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用混溶蒸发法制备出高聚物(PEO)_n-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜。并详细测量它们在0.1350MPa静水压范围的复阻抗谱,以及在0.1-2400MPa静水压范围的交流电导率。结果表明:离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应,PEO结晶相的压力效应和析出新相CuBr_2的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加(PEO)_n-CuBr_2薄膜的弹性,使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。 相似文献
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研究了Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dTc/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现Tc的压力导数随着ca2+含量的增加而下降,分析了氧含量对Tc和dTc/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO2面在超导电性上的作用,用CuO2面之间耦合解释Tc(P)曲线的非线性关系。
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa2Cu3O7-δ和Y0.9Eu0.1Ba2·Cu3O7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),Jc(T)和Ueff(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa2Cu3O7-δ相比,Y0.9Eu0.1·Ba2Cu3O7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。
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报道在超声射流冷却条件下用同步辐射VUV光源研究CH2Br2的振动自电离结构.根据测量的105—123nm范围内母体离子(CH2Br2+)的光电离产率曲线,获得CH2Br2的绝热电离势为10.23±0.01eV.CH2Br2+的最低三个电子激发态,即A(2A2),B(2B1),C(2A1)分别位于10.78±0.01eV,11.20±0.01eV和11.27±0.01eV.在115.01—121.15nm范围内,观察到CH2Br2自电离峰叠加在若干台阶结构上,台阶平均宽度为716.8±40.0cm-1,对应于CH2Br2+(X2B2)中Br-C-Br反对称的伸缩振动(v9),所有的峰均归属为收敛于CH2Br2+(X2B2,v+)振动能级的ns,np和nd自电离Rydberg态.此外,对CH2Br2光解离电离产生离子型自由基CH2Br+(X)的光电离产率曲线的结构也进行了归属
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对Y-系(123)相超导材料的微波焊接进行了初步研究,结果表明微波快速焊接后的试样,经960℃空气中退火15h后炉冷,其Tc可恢复至89.7K,比焊接前试样的Tc低1.6K。利用电子探针对焊接前后样品的显微结构进行了比较,发现焊区组织致密,但在后处理过程中超导相发生了再结晶,导致焊缝变宽,气孔因聚集而变大。同时用电子微探针分析仪发现,焊接后焊区普遍存在Y2BaCuOx相、Ba2-yCuy
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通过制备(YBa2Cu3O7)1-x(V2O5)x(0≤x≤0.15)复合材料,获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体,其中以dR/dT-T关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变,第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品,其临界电流密度一致地符合ic~(1-t)n,n=1.6.这一行为与三维Josephson结网络系统的渗流行为相一致;对于不具有双峰转变的系统,临界电流密度随温度的变化尽管也可以用jc~(1-t)n描述,但是幂指数n明显地大于1.6,且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。
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用第一原理的LDF-LMTO-ASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=1.6eV及Eg=1.5eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=0.5.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变
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