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在简易磁屏蔽室中,用单通道的高温超导rf SQUID梯度计构成心磁图(MCG)测量系统,依照MCG测定部位的约定,测得数例成人胸前多点MCG.不计心动周期随时问的变化,用数据分析软件对这些MCG数据进行分析处理,得到包括了空间信息、可直观展示心脏电磁活动的二维心磁图谱(例如等磁图、时序等磁图、电流箭头图和时序电流箭头图等) 相似文献
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制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(~900℃)和中温区(~750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc~35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考. 相似文献
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采用矩阵奇异值分解(singular value decomposition, SVD)的方法,对高温射频超导量子干涉仪(HTc rf-SQUID)采集到的单通道心磁信号进行处理.证明了对于近似周期性的心磁信号,在无参考噪声的情况下矩阵奇异值分解的方法与自适应窄带陷波相结合有较好的消除广谱噪声的效果.
关键词:
高温射频超导量子干涉仪
心磁信号
奇异值分解
噪声消除 相似文献
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本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器(rfSQUID).液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到2.0×10-4Φ0/Hz和294fT/Hz.涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达10个月,经历了30次以上(个别器件达50次)测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性.通过研究,解决了制备rfSQUID器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到30%~50%. 相似文献
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A new high-T_c (HT_c) rf SQUID working at around 1.3GHz has been developed to avoid electromagnetic interference such as growing mobile communication jamming. This new system works in a frequency range from 1.23 to 1.42GHz (centred at 1.3GHz), which is not occupied by commercial communication. The sensor used in the 1.3GHz rf SQUID is made of a HT_c coplanar superconducting resonator and a large-area HT_c superconducting film concentrator. We have achieved in the 1.3GHz HT_c rf SQUID system a minimal flux noise of 2.5×10^{-5}Φ_0/\sqrt{Hz} and a magnetic field sensitivity of 38fT/\sqrt{Hz} in white noise range, respectively. The effective area of the concentrator fabricated on a 15×15mm^2 substrate is 1.35mm^2. It is shown that the 1.3GHz rf SQUID system has a high field sensitivity. Design and implementation of 1.3GHz HT_c rf SQUID offers a promising direction of rf SQUID development for higher working frequency ranges. 相似文献
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利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用;省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc~35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0T)=3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路. 相似文献