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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Nb/AlOxAl/Nb的制备.借助于SEM,利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺,并分析了其对铌结特性的影响.结面积为7μm2的铌结具有典型的IV曲线,在4.2K时,他们的特性参数Vm~20mV,能隙电压Vg~2.7mV,临界电流密度Jc~3000A/cm2,比电阻ρn~1μΩcm2.这些铌结能够被直接应用于dcSQUID.  相似文献   

2.
王晶  韩冰 《低温物理学报》1998,20(6):401-405
我们在STO台阶基片上,采用脉冲激光沉积(PLD)和直流磁控溅射法制备出YBCO外延超导薄膜,采用普通的光刻技术得到DCSQUID图形.器件的IV曲线具有RSJ模型描述的上翘特征;三角波调制幅度峰峰值大于4μV,磁场灵敏度优于1pT/Hz(白噪声区);9个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到67%.  相似文献   

3.
我们成功地在YSZ双晶衬底上制备了性能优良的高Tc 双晶结rf SQUID.在相同的测量条件下,得到与衬底台阶结rf SQUID 相同或相近的器件性能指标,磁场分辨率达到84fT/Hz1/2 .  相似文献   

4.
用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBADYSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为~2×106A/cm2和~7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力  相似文献   

5.
Study of High-Order Harmonic at VUV/XUVStudyofHigh-OrderHarmonicatVUV/XUV¥ZHUANGDounan;LEIShizhan;YUGuiqiu;RENZhaoyu;MAJingmi...  相似文献   

6.
对于采用电感耦合谐振回路的200MHz 高温超导YBCOrfSQUID 系统,我们测量了它的输出电压偏置电流幅度的特性曲线( 即VTIrf 曲线) ,发现当rf SQUID 工作在非回滞模式并且采用混频器作为检波器时,曲线的形状与通常所观察到的VTIrf 曲线有显著的不同,我们认为这是相位信号和振幅信号共同作用的结果,根据这一思想我们选用高温超导rf SQUID参数并利用低温超导rf SQUID 理论进行一些模拟计算,获得和实验非常一致的结果,这说明低温超导rf SQUID 理论仍可用来解释一些高温超导rf SQUID实验现象  相似文献   

7.
LIUJunhai SHAOZongshu MENGXianlin ZHANGHuaijinZHULi JIANGMinhua(NationalLaboratoryofCrystalMaterials,ShandongUniversity,Jinan250100,China)ReceivedMarch22,1999;RevisedmanuscriptreceivedMarch29,1999DevelopedbyRussianresearchersin1992,Nd∶GDVO4isapotenti…  相似文献   

8.
MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带   总被引:2,自引:0,他引:2  
本报道了用MOCVD静态和动态沉积两种工艺制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)3、Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,O2气为反应剂,高纯Ar气为载流气体,在静止和以10-15cm/h带速移动的金属银基体上,制出了有强烈c-轴取向的YBCO超导带。静态沉积样品的Jc达到1.04×10^4A/cm^2,动态沉积样品的Jc达到1.4×10^4A/cm^2(78K,0T)。对改…  相似文献   

9.
SaturableExcitedStateAbsorptionofCr4+YAGforQ┐switchingNdYAGLaserWANXiaokeLINLihuangOUYANGBinDINGYanhuaXUJunDENGPeizhen(Shang...  相似文献   

10.
用激光分子束外延的YBCO薄膜制备高稳定性DC-SQUID   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光分子束外延法在高约250nm的STO台阶衬底和36.8°双晶衬底上外延厚度为200~230nm的YBCO超导薄膜,用常规的光刻工艺制出DCSQUID图形.器件进入超导态后,正常态电阻不随温度改变.在恒定偏流,77K温度下,磁通白噪声为2.0×10-4Φ0/Hz.经过40次室温与液氮温度间循环后,观察不到任何性能的改变  相似文献   

11.
TunableSolid-StateLaserUsingOrganicDyeDCMDopedORMOSIL¥YEHui;HUWentao;JIANGZhonghong(ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics...  相似文献   

12.
我们把交流偏置反转技术应用于dcSQUIDs,观察了各级波形,测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下YBCO双品结dcSQUIDs磁通噪声功率谱密度曲线.交流偏置使1/f噪声显著降低,在SHz下的磁通噪声功率谱密度由1×10-6Φ20/Hz降到了3×10-8Φ20/Hz.  相似文献   

13.
用文献[1,2,8]介绍的方法推导了N2分子的基态(X^1Σg^+)的激发态(A^3Σu^+和B^3Пg)的合理离解极限。计算并比较了在6-311G^*基集合,UHF、CID、UCISD和QCISD水平下N2分子上述三个电子态的平衡结构和谐振频率;并用QCISD/6-311G^*计算了各态的系列单点势能值,由正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数得到了相应各态的完整势能函数,结果与实验数计  相似文献   

14.
本报道用MOCVD方法在以15cm/hr速度连续走带的Ag/Ai复合基体上制备YBCO超导带的结果。所有YBCO超导带的Jc值为1.3×10^4A/cm^2;样品主相为YBCO123,呈强烈c-轴取向,其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为2.8°;另外,还含有少量Y2BaCuO5和BaCuO2杂相,本还用SEM和EDX对样品沉积层进行了观测分析。  相似文献   

15.
用文献[1,2,8]介绍的方法推导了N2分子的基态(X1Σ+g)和激发态(A3Σ+u和B3Πg)的合理离解极限。计算并比较了在6-311G基集合,UHF、CID、UCISD和QCISD水平下N2分子上述三个电子态的平衡结构和谐振频率;并用QCISD/6-311G计算了各态的系列单点势能值,由正规方程组拟合Murrel-Sorbie函数得到了相应各态的完整势能函数,结果与实验数计算值符合得比较好。  相似文献   

16.
2DNMR在波谱学的化学应用中占据首要位置。本文简述了COSY,LRCOSY,COSYDEC,SECSY,DQC-COSY,RCT,INADIQUATE,RELAY,INVERSE,NOESY,HOESY,OHAHA,ROESY,HMQC,HMBC等谱的形状,指认步骤及其应用。  相似文献   

17.
TOROIDALSHEARFLOWDRIVIENINSTABILITYL.HuangN.DingG.D.JianSouthwesternInstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,ChinaABSTRACT...  相似文献   

18.
我们发展了一种简易的、无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结的新型工艺,制备过程简单,重复性好,成功率高,结面积在20μm×20μm~80μm×80μm之间.同时,我们测量了内禀结的直流I~V特性,得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流I~V特性曲线  相似文献   

19.
Two-dimensionalCompactPerfectShuffleOpticalInterconnection¥ZHANGErping;YUChongxiu;ZHOUJing;XUDaxiong(BOX163#,DepartmentofAppl...  相似文献   

20.
本文首次报导了CuPc/InP,H2Pc/InP(O/I)异质结的整流(J-V)特性和电容电压(C-V)特性,并研究了O/I界面态对CuPt LB膜Raman光谱的影响,这种影响导致了CuPc LB膜分子产生了新的正则振动模。  相似文献   

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