R1-xPrxBa2Cu3O7-δ超导Tc平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ_1-xＰｒ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导Ｔ_c与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ_i≤ｒ_i（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ_c平台，并且平台宽度表明一个Ｒ^３＋离子尺寸效应。我们认为，Ｔ_c平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ^３＋离子半径ｒ_ic，ｒ_i＞ｒ_ic时ＲＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ的超导电性消失 关键词：     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

［（μ－CF＿3CO＿2）＿2Ln（μ－CF＿3HCO＿2）Al（i－Bu）＿2·2THFl＿2（Ln＝Nd，Y）配合物的NMR和X－射线衍射研究

对［μ－ＣＦ＿３ＣＯ＿２）＿２Ｌｎ（μ－ＣＦ＿３ＨＣＯ＿２）Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）＿２·ＴＨＦｌ＿２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｙ）配合物单晶结构的Ｘ－射线分析指出，配合物具有中心对称性，配位中心由两个稀土和两个Ａｌ离子组成，稀土由两个ＴＨＦ和６个ＴＦＡ分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构，Ａｌ由两个ＴＦＡＧ和两个ｉ－Ｂｕ配位形成四面体结构。桥连Ａｌ与两个稀土的ＴＦＡ分子的羧基发生歧化加氢，其碳原子由ＳＰ￣２型转变为ＳＰ￣３型．ＮＭＲ研究表明，在ＴＨＦ溶液中，该配合物保持了它在单晶中的配位结构，所不同的是两个ｉ－Ｂｕ在溶液中有两种异构形成，二者间为慢交换过程。     

新块材超导体Pr_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.4≤x≤0.6)的高压合成与超导电性

采用高温高压合成方法，合成出了Ｐｒ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０４≤ｘ≤０６）系列块材超导体，在缺氧的Ｐｒ０．５Ｃａ０．５Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ四方１２３结构样品中得到了Ｔｃ为９８Ｋ．实验结果表明Ｐｒ在１２３结构中的价态为大于３＋的混合价态，因而空穴填充和杂化导致的载流子局域化是Ｐｒ抑制１２３相超导电性的关键因素．     

脉冲激光淀积Ba_（1－x）K_xBiO_3薄膜

我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．     

Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7—δ单晶的热力学参数

用ＳＱＵＩＤ磁强计测得了Ｙ０．８Ｐｒ０．２Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶在外场平行于ｃ轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下，除了磁化强度是可逆的以外，由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约２Ｋ处。利用Ｈａｏ－Ｃｌｅｍ模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Ｈｃ（Ｔ）和金兹堡－朗道参数ｋ。其它超导参数由Ｈｃ（Ｔ）和ｋ推得，比较ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的热力学参数，讨论了Ｐｒ离子的效应     

RBa2Cu3O7—x（R=Y,Yb）形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的…

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究。结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同，Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成：Ｙ２Ｏ３＋４ＢａＣＯ３＋６ＣｕＯ＋１－２     

Y_（1－x）Pr_xBa_2Cu_3O_（7－y）体系超导性的流动O_（Pσ）

基于刘提出的新的超导机制及Ｙ（１－ｘ）ＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｙ）体系流动Ｏ（ｐσ）空穴局域机制，本文第一次给出Ｔｃ对ｘ的理论曲线，和Ｔ＝ＯＫ能隙对Ｔｃ的比值的Ｔｃ依赖关系．结果表明流动Ｏ（ｐσ）空穴局域机制比对破缺机制，空穴填充机制及空穴填充对破缺联合机制都好．     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

（Bi,Pb）2Sr2（R,Ce）2Cu2O10＋δ超导体碘嵌入后结构和Tc变化研究

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个ｃ轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降。与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶合对超导性产生并不重要。     

高T_c氧化物体系的相关系和晶体结构

本文综述了Ｒ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｔ１－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ ＃系，Ｔ１－Ｓｒ－Ｃａ－Ｒ－Ｃｕ－Ｏ体系以及Ｐｂ－Ｓｒ－Ｒ（Ｃａ）Ｃｕ－Ｏ体系超导相的相关系和晶体结构，并讨论了超导相的结构特点和它们之间的相互关系．     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

PrBa_2Cu_3O_7中的Pr－O共价因素及其影响

本文提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份．文中阐述了这种共价作用的性质和原因．讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２ＣＵ３Ｏ７电子结构的影响．定性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序．     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

飞秒瞬态反射谱研究YBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）费密面变化与电声子耦合

利用飞秒脉冲激光与泵浦－探测技术测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）（其中δ＝０．０，０．１，０．４，０．８）外延薄膜的瞬态反射率改变随时间变化曲线。由于氧含量的不同使得样品瞬态反射率改变随时间变化曲线有很大差异。瞬态反射率改变随时间变化的曲线符号变化可以理解为氧含量的变化改变了样品费密面附近的能带结构。对实验数据的拟合表明δ＝．４　的样品电声子耦合远弱于高Ｔ＿ｃδ＝０的样品。     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．