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测量了c轴高度定向的YBa2Cu3O7-δ高Tc超导薄膜经300~750℃退火后的红外反射光谱和不同掺Zn量的YBa2Cu3-xZnxO7-δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Cu-O吸收峰的变化,证实了在YBa2Cu3O7-δ体系的红外光谱中,630cm^-1、590cm^-1、和550cm^-1三个吸收峰分别对应的Cu-O伸缩振动膜,以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响 相似文献
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本文研究了不同磁场位形下(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2多层膜的电阻转变展宽,结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜c轴的相对位形决定,而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明,H‖ab时,U0∝H^-α,H‖c时,U0∝lnH。这种三维-二维(3D-2D)转变,可以归因于YBCO/PrBCO和YBCO层厚度处于3D-2D转变厚度范围所致。 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献
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本报道了陶瓷和薄膜PrBa2Cu3O7材料的红外和远红外反射谱,从陶恣和薄膜样品的声子谱的比较中萃取PrBa2Cu3O7材料沿着c轴振动的Blu模分别位于110,158,194,202,395,580cm^-1,PrBa2Cu3)7和YBC3O7-δ有类似的晶体结构,分析和比较这两种材料的声子谱,尤其是沿着c轴振动的Blu模,我们认为Pr的Blu模位于194cm^-1,并由此而建议从红外测试结果 相似文献
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2·Cu_3O_(7-δ)样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),J_c(T)和U_(ef_f)(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa_2Cu_3O_(7-δ)相比,Y_(0.9)Eu_(0.1)·Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 相似文献
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本文系统地研究了Pr掺杂在Y位对YBa2Cu3O7-δ超导体内耗的影响,随Pr对Y的掺杂量增加,110K内耗峰逐渐减小,而87K附近的内耗峰基本不变,因Pr的掺入主要引起电子结构的变化,110K附近内耗峰应的电子结构有关,而和YBa2Cu3O7-δ的附近的90超导转变无直接的联系。 相似文献
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在80K-400K的温区内测量了Y1-xrxBa2CU3O7-δ体系 电子寿命的温度依赖关系,YBa2Cu3O7-δ样品,正电子平均寿命具有明显的温度依赖性;随着Pr的掺入,温度依赖性 ,以致于PrBa2Cu3O7-δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化,正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释,并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能,文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺 相似文献
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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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为探索高浊国氧化物直发导膜在加速腔中的应用,我们以金属银为技术衬底,在非平板型及足够大的表面积上电泳沉积YBa2Cu3O7-δ导膜。文中给出YBa2CCu3O7-δ超导膜的微结构,及其表面电阻,共振频率位移,Rs的频率关系和高场行为等波性能。 相似文献
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不同Ba含量的Y-Ba-Cu-O体系多晶材料的相组成及其超导电性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用Raman光谱分析方法对名义组分为YBaxCu3O(x=2.0,1.8,1.6,1.2,0.6)的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析.结果表明:1)在制备Y(123)相材料过程中,Ba元素的含量对样品的成相有着重要影响.在高Ba含量的Y(123)相样品中,容易产生BaCuO2相杂质,在低Ba含量的样品中则容易产生Y(211)、(Y2BaCuO5)相杂质,而Ba含量适当低于标准化学剂量配比时有利于Y(123)相的生成2)样品的相组成对超导转变温度Tc值影响不大,但与超导转变温度宽度△Tc密切相关.当x=1.6时,其△Tc最小,说明样品中适量的Y(211)相杂质的存在对超导转变特性的改善是有利的. 相似文献
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YBa2Cu3O7-δ高温超导膜的Raman标定张鹏翔1,2,H.-U.HABERMEIER2,M.Cardona2(1云南工业大学材料科学与工程系昆明云南650051中国)(2Max-Plaud-InstitutfürFestkorperforsc... 相似文献
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采用蠕爬型助熔剂CaO-CuO和蒸发型复合助熔剂CaO-CuO-NaCl来制备Tl-Ba-Ca-Cu-O超导单晶,生长炉最高温度890℃和850℃,因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为2.0×1.5×0.2mm^3,Tc在100K与119K之间的Tl-2212相单晶和尺寸为1.2×1.0×0.1mm^3。Tc约为115K的Tl-2223相超导单晶。 相似文献
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本文报道的在Zr(Y)O2和LaAIO3两种衬底上制备的YBa2Cu3O7-δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ar(Y)O2上的YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.85eV,而沉积在单晶LaAIO3衬底上YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.12eV处,前者由3.0eV和2.80eV两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。 相似文献
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用X-射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应。在Bi2223样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂,样品的超导转变温度升高而晶格参量c减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小,说明氟没有占据Cu-O2面中氧的位置。它们可能占据Cu-O2面之间的其它原子层的位置,这样,会改善Cu-O2面间的藕合进而提高Tc和保持比热反常幅度。 相似文献