Fe0.5Cu0.5BaSrYCu2Oy化合物的结构和超导电性研究

实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy（x= 0～1）系列化合物，本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示，高压合成的样品均具有超导电性，对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)～57K， Tc(0)～40K，而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此，我们利用透射电子显微镜（TEM）研究了该体系的微观结构特性，并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品，证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析.     

Li_3VO_4-Li_4SiO_4-Li_4GeO_4赝三元系相图的研究

本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li_3VO_4,Li_4SiO_4的相变过程,Li_3VO_4-Li_4SiO_4,Li_3O_4-Li-4GeO_4赝二元系相图以及Li_3VO_4-Li_4SiO_4-Li_4GeO_4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li_3VO_4-Li_4SiO_4,Li_3VO_4-Li_4GeO_4赝二元系中,由于Li_4SiO_4或Li_4GeO_4的加入而使Li_3VO_4的高温γ_(II)相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。     

Bi—2201单晶调制结构的X射线衍射观测

本用Ｘ射线的方法对Ｂｉ－２２０１大片超导单晶的调制结构进行了研究，在衍射谱中，除了００１的主衍射峰外，还出现了一系列卫星峰。由这些卫星峰的位置可以得到这种单晶的调制波矢ｑ＝０．２０８ｂ＾＊＋０．３６ｃ＾＊。这与用电子显微镜观测的结果基本一致。     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

急冷Ag-Ge二元系合金的相关系

用X射线衍射和热学分析的方法研究了急冷(冷却速度约为10⁴K/s)Ag-Ge二元系样品的相关系。由于急冷Ge在Ag中的溶解度由平衡下的1.5at％扩展到8at％。在Ge含量为8—23at％的样品中,除含Ge在Ag中的过饱和固溶体和Ge外,还有一个具有与Ag基过饱和固溶体相同成分,不同堆垛形式的亚稳相,属A3型六角密排结构,点阵常数a=2.893±0.010?,c=4.720±0.010?,c/a=1.632。用DuPont公司1090系列的差示扫描量热仪(DSC)研究了过饱和固溶体和 关键词：     

Li_4GeO_4-Zn_2GeO_4赝二元系相图的研究

本文用差热分析和X射线衍射的方法对Li_4GeO_4-Zn_2GeO-4赝二元系相图进行了研究。结果指出,文献中所报道的锂离子导体Li_(14)Zn(GeO_4)_4不是化合物,而是含Zn_2GeO_4的以Li_4GeO_4为基的固溶体,由于Zn_2GeO_4的加入,使Li_4GeO_4的高温相稳定存在于室温。根据研究结果,提出了关于Li_(14)Zn(GeO_4)_4多晶陶瓮样品在室温长期放置后,电导率明显降低的解释。     

碱金属碘酸盐赝二元系固溶体的研究

碱金属碘酸盐形成的二十一个赝二元系中,六个体系为机械混合物,九个体系是形成化合物的(其中三个是离子化合物),其余六个体系形成连续固溶体。本文对KIO₃-NH₄IO₃,RbIO₃-NH₄IO₄等赝二元系形成的连续固溶体进行了研究。NH₄IO₃中加入KIO₃或RbIO₃时,随加入量增加,NH< 关键词：     

LiIO_3-NaIO_3赝二元系相图及其非晶态晶化动力学的研究

本文对LiIO_3-NaIO_3赝二元系的相图,相变,非晶态的形成和稳定性,以及晶化的动力学过程等进行了仔细的研究,LiIO_3-NaIO_3赝二元系属共晶体系,共晶温度为325℃,共晶点成份为含50m/o LiIO_3,用共晶点附近成份的试样,在超过熔点150℃的情况下首次获得碘酸盐的非晶态,非晶态的存在降低了LiIO_3的表观相变温度,强X射线的辐照,各种空气湿度,细粒度等因素都加速非晶态的晶化速率,从二元系非晶态块中,LiIO_3晶化的速率与完整性都大于NaIO_3,当晶化量y=0.1—0.9时,等温晶化过程符合Johnson-MehI-Avrami方程式y(t)=1-exp(-bt~n),Avrami指数n=2—3,晶化速率常数b随温度指数增加,晶化激活能为2.21eV。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8的晶体结构与超导性能

本文研究了Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中理想成份为Bi_2Sr_2CaCu_2O_8化合物的超导性能和晶体结构。名义成份为BiSrCaCu_2O_(5.5)零电阻超导转变温度T_c(0)=81.5K。用X射线粉末衍射方法测定了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8的晶体结构,其基本结构属体心四方晶系,空间群为D_(4h)~(17)-l4/mmm,点阵常数a=3.825A,c=30.82A。每单胞化合式单位为2.2Ca占据2(a)等效点系,4Sr,4Bi和4Cu占据三组4(e)位置,其原子参数z分别为0.110,0.302和0.445,16O分别占据8(g),z=0.445和二组4(e),z=0.210和0.380。Bi_2Sr_2CaCu_2O_8晶体结构可认为是阳离子沿z轴的(00z)和((1/2)(1/2)z)交错排列,由Aurivillius相导生出来的。讨论了在Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中可能存在的其它沿z轴不同堆垛层数的超导相。     

非晶态离子导体Li2B2O4晶化前期的离子导电性

本文研究了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的离子电导率与温度的关系,特别着重于晶化前期的离子迁移特性。当温度低于T_K(≈310℃)时,离子电导率遵从Arrhenius关系。当高于晶化温度(≈411℃)时,以晶态中的离子迁移为主。在T_kc时,电导率偏离热激活机制呈反常增高。我们把这一过程称为晶化前期过程。可以用自由体积模型进行描述。晶化前期又可分为两部分:当温度低于、T_p(≈380℃)时,由于自由体积的重新分布,导致了电导率的增高;当T>T_p时,出现了少量微晶,但晶化量小于5%,由于非晶母体与微晶之间的界面效应使得离子导电性显著增强。可以通过室温淬火,把晶化前期非晶态的状态保持到室温,从而有可能制备出离子电导率高于纯非晶态的材料。 关键词：