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对于采用电感耦合谐振回路的200MHz 高温超导YBCOrfSQUID 系统,我们测量了它的输出电压偏置电流幅度的特性曲线( 即VTIrf 曲线) ,发现当rf SQUID 工作在非回滞模式并且采用混频器作为检波器时,曲线的形状与通常所观察到的VTIrf 曲线有显著的不同,我们认为这是相位信号和振幅信号共同作用的结果,根据这一思想我们选用高温超导rf SQUID参数并利用低温超导rf SQUID 理论进行一些模拟计算,获得和实验非常一致的结果,这说明低温超导rf SQUID 理论仍可用来解释一些高温超导rf SQUID实验现象 相似文献
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在优化YBCO薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Jc和结的正常态电阻Rn与结宽的关系的基础上,在角度差为28度的YSZ双晶基片上设计和制作了双晶结DC SQUID。双晶结的I-V特性基本符合RSJ模型,结宽为4μm的双晶结的正常态电阻Rn为2.4Ω,在23.4GHz微波辐射场中观察到Shaprio微波感应台阶。所研制的结宽为4μm的双晶结的DC SQUID最大电压调制深度为15μV,特征电压Ic 相似文献
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本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器(rfSQUID).液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到2.0×10-4Φ0/Hz和294fT/Hz.涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达10个月,经历了30次以上(个别器件达50次)测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性.通过研究,解决了制备rfSQUID器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到30%~50%. 相似文献
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用于高TcrfSQUID的高Tc超导平面谐振器 总被引:1,自引:1,他引:0
我们设计并制备了用于高TcrfSQUID的超导平面谐振器,并测量了其谐振参数。实验表明,超导平面谐振器与分立元件式谐振器相比具有很高的品质因数,约为1000-6000。通过调节衬底材料,设计尺寸可以调节谐振频率。 相似文献
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我们采用电子束曝光和氩离子刻蚀技术制备了YBC纳米桥,在此基础上得到高温rfSQUID,器件的磁通噪声为4×10^-4Φ/√Hz,磁场分辨率为2.0pT/√Hz,对没有三角波的器件,经过EDTA后腐蚀技术对纳米进行弱化处理,部分器件出现了三角波。 相似文献
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本文给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中,在半空间均匀条件下高TcSQUID所探测到的二次场B(t)的解析表达式,将高TcSQUID与常规感应探头作了对比.结果展示了在长偏移距(LOTEM)方法和磁偶极源探测深埋层的大体积金属矿体时,高TcSQUID有明显的优越性. 相似文献
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本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Nb/AlOxAl/Nb的制备.借助于SEM,利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺,并分析了其对铌结特性的影响.结面积为7μm2的铌结具有典型的IV曲线,在4.2K时,他们的特性参数Vm~20mV,能隙电压Vg~2.7mV,临界电流密度Jc~3000A/cm2,比电阻ρn~1μΩcm2.这些铌结能够被直接应用于dcSQUID. 相似文献
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本给出了在瞬变电磁法大地电磁测量中,在半空间均匀条件下高TcSQUID所探测到的二次场B(t)的解析表达式,将高TcSQUID与常规感应探头作了对比。结果展示了在长偏移距方法和磁偶级探测深埋层的大体积金属矿体时,高TcSQUID有明显的优越性。 相似文献
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本工作用数值计算及拟合方法得到了双张弛振荡SQUID(DROS)的磁通-电压转换系数及磁通热噪声表达式。在欠阻尼近似下本征磁通噪声与温度的关系为T^3/5,与张弛频率近似有wc^-1/2的关系。 相似文献
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双晶衬底晶界的显微研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在空气中加压烧制了钇稳定氧化锆(YSZ)双晶衬底,利用光学显微镜和透射电镜对其晶界进行了观察,以了解其与衬底上YBCO晶界结超导弱连接性能的关系。我们发现晶界在光学显微镜下清楚笔直,在透射电镜高分辨像下原子排列很规则,晶界宽度约一个纳米。同时,在晶界结性能差的双晶衬底上,发现了十分之一微米量级的被非晶态物质填充的孔洞。 相似文献
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我们在STO台阶基片上,采用脉冲激光沉积(PLD)和直流磁控溅射法制备出YBCO外延超导薄膜,采用普通的光刻技术得到DCSQUID图形.器件的IV曲线具有RSJ模型描述的上翘特征;三角波调制幅度峰峰值大于4μV,磁场灵敏度优于1pT/Hz(白噪声区);9个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到67%. 相似文献
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