| C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟 |
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| 引用本文： | 李群祥,杨金龙,侯建国,汪克林,朱清时.C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟[J].物理学报,1999,48(8):1477-1483. |
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| 作者姓名： | 李群祥 杨金龙 侯建国 汪克林 朱清时 |
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| 摘 要： | 采用离散变分局域密度泛涵（ Ｄ Ｖ Ｌ Ｄ Ｆ） 方法，基于 Ｔｅｒｓｏｆｆ Ｈａｍａｎｎ 的扫描隧道显微镜（ Ｓ Ｔ Ｍ） 理论，通过计算单个 Ｃ６０ 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 Ｓ Ｔ Ｍ 图象．计算结果表明，不同取向 Ｃ６０ 的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’，其中模拟正偏压情形下 Ｃ６０ 的最低未占据分子轨道（ Ｌ Ｕ Ｍ Ｏ） 分布图与其 Ｓ Ｔ Ｍ 图象具有较好的可比性．与实验上已有的 Ｓ Ｔ Ｍ 图象和文献中的理论计算结果比较，可以确定 Ｃ６０ 在一些表面上的吸附取向．根据我们实验上获得的 Ｓ Ｔ Ｍ 图象及理论模拟结果，发现 Ｃ６０ 在 Ｓｉ（１１１）７ ×７ 表面存在一种新的吸附取向，即５ —６ 键朝上．计算结果还对 Ｓ Ｔ Ｍ 的实验工作具有一定的指导意义，并可以采用这一方法，用来确定其他分子的吸附取向．
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| 关 键 词： | 碳60 STM图象 吸附取向 理论模拟 |
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