C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟

采用离散变分局域密度泛涵(DV-LDF)方法,基于Tersoff-Hamann的扫描隧道显微镜(STM)理论,通过计算单个C₆₀五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其STM图象．计算结果表明,不同取向C₆₀的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’,其中模拟正偏压情形下C₆₀的最低未占据分子轨道(LUMO)分布图与其STM图象具有较好的可比性.与实验上已有的STM图象和文献中的理论计算结果比较,可以确定C₆₀在一些表面上的     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

H2和CO在Pd（110）上的吸附和共吸附

应用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＬＥＥＤ和ＴＤ研究了ＣＯ和Ｈ２在Ｐｄ（１１０）上在室温下的吸附与并吸附。ＣＯ在Ｐｄ（１１０）上随暴露量增加至饱和，吸附位由β１态向β２态变化，相应的ＸＰＳＣ（１ｓ）峰由２８５．３ｅＶ向高结合能方向位移至２８５．７ｅＶ。     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

ZnS(111)表面电子结构研究

利用Ｍｕｆｉｎ-Ｔｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．理论态密度曲线与ＺｎＳ（１１１）表面同步辐射光电子能谱相符合     

CdTe(111)表面碱金属吸附的电子结构特性研究

从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方面，首先采用线性糕模轨函数（ＬＭＴＯ）方法对ＣｄＴｅ（１１１）表面的Ｋ吸附电子结构特性作了研究，得出了与实验符合的结果．对碱金属在ＣｄＴｅ（１１１）表面的吸附电子结构特性系统对比研究表明ＣｄＴｅ（１１１）表面的碱金属吸附特性不仅受碱金属原子序数的影响，而且与碱金属原子的内层电子组态有关 关键词：     

液晶显示用取向材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯的光控取向研究

通过实验研究了光聚合物材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯（ＣＥＭＣ）的光化学反应过程, 以及对液晶材料ＬＣ－６７１０Ａ 的取向能力． 通过原子力显微镜（ＡＦＭ）观察了取向层表面在光化学反应前后的变化, 测量了光控取向膜液晶盒中液晶分子的预倾角及单面光控取向扭曲向列液晶显示器（ＴＮＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性曲线, 研究了液晶分子排列取向的机理．     

银溶胶催化的对苯二胺及其衍生物的氧化和表面增强Raman散射研究

本文研究了对苯二胺及其衍生物，ＣＤ－２，ＣＤ－３，ＣＤ－４，和ＴＭＰＰＤ的还原型和化型在小金属银颗粒表面的作用。它们的还原型吸附在小银簇表面不能产生表面增强Ｒａｍａｎ散射（ＳＥＲＳ）效应，但它们的氧化型吸附在小金属银颗粒表面，给出稳定的ＳＥＲＳ谱图。文中重点讨论了ＣＤ－２的情况。实验表明，ＣＤ－２的半氧化产物（半醌自由基）通过离域键与小银簇进行作用。本文也讨论了小银簇在催化反应过程中的生长。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

ZnS∶TM(TM=Mn,Cu)纳米微粒的光学性质研究

采用溶胶凝胶法合成ＺｎＳ∶ＴＭ（ＴＭ＝ Ｍｎ, Ｃｕ）水溶胶, 研究了它们的光学性质． 通过吸收光谱计算得到微粒的尺寸约为３～４ｎｍ ． 光致发射光谱中给出了所对应掺杂中心的发射带, 其能量来源于基质ＺｎＳ的吸收． 通过旋涂法制备了ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒ＥＬ器件, 测定了其启动电压和耐压值以及ＥＬ光谱强度与电压的关系, 初步探讨了可能的发光机理     

双波长倍增差示法测定双嘧啶片中磺胺嘧啶和甲氧苄啶的含量

本论述了双波长倍增差示法同时测定了双嘧啶片中磺胺嘧啶（ＳＤ）和甲氧苄啶（ＴＭＰ）的含量，本法是基于测定标准溶液ＳＤ（８～１４）×１０＾－６ｇ／ｍＬ，ＴＭＰ（１～２）×１０＾－６ｇ／ｍＬ，和样品溶液在２４２．５ｎｍ和２２８．０ｎｍ处的吸收度。ＳＤ和ＴＭＰ的平均回收率与ＲＳＤ分别为１００．６０％，０．３３％，和９８．２７％，１．５８（ｎ＝２０）。本法简便快捷，结果满意。     

基于扩散速度方法粘性流场的离散涡数值模拟

基于扩散速度方法粘性流场的离散涡数值模拟吴文权，李春，卜千里（上海机械学院上海２０００９３）关键词：扩散速度模型，粘性流场，离散涡方法。ＮＵＭＥＲＩＣＡＬＳＩＭＵＬＡＴＩＯＮＯＦＶＩＳＣＯＵＳＦＬＯＷＦＩＥＬＤＳＵＳＩＮＧＤＩＦＦＵＳＩＯＮＶＥＬＯＣ...     

密度泛函理论的若干进步

密度泛函理论（ＤＦＴ）作为处理非均匀相互作用多粒子体系的近似方法已经在计算凝聚态物理、计算材料科学和计算量子化学诸多领域取得巨大成功并获得广泛应用。然而它也存在一些被广泛关注的弱点或困难。例如关于激发态问题,强关联问题和处理大原子数复杂体系方面的困难。本将针对ＤＦＴ在以上三方面的问题,评述近年来的主要努力和进展。着重量介绍最近发展的含时间密度泛函理论（ＴＤＦＴ）,它有可能发展成为处理激发态问题的标准方法。关于强电子关联体系的处理,主要介绍ＬＤＡ以外的新发展,包括ＬＤＡ＋＋方法和计及动力学平均场理论的ＬＤＡ＋ＤＭＦＴ方法。最后,评述ＤＦＴ框架内的线性标度Ｏｒｄｅｒ－Ｎ算法的物理基础和主要策略。该算法将在处理大原子数复杂体系问题上发挥重要作用。     

多重散射团族理论对CO／NiO（100）NO／NiO（100）吸附系统的分析与比较

用多理散射团族（ＭＳＣ）理论对ＣＯ／ＮｉＯ（１００）和ＮＯ／ＮｉＯ（１００）吸附系统的Ｃ１ｓ近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）和Ｎ１ｓ ＮＥＸＡＦＳ谱进行了详细的计算和分析。理论计算表明ＣＯ／ＮｉＯ（１００）是弱物理吸附,ＣＯ分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖Ｃ－Ｏ键长的变化,ＭＳＣ方法分析表明,ＣＯ是以Ｃ原子朝下,吸附在衬底的Ｎｉ－Ｏ键上,可靠性因子计算显示Ｃ原子的吸附位置距Ｎｉ     

Co3Ti和CoTi的电子结构及结合能

利用紧束缚线性ｍｕｆｉｎ-ｔｉｎ轨道（ＴＢ-ＬＭＴＯ）方法，计算了金属间化合物Ｃｏ₃Ｔｉ和ＣｏＴｉ的电子结构．得到了它们的晶格常量与体弹性模量以及结合能．所得结果与实验及其它理论的结果符合得较好． 关键词：     

SCF—Xα—SW程序和LMTO程序的改进及其在固体体系中的应用

在ＹＨ－１／ＹＨ－２计算机上将多重散射Ｘα自洽场方法（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）程序和线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道方法（ＬＭＴＯ）程序做了改进，实现了向量化和并行化。研究了Ｃ６０的能级；计算了苯分子从１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ和１ａ２ｕ开始激发的１０８个Ｒｙｄｂｅｒｇ态单电子轨道激发能，即１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ，１ａ２ｕ→ｋａ１ｇ（ｋ＝３－１１），ｋｅ２ｇ（ｋ＝２－７），ｋｅ１ｕ（ｋ＝３－８），ｋｅ１ｇ（ｋ＝３－５     

低展弦比跨音速轴流风扇转子流场三维数值模拟

应用基于时间推进的有限差分法求解跨音速压气机风扇转子内部三维粘性流场．该方法以新型ＬＵ隐式格式和改良型 ＭＵＳＣＬ ＴＶＤ格式为基础,对三维可压缩雷诺平均 Ｎａｖｉｅ－Ｓｔｏｋｅｓ方程和低雷诺数ｑ－ω双方程湍流模型进行求解．计算得到了ＮＡＳＡ Ｌｅｗｉｓ ６７跨音速、低展弦比轴流风扇转子的性能曲线并重点分析了近最高效率点工况和近失速工况下的内部流场．计算与实验结果的对比表明此方法能够得到三维粘性流场的流动特性且计算精度较高,可用来模拟跨音速风扇转子内部流动．     

LSDA＋U方法对富勒烯内掺稀土原子结构和电子结构的理论研究

在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法（ＬＤＡ）能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。由于这种方法不含参数,被广泛地用于微观体系的研究。但是,在处理的体系中含有局域电子时,由于方法的局限,给出的结果与光电子谱等试验结果符合得并不好。ＬＳＤＡ＋Ｕ方法是局域自旋密度近似的框架下,结合模型哈密顿方法,对局域电子采用哈伯德模型描述,用以改进局域密度近似计算的一种方法。本利用局域密度近似下的离散变分团簇方法（ＤＶＭ）对于内嵌稀土原子的富勒烯Ｅｒ２Ｃ８２、ＴｍＣ８２的电子结构进行了第一性原理的计算。对于体系中所含的稀土原子存在强关联的４ｆ电子,在ＬＤＡ方法计算的基础上,考虑４ｆ电子在位库仑作用,用ＬＳＤＡ＋Ｕ方法了上述体系,得到了可以和ＸＰＳ和吸收谱相比较的结果。     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：