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用于高TcrfSQUID的高Tc超导平面谐振器 总被引:1,自引:1,他引:0
我们设计并制备了用于高TcrfSQUID的超导平面谐振器,并测量了其谐振参数。实验表明,超导平面谐振器与分立元件式谐振器相比具有很高的品质因数,约为1000-6000。通过调节衬底材料,设计尺寸可以调节谐振频率。 相似文献
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我们在STO台阶基片上,采用脉冲激光沉积(PLD)和直流磁控溅射法制备出YBCO外延超导薄膜,采用普通的光刻技术得到DCSQUID图形.器件的IV曲线具有RSJ模型描述的上翘特征;三角波调制幅度峰峰值大于4μV,磁场灵敏度优于1pT/Hz(白噪声区);9个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到67%. 相似文献
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本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器(rfSQUID).液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到2.0×10-4Φ0/Hz和294fT/Hz.涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达10个月,经历了30次以上(个别器件达50次)测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性.通过研究,解决了制备rfSQUID器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到30%~50%. 相似文献
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本文给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中,在半空间均匀条件下高TcSQUID所探测到的二次场B(t)的解析表达式,将高TcSQUID与常规感应探头作了对比.结果展示了在长偏移距(LOTEM)方法和磁偶极源探测深埋层的大体积金属矿体时,高TcSQUID有明显的优越性. 相似文献
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本给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中,在半空间均匀条件下高TcSQUID所探测到的二次场B(t)的解析表达式,将高TcSQUID与常规感应探头作了对比。结果展示了在长偏移距方法和磁偶级探测深埋层的大体积金属矿体时,高TcSQUID有明显的优越性。 相似文献
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简述了磁法找油的思路,指出了在航磁测量中使用高Tc超导磁强计的必要性。采用费曼提出的简化方法,计算了通过双结超导环的最大零电压电流Im,计算结果表明Im随通过环平面的磁通量作周期性变化,周期为一个磁通量子,根据计算结果,简要说明了超导磁强计的工作原理。最后,简要介绍了高Tc dc SQUID的研究进展。 相似文献
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采用离散变分局域密度泛涵( D V L D F) 方法,基于 Tersoff Hamann 的扫描隧道显微镜( S T M) 理论,通过计算单个 C60 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 S T M 图象.计算结果表明,不同取向 C60 的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’,其中模拟正偏压情形下 C60 的最低未占据分子轨道( L U M O) 分布图与其 S T M 图象具有较好的可比性.与实验上已有的 S T M 图象和文献中的理论计算结果比较,可以确定 C60 在一些表面上的吸附取向.根据我们实验上获得的 S T M 图象及理论模拟结果,发现 C60 在 Si(111)7 ×7 表面存在一种新的吸附取向,即5 —6 键朝上.计算结果还对 S T M 的实验工作具有一定的指导意义,并可以采用这一方法,用来确定其他分子的吸附取向. 相似文献
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我们采用电子束曝光和氩离子刻蚀技术制备了YBC纳米桥,在此基础上得到高温rfSQUID,器件的磁通噪声为4×10^-4Φ/√Hz,磁场分辨率为2.0pT/√Hz,对没有三角波的器件,经过EDTA后腐蚀技术对纳米进行弱化处理,部分器件出现了三角波。 相似文献
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本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Nb/AlOxAl/Nb的制备.借助于SEM,利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺,并分析了其对铌结特性的影响.结面积为7μm2的铌结具有典型的IV曲线,在4.2K时,他们的特性参数Vm~20mV,能隙电压Vg~2.7mV,临界电流密度Jc~3000A/cm2,比电阻ρn~1μΩcm2.这些铌结能够被直接应用于dcSQUID. 相似文献
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用SQUID磁强计测得了Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7-δ单晶在外场平行于c轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下,除了磁化强度是可逆的以外,由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约2K处。利用Hao-Clem模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Hc(T)和金兹堡-朗道参数k。其它超导参数由Hc(T)和k推得,比较YBa2Cu3O7-δ的热力学参数,讨论了Pr离子的效应 相似文献
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在优化YBCO薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Jc和结的正常态电阻Rn与结宽的关系的基础上,在角度差为28度的YSZ双晶基片上设计和制作了双晶结DC SQUID。双晶结的I-V特性基本符合RSJ模型,结宽为4μm的双晶结的正常态电阻Rn为2.4Ω,在23.4GHz微波辐射场中观察到Shaprio微波感应台阶。所研制的结宽为4μm的双晶结的DC SQUID最大电压调制深度为15μV,特征电压Ic 相似文献
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在1998年2月20日出版的期刊《Science》上,同时发表了3篇关于高温超导的文章.其一是Anderson关于层间隧穿(ILT)模型的理论文章[1];其二是Anderson的同事们的关于Tl2Ba2CuO6+δ(Tl-2201)SQUID显微图像... 相似文献