交流偏置的高T_cdcSQUID的1／f噪声

我们把交流偏置反转技术应用于ｄｃＳＱＵＩＤｓ，观察了各级波形，测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下ＹＢＣＯ双品结ｄｃＳＱＵＩＤｓ磁通噪声功率谱密度曲线．交流偏置使１／ｆ噪声显著降低，在ＳＨｚ下的磁通噪声功率谱密度由１×１０－６Φ２０／Ｈｚ降到了３×１０－８Φ２０／Ｈｚ．     

用激光分子束外延的YBCO薄膜制备高稳定性DC-SQUID

利用激光分子束外延法在高约２５０ｎｍ的ＳＴＯ台阶衬底和３６．８°双晶衬底上外延厚度为２００～２３０ｎｍ的ＹＢＣＯ超导薄膜,用常规的光刻工艺制出ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件进入超导态后,正常态电阻不随温度改变．在恒定偏流,７７Ｋ温度下,磁通白噪声为２．０×１０－４Φ０／Ｈｚ．经过４０次室温与液氮温度间循环后,观察不到任何性能的改变     

YBCO沟槽型台阶结和rf SQUID的制备及性能研究

本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ＹＢＣＯ）超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器（ｒｆＳＱＵＩＤ）．液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到２．０×１０－４Φ０／Ｈｚ和２９４ｆＴ／Ｈｚ．涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达１０个月,经历了３０次以上（个别器件达５０次）测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性．通过研究,解决了制备ｒｆＳＱＵＩＤ器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到３０％～５０％．     

稀土元素荧光增强效应的研究─RE对Eu－苯甲酰三氟丙酮－溴化十六烷基三甲基铵体系的荧光增强

本文详细研究了稀土元素Ｌａ３＋、Ｇｄ３＋、Ｔｂ３＋、Ｌｕ３＋、Ｙ３＋及Ｓｃ３＋对铕苯甲酰二氟丙酮（ＢＴＡ）－阳离子表面活性剂体系的荧光增强效应。结果表明，在上述增强离子的分别存在下，体系的荧光强度分别增加１７、７５、６５、５、５５和１８倍，铕浓度在１．０×１０－１０－８．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内与荧光强度成线性关系，最低检出限为１．０×１０－１１ｍｏｌ／Ｌ利用标准加入法测定了混合稀土氧化物中的铕，结果满意。     

YBa2Cu3O7纳米桥rfSQUID

我们采用电子束曝光和氩离子刻蚀技术制备了ＹＢＣ纳米桥，在此基础上得到高温ｒｆＳＱＵＩＤ，器件的磁通噪声为４×１０＾－４Φ／√Ｈｚ，磁场分辨率为２．０ｐＴ／√Ｈｚ，对没有三角波的器件，经过ＥＤＴＡ后腐蚀技术对纳米进行弱化处理，部分器件出现了三角波。     

吩噻嗪卤代衍生物的荧光研究

本主要研究了３－溴－Ｎ－乙基吩噻嗪（Ｂｒ－Ｐ）在各种酸度、增敏溶剂、感光效应等条件下的荧光变换现象,并确定了最佳的发光体系。方法简单、准确可靠,其线性范围为１×１０＾－７￣１×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ,检出限为１×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ,ＲＳＤ〈２．８％。     

Co（1，10－phen·）_3~（2＋）－KIO_4－鲁米诺化学发光体系与应用

本文研究了Ｃｏ（１，１０－ｐｈｅｎ·）３（２＋）配合物对ＫＩＯ４氧化鲁米诺所产生的强化学发光反应．以１，１０－ｐｈｅｎ·为配位体时，Ｃｏ（Ⅱ）的检出限为８×１０（－８）ｇ／Ｌ，工作曲线响应浓度范围在１×１０（－６）～１×１０（－４）ｇ／Ｌ，测定１×１０（－４）ｇ／ＬＣｏ（Ⅱ）离子的相对标准偏差为２．５％．配合物化学发光法检测啤酒、维生素Ｂ（１２）针剂中微量Ｃｏ（Ⅱ）可获得满意结果．     

一种新的共发光体系──铽－钆（钪）－均苯四甲酸体系的研究和应用

本文研究发现铽与均苯四甲酸有强烈的荧光反应，并观察到钆（钪）存在下的共发光现象，研究了该反应的荧光特点和影响因素，确定了反应和测定的最佳条件。钆和钪的引入使原有的铽－均苯四甲酸体系的荧光分别增加了２４０和９５倍。在最佳条件下，对应于钆和钪，铽的浓度分别在５．０×１０－８～３．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ和７．０×１０－８～１．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的范围内与荧光强度成线性关系，检测限分别为２．０×１０－１０和５．０×１０－１０ｍｏｌ／Ｌ采用多点增量标准加入法测定了合成样品和包头稀土样品中的铽。回收试验的回收率为１００．１±０．０１％和９９．１±０．０３％。     

微波辐照TlBaCaCuO外延膜的研究

本文报道了高温超导体ＴｌＢａＣａＣｕＯ外延膜的微波（３６ＧＨｚ）辐照响应特性，在超导转变温区附近，其响应行为基本属于辐射热效应，在Ｔ＝１０７Ｋ附近，其微波响应率可达８．１４Ｖ／Ｗ，等效噪声功率ＮＥＰ约９．１５×１０＾－１１Ｗ／√Ｈｚ实验结果表明，该类器件可望用于宽电磁辐射检测。     

高TcBOLOMETER

章给出了高Ｔｃ超导红外探测器的理论分析；器件设计。并报道了用ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ薄膜制备的红外探测器的实验结果。得到的最好结果是噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）＝１．４×１０＾－１１ＷＨｚ＾－１／２；探测率Ｄ＾＊（５００，１０，１）４．２×１０＾９ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１；响应度Ｒｖ＝１０６５Ｖ／Ｗ。