篇
  1996年   10篇
  1995年   5篇
  1994年   14篇
  1993年   5篇
  1992年   1篇
  1991年   3篇
  1990年   5篇
  1989年   4篇
  1988年   7篇
  1987年   7篇
  1986年   6篇
  1985年   5篇
  1984年   9篇
  1983年   3篇
  1982年   4篇
  1981年   2篇
  1980年   4篇
  1979年   2篇
  1966年   1篇
排序方式: 共有167条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
本文对名义组份为Bi1 .8Pb0 .2Sr2 - xLaxCuOy 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究.测量表明,Pb 掺杂可以进一步提高超导转变温度Tc ;随着La 含量的增加,Tc 按照典型的抛物线型规律变化;La 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性.我们的分析指出,热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关,而且电阻率正常态输运特性的变化可用La 掺杂造成CuO6 八面体顶点氧发生位移来解释.  相似文献   
3.
本文计算了涡旋玻璃态或集体蠕动模型和考虑反跳的热激活模型的驰豫率,并与实验数据进行了比较,发现前者在较低温度与实践符合较好,而后者在接近Tc的较高的温度与实验符合较好。本文还对此进行了讨论。  相似文献   
4.
5.
本文研究了微波辐照下置于谐振腔中的超导弱连接的Joscphson电流特性,并就微波频率与腔的本征频率公度与非公度两种情况进行了详细的理论计算。结果表明,外加的微波辐照总是抑制腔本征振荡的反馈作用。在非公度时,形式上类似于两微波的混频结果,但存在电流随外磁场在一个磁通量子φ_0内的多次阶跃;在公度时,只要微波幅度足够强,这种电流的小周期振荡就会消失。  相似文献   
6.
本文利用扫描电镜和X光衍射方法研究了γ射线辐照下Nb/Fe双层膜的结构行为,指出由于溅射时样品衬底温度的升高,在Nb/Fe界面形成了Fe_2Nb化合物。在γ射线的辐照下Fe_2Nb要分解成Fe和Nb,同时在辐照的最初阶段促使了非晶Nb的晶化,之后随着辐照时间的不断延长,γ射线的辐照又破坏Nb晶粒使之细化,本文讨论了这些实验结果。  相似文献   
7.
本文利用X射线衍射,扫描电子显微镜和电阻温度关系的测量,研究了非晶Ge/晶态Ag迭层膜的退火行为。低温电阻的测量温区为80—300K,同时给出了室温电阻和退火温度的关系,实验发现一个新的互扩散现象:随着退火温度的升高,Ge不断晶化,同时,部分Ge由于扩散而溶于Ag中,退火温度再升高,扩散到Ag中的Ge又重新析出,利用电阻变化估算出Ge/Ag互扩散的激活能为0.15eV。本文还讨论了退火过程中各结构下的输运性质。 关键词:  相似文献   
8.
在77一310K温区内测量了三个典型的Y-Ba-Cu-O样品的电阻(R)、热电势率(S)与温度(T)的关系,发现R-T曲线与S-T曲线有对应关系,但热电势率对载流子输运过程的反应比电阻灵敏得多。由实验结果可得出结论:Y-Br-Cu-O体系靠近带界处的Fermi面是畸变的,样品的Debye温度远大于300K。  相似文献   
9.
测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲线中 ,电流较大时 ,靠近上临界磁场Hc2 附近出现一个强峰 ,而在低电流下 ,该峰消失 .同时在临界电流峰效应区的起始处出现一小峰 .实验结果表明掺Ta后 ,涡旋体系的动力学特性发生了显著的变化 .  相似文献   
10.
本文利用低温蒸发凝聚技术,第一次获得了金属型非晶态InSb膜,它形成的条件是凝聚底板的温度低于120K。金属型非晶态InSb膜在凝聚温度下发生自发的第一电导跃变,样品由类液非晶态弛豫到类点阵非晶态.当退火温度Tα达到200K左右时,发生结晶相变,即第二电导跃变,并在210K达到电导峰值,形成层状结构的结晶金属相。当Tα继续升高时,这个亚稳金属相逐渐转变成结晶半导体相。实验发现金属型非晶态InSb是个超导体,其超导Tc因底板温度的不同而改变;第二电导峰值对应的亚稳结晶金属相也是一个超导相,其Tc=4.18K;在由结晶金属相向结晶半导体相逐渐转交过程中,超导相的Tc逐渐降低,转变宽度△Tc显著增加,并在Tα达到某一温度以后出现超导相变反常。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号