共查询到19条相似文献,搜索用时 112 毫秒
1.
通过制备(YBa2Cu3O7)1-x(V2O5)x(0≤x≤0.15)复合材料,获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体,其中以dR/dT-T关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变,第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品,其临界电流密度一致地符合ic~(1-t)n,n=1.6.这一行为与三维Josephson结网络系统的渗流行为相一致;对于不具有双峰转变的系统,临界电流密度随温度的变化尽管也可以用jc~(1-t)n描述,但是幂指数n明显地大于1.6,且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。
关键词: 相似文献
2.
研究了Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dTc/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现Tc的压力导数随着ca2+含量的增加而下降,分析了氧含量对Tc和dTc/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO2面在超导电性上的作用,用CuO2面之间耦合解释Tc(P)曲线的非线性关系。
关键词: 相似文献
3.
4.
报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg1-xCdxTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg1-xCdxTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermal freeze
关键词: 相似文献
5.
用混溶蒸发法制备出高聚物(PEO)n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜。并详细测量它们在0.1-350MPa静水压范围的复阻抗谱,以及在0.1-2400MPa静水压范围的交流电导率。结果表明:离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应,PEO结晶相的压力效应和析出新相CuBr2的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加(PEO)n-CuBr2薄膜的弹性,使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。
关键词: 相似文献
6.
7.
8.
在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa2Cu3O7-δ和Y0.9Eu0.1Ba2·Cu3O7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),Jc(T)和Ueff(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa2Cu3O7-δ相比,Y0.9Eu0.1·Ba2Cu3O7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。
关键词: 相似文献
9.
用深能级瞬态谱(DLTS)技术测量了高温退火的Be和Si共注入的LEC半绝缘GaAs(无掺杂)。在多子脉冲作用下的Al/Be-Si共注LECSIGaAs肖特基势垒中,观测到E01(0.298),E02(0.341),E03(0.555)和E04(0.821)等四个电子陷阱以及两个主要的少子(空穴)陷阱H'03(0.54)和H″03(0.57)。两少子陷阱的DLTS信号具有若干特点,比如它们的DLTS·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度;以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用DLTS技术测量这种陷阱的困难,我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为0.54和0.57eV。它们是新观测到的和Be-Si共注SIGaAs有关缺陷。
关键词: 相似文献
10.
用第一原理的LDF-LMTO-ASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=1.6eV及Eg=1.5eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=0.5.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变
关键词: 相似文献
11.
12.
13.
用深能级瞬态谱(DLTS)和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入LEC半绝缘GaAs的γ射线辐照缺陷。在Be-Si共注的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐照引入一电子陷阶E2,并且大大增强了原有的E01(0.298)和E02(0.341)等缺陷,同时明显地瓦解了原有的少子陷阱H03。在单纯注Si的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐阳引进了E'01(0.216),E'02(0.341),E'2,E'4和E'5(0.608)等缺陷。其中E01和E'01是新发现的和γ辐照有关的GaAs缺陷。和低阻衬底同质外延GaAs相比,Be-Si共注LEC半绝缘GaAs具有较低的γ射线辐照缺陷引入率,与此相反,单纯注Si的LEC半绝缘GaAs具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
关键词: 相似文献
14.
15.
利用电热法将含金物质加热,产生Au原子束,再以两束UV脉冲激光垂直照射,将处于基态的Au原子共振激发至高Rydberg态。滞后于激光脉冲200ns的高压脉冲电场(6500V/cm)加到反应区,使处于Rydberg态的Au原子电离。激光波长在一定范围内扫描,共测出了Au原子的n2D3/2(n=18—38)和n2S1/2(n=21—34;36—38)两通道的38条能级的位置。用参数拟合得到2D3/2和2S1/2两系列的极限分别为:ED=74409.8(3)cm-1,ES=74410.0(2)cm-1,计算了每条能级的量子亏损。我们的实验还证明了场电离是一种十分有效的电离手段,比用通常的激光光电离效率要高得多。这在共振电离谱学(RIS)的研究中是一种很有效的方法。
关键词: 相似文献
16.
在0.0001-2.4GPa流体静压力范围详细研究了非晶(Fe1-xCox)77.5Nd4B18.5(0≤x≤1.0)合金的电阻率与压力的关系,得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分x变化的规律。结果表明:用少量的钴(x=0.2)替代铁,不会影响其硬磁性和热稳定性,同时却可减小电阻率的压力系数,从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在0.51GPa保压3-24h的结构弛豫,进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分x的依赖关系。
关键词: 相似文献
17.
Electron energy peak shifts and peak shapes were determined in the ionization of H2O, D2O, H2S and SO2 by Ne(3P2) and He(21S, 23S) metastable atoms. The shifts are large, especially in ionization of H2O and D2O into the ionic ground state and are probably mostly due to chemical interaction during the collision.In a previous paper the electron energy distribution curves for ionization of CO, HCl, HBr, N2O, NO2, CO2, COS and CS2 by helium, neon and argon metastables and the characteristics of this ionization were described1. In this paper the series of triatomic molecules was extended to the molecules H2O, D2O, H2S and SO2. Because all these molecules have considerable dipole moments it could be expected that the peak shifts might be enhanced as compared with other triatomic molecules. 相似文献
18.
19.
利用磁控溅射的方法,在热玻璃基片上制备了以Ag,Ti,Cu,Cr,Pt和Ta为底层的[Fe/Pt]n多层膜,后经不同温度真空热处理,得到L10有序结构的FePt 薄膜(L10-FePt).实验结果表明,以Ag和Ti为底层,通过采用基片加温,同时 利用[Fe/Pt]n多层膜结构,可以促进FePt薄膜的有序化过程,使FePt-L10有序化温度从500℃降低到350℃.在较高的温度下退火,以Ag为底层对薄膜的磁性 能影响较小,而以Ti为底层在高于500℃退火后,矫顽力明显下降.在400℃退火20min后,以 Ag和Ti为底层的样品平行膜面的矫顽力分别达到597kA/m和645kA/m,剩磁比分别达到0.81和 0.94,为将来FePt-L10有序相合金薄膜用于未来超高密度磁记录介质打下基础.
关键词:
0-FePt薄膜')" href="#">L10-FePt薄膜
有序化温度
底层
多层膜结构 相似文献