采用单极子微带天线耦合的SIS结混频器变频效率的研究

本文描述了一种单极子微带天线耦合的SIS结混频器。给出了确定单极子天线参数的实验方法,据此设计的混频器,在4.2K上用校正的单色信号源测得了其单边带变频效率为0.62。     

YBCO薄膜中自旋极化准粒子的注入效应

采用Nd0 .7Sr0 .3MnO3/SrTiO3/YBa2 Cu3O7-δ的异质结构 ,研究了自旋极化准粒子的注入效应 .在 5 6 μm宽的YBCO膜条上成功地制备了与超导膜条同样宽度但不同长度的六个注入结区 ,长度L分别为 80 μm ,4 0 μm ,2 0 μm ,10 μm ,5 μm和 2 μm .80nm厚的YBCO薄膜在 16K温度下Jc 为 2× 10 5A/cm2 .Iin=0 .5mA的自旋电流注入下 ,随L从 80 μm逐渐顺次减小时 ,注入效率 η =ΔJc/ΔJin逐渐增大 .而当L≤ 2 0 μm后 ,η不再增加 ,达到几乎相同的值 (～ 6 ) .初步分析认为这与自旋极化准粒子在超导膜内的有效自旋扩散长度有关 .异质结构中YBCO薄膜的超导电性以及注入窗口的尺寸对获得大的自旋注入效率十分重要 .     

熔融法制备Ba_（1－x）K_xBiO_3（BKBO）氧化物超导体

本文利用熔融法制备了ＢＫＢＯ超导体，Ｘ射线荧光分析表明，熔融过程中Ｋ，Ｂｉ有所丢失，通过在配料中增加Ｋ，Ｂｉ的含量，得到超导转变温度Ｔｃ～２５Ｋ的超导体．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，我们制备的样品呈很好的立方晶格结构，晶格常数α＝０．４２９ｎｍ．     

用低温扫描电子显微镜观察 YBaCuO 超导薄膜的临界电流密度 J_c 的分布

利用低温扫描电子显微镜(LTSEM),我们对高温超导 YBaCuO 外延膜的临界电流密度J_c 和临界温度 T_c 的分布进行了观察.低温扫描电镜是目前可以观察超导薄膜中 J_c、T_c 分布情况的仪器,本文详细说明了利用 LTSEM 来观察超导薄膜 J_c、T_c 分布情况的原理,以及如何将 SEM 改装为 LTSEM.实验结果表明 YBaCuO 外延膜表面临界电流密度 J_c 和临界温度 T_c 的分布是不均匀的,但其不均匀性比多晶膜小得多,而且其分布情况与膜的表面形貌有关.     

液氮温区Y-Ba-Cu-O超导薄膜的研究

我们采用了rf磁控反应溅射的方法,在单晶ZrO_2YSZ和多晶SrTiO_3等基片上成功地制备了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。所获得的零电阻转变温度达81K。膜厚为1—2μm。 本文对膜的成分、基片、R-T曲线和热处理过程等作了叙述。     

Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的制备

本文报道了在射频磁控溅射装置上Nb/Al-AlO_x/Nb隧道结的制备工艺和所获得的结果。对SIS三层结构形成时基片的温度、势垒,以及电极形成方法等问题进行了讨论。 关键词：     

LB膜势垒层高T_c薄膜边缘结的几个实验现象

本文介绍了采用有机分子薄膜 LB 膜(Langmuir-Blodgett)作为势垒层边缘结的制备方法.文中给出了在这种结上所观察到的几种不同的电流-电压曲线,并作了若干讨论.     

点接触约瑟夫逊固定结的研制

实验研究了八毫米波段的插片式约瑟夫逊固定结。文中给出了它的结构、制备和一些结果。     

一种不采用调配结构的约瑟夫逊结混频器

本文描述了一种在8mm波段上的不采用匹配结构的约结混频器.采用冷、热噪声Y因子法,在4.2K的铌结上测得的单边带混频器噪声温度,变频效率. 文章还探讨了点接触约结混频器的噪声机构.     

高Tc超导薄膜和电子器件的最新进展──第五届未来电子器件国际讨论会简讯

第五届未来电子器件国际讨论会于1988年5月30日至6月4日在日本宫城藏王举行.三维集成电路和高Tc超导电子器件两个专题会议相继举行,总会议主席为东京大学田中昭二教授.高Tc超导电子器件分会议主席东京大学岗部洋一教授,邀请中国派代表出席会议并作邀请报告.北京大学崔广霁和南京大学杨森祖应邀出席会议,并分别作了题为《中国超导电子学的最新进展》和《高Tc超导体的高频应用》的邀请报告. 会议由隶属于日本通产省的未来电子器件研究与发展协会主办.该会目的在于加强对未来电子器件的研究,并转入实际应用.会议有正式代表160人,以日本的超导…