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YBCO薄膜双晶结DC SQUID的研制
引用本文:黄明强,陈烈.YBCO薄膜双晶结DC SQUID的研制[J].低温物理学报,1996,18(4):288-293.
作者姓名:黄明强  陈烈
作者单位:中国科学院物理研究所国家超导重点实验室,中国科学院物理研究
摘    要:在优化YBCO薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Jc和结的正常态电阻Rn与结宽的关系的基础上,在角度差为28度的YSZ双晶基片上设计和制作了双晶结DC SQUID。双晶结的I-V特性基本符合RSJ模型,结宽为4μm的双晶结的正常态电阻Rn为2.4Ω,在23.4GHz微波辐射场中观察到Shaprio微波感应台阶。所研制的结宽为4μm的双晶结的DC SQUID最大电压调制深度为15μV,特征电压Ic

关 键 词:双晶结  YBCO  薄膜  SQUID
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