(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响

采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词： 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层     

利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L10-FePt薄膜

利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了［FePt/Au］₁₀多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力（H_C）、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明：FePt/Au多层膜在退火后具有较高的H_C、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明：Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 垂直磁各向异性 磁交换耦合作用     

NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响

以NiFeNb为种子层，制备(Ni₇₉Fe₂₁)_1-xNb_{x(5nm)/(Ni79Fe21) (20nm)/Ta(3nm)系列膜，并对其颗粒大小、 磁滞回线及表面粗糙度等进行测量，探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果 表明，以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构. Nb含量为23％时的磁滞回线有最 小的最大磁能积、矫顽力.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因 素造成种子层具有不同的表面粗糙度，进而使坡莫合金具有不同的微结构和磁性能. 关键词： NiFeNb种子层 坡莫合金 磁滞回线 粗糙度}     

Bi底层对FePt薄膜的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜，经不同温度真空热处理得到L1₀-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力H_c的影响.实验结果表明：以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序，同时其H_c也有大幅度提高，并且可以在更大成分范围内获得H_c较高的L1₀-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况，利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高. 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 底层 扩散     

具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜的交换偏置

采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜.研究结果表明,多层膜的垂直交换偏置场Hex和反铁磁层厚度的关系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期数的增加,垂直交换偏置场Hex相应减小,并且与铁磁层的调制周期数近似成反比关系.(Pt/Co)3/FeMn的垂直交换偏置场Hex已经达到22.3kA/m.为了进一步提高Hex,在Co/FeMn的界面插入Pt层,当Pt层厚度为0.4nm时,Hex达到最大值39.8kA/m.     

具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜的交换偏置

采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)_n/ FeMn多层膜.研究结果表明，多层膜的垂直交换偏置场H_ex和反铁磁层厚度的关 系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期 数的增加，垂直交换偏置场H_ex相应减小，并且与铁磁层的调制周期数近似成反 比关系.(Pt/Co)₃/FeMn的垂直交换偏置场H_ex已经达到22.3kA/m.为 关键词： 交换偏置 垂直各向异性 多层膜     

Cu掺杂对FexPt1－x薄膜有序化的影响

利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(Fe_xPt_1-x)_100-yCu_y(x=0.46—0.56,y=0,0.04,0.12) 样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt的原子比.实验结果表明，当x>0.52时，样品中添加Cu不能促进FePt的有序化，但是对于FePt化学原子定比或富Pt的样品，添加Cu可以促进FePt有序化，而且随着Fe含量的减少，需要更多的Cu添加才能实现较低温度下FePt薄膜的有序化.实验结果表明，原子比(FeCu)/Pt达到1.1—1.2的范围时，即可实现较低温度的有序化. 关键词： 0-FePt有序相')" href="#">L1₀-FePt有序相 磁控溅射 有序度 Cu掺杂     

超薄Fe层在反铁磁NiO(001)面上沉积的研究

通过分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积(PLD)方法，将1—10个Fe原子层(ML)以楔形方式沉积到反铁磁单晶NiO(001)基片上.表面磁光克尔效应的原位测试结果表明：通过MBE沉积的Fe原子层在Fe/NiO界面处产生了约2ML的磁死层；而通过PLD沉积的Fe原子层在Fe/NiO界面处产生了约3ML的磁死层.X射线光电子能谱对Fe/NiO界面进行研究的结果表明，在Fe原子与单晶NiO间发生了界面化学反应. 关键词： 磁性薄膜 表面磁性 X射线光电子能谱     

Ag和Ti底层对[Fe/Pt]n多层膜有序化的影响

利用磁控溅射的方法，在热玻璃基片上制备了以Ag，Ti，Cu，Cr，Pt和Ta为底层的［Fe/Pt］_n多层膜，后经不同温度真空热处理，得到L1₀有序结构的FePt 薄膜（L1₀-FePt）.实验结果表明，以Ag和Ti为底层，通过采用基片加温，同时 利用［Fe/Pt］_n多层膜结构，可以促进FePt薄膜的有序化过程，使FePt-L1_０有序化温度从500℃降低到350℃.在较高的温度下退火，以Ag为底层对薄膜的磁性 能影响较小，而以Ti为底层在高于500℃退火后，矫顽力明显下降.在400℃退火20min后，以 Ag和Ti为底层的样品平行膜面的矫顽力分别达到597kA/m和645kA/m，剩磁比分别达到0.81和 0.94，为将来FePt-L1_０有序相合金薄膜用于未来超高密度磁记录介质打下基础. 关键词： ０-FePt薄膜')" href="#">L1_０-FePt薄膜 有序化温度 底层 多层膜结构     

退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响

通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明,真空退火对自旋阀的性质有影响.低于200℃的退火能有效的提高钉扎场;退火温度高于200℃时,自旋阀的钉扎场要下降,其他性能也恶化;在300℃时,钉扎场降为零,giantmagnetoresistance(GMR)现象消失.俄歇电子能谱仪(AES)的结果表明,在自旋阀多层膜中存在着晶界扩散 关键词： 真空退火 自旋阀 晶界扩散