溅射Nb-Ge膜中高TcA15相的形成规律

我们发现高超导转变温度T_c(23K)的溅射Nb-Ge膜,都含有一定量的Nb₅Ge₃相,且Nb/Ge<3。对一般样品,用感应法所测的T_c都低于电阻法所测结果约1—2K,T_c≥22K的量在样品中所占的比例相对来说都比较小。对于只含A15相的薄膜,更显示出具有几个台阶宽的转变曲线,高T_c相含量很少;而对于含有A15相和一定量Nb₅Ge₃相的薄膜,感应法测量结果是一个较陡且光滑的转变曲线。电子显微镜观察呈现出Nb₅Ge₃和A15相的有趣的分布。这些结果对于我们以前提出的Nb₅Ge₃相对高T_cA15相有稳定作用的观点是一个进一步的证明。     

La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3薄膜的应变效应

采用脉冲激光沉积法分别在(100)LaAlO₃和(100)SrTiO₃基片上生长了La_0.33Pr_0.34Ca_0.33MnO₃薄膜，并通过磁测量和电输运测量对生长在不同基片上的La_0.33Pr_0.34Ca_0.33MnO₃薄膜的物性进行了研究.结果表明，基片和薄膜之间的压应力导致La_{关键词： 钙钛矿锰氧化物 相分离 电荷有序}     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

缺氧YBCO的c方向电荷动力学

我们利用激光沉积法在斜切的钛酸锶基片上制备了缺氧(110)取向的YBa2Cu3O7-δ薄膜.由于在这种薄膜中的c轴躺在基片的表面上,从而为我们研究沿c方向的某些独特的物理性质提供了便利.在这里我们报道了所测量的在不同温度及磁场下这种薄膜沿c方向的远红外偏振反射谱.结果表明在温度Tc以上,沿c方向运动的载流子浓度很低.由于载流子之间弱的相干性以及较大的热涨落,反射边得到展宽.随着超导的出现,沿着c方向运动的载流子之间的相干性得到加强,这表现为一个在100波数附近等离子体边的出现.磁场下的测量表明磁场对等离子体边的位置影响很小,这种现象与已有的理论预言不相符合,我们认为导致这种现象的原因是超导体中磁通涡旋的钉扎作用.     

A15Nb_3Ge超导薄膜的电子显微镜观察

在透射电子显微镜(TEM)下观察了五个溅射的NbGe超导薄膜样品.结果表明,在高温(1000℃)时薄膜沉积.其显微结构是大的同轴向的A15晶粒,在晶粒边界上有一些“片状”结构。T_c很高(≥22K)薄膜其显微结构是形状不规则的,带有缺陷的A15晶粒以及有严格花样的“杆状”晶粒.虽然我们不能从电子衍射中辨别(T)Nb_5Ge_3相,但却发现了(六角)Nb_5Ge_3.由此得到,高T_cA15亚稳相是与(T)以及(六角)Nb_5Ge相共存的.     

高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

用直流吸气溅射法获得了Tc1)起始等于23K的Nb-Ge膜.对样品进行了分析,初步总结了高Tc-A15Nb3Ge的成相规律,对与Tc密切相关的因素进行了讨论. 引 言 很多A15型化合物具有超导电性且其超导转变温度Tc很高.1973年,Gavaler首次用直流低电压,高Ar气压力溅射法获得Tc起始温度为 22K的     

高温超导体中的相分离和电荷有序

文章简要介绍了高温超导体中的相分离现象及其研究现状，同时报道了作者对Ｌａ２ＣｕＯ４体系中的相分离及电荷有序现象的研究工作．     

超导重力仪的研制

本文介绍了Goodkind型超导重力仪的研制,并用它观察到了地球固体潮汐。     

吸气溅射装置

我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb_3Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K.