高成品率台阶结DC—SQUIDs磁强计

我们在ＳＴＯ台阶基片上，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）和直流磁控溅射法制备出ＹＢＣＯ外延超导薄膜，采用普通的光刻技术得到ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件的ＩＶ曲线具有ＲＳＪ模型描述的上翘特征；三角波调制幅度峰峰值大于４μＶ，磁场灵敏度优于１ｐＴ／Ｈｚ（白噪声区）；９个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到６７％．     

微波辐照TlBaCaCuO外延膜的研究

本文报道了高温超导体ＴｌＢａＣａＣｕＯ外延膜的微波（３６ＧＨｚ）辐照响应特性，在超导转变温区附近，其响应行为基本属于辐射热效应，在Ｔ＝１０７Ｋ附近，其微波响应率可达８．１４Ｖ／Ｗ，等效噪声功率ＮＥＰ约９．１５×１０＾－１１Ｗ／√Ｈｚ实验结果表明，该类器件可望用于宽电磁辐射检测。     

自旋霍尔纳米振荡器的非线性动力学及其应用

自旋霍尔纳米振荡器利用电流产生的自旋轨道力矩驱动磁性薄膜中磁矩进行高频进动，能在微纳尺度下实现全电学调控的相干自旋波和微波信号，是一类新型的纳米自旋电子学器件，在信息存储、处理和通信方面具有广泛的应用前景。基于强自旋轨道矩效应，人们近期在各类铁 磁/非磁重金属构成的双层薄膜结构中，已实现了多种不同自旋波模式的电学激发和调控，并对 其复杂的非线性动力学特性进行了深入的探究。基于这些前期的研究结果与最新的进展，我们在 本综述中对“对三角”结构的纳米间隙型、“蝴蝶结”型、纳米线型、垂直纳米点接触型以及阵 列等具有各类器件结构的自旋霍尔纳米振荡器所体现出来的丰富非线性动力学特性进行了详细讨 论与归纳，并对其在新型低能耗量子磁振子自旋器件和非冯诺依曼架构的自旋型人工神经网络计 算方面的潜在应用也进行了探讨。     

二极管激光泵浦Nd：YVO4激光器的频率调谐特性研究

用加热法和压电陶瓷ＰＺＴ调腔的方法，实现二极管激光泵浦的单频运转１０６４ｎｍ２％Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器调谐。调谐范围４７．４ＧＨｚ，增益峰漂移引起的激光频率温度系数２ｖ／２Ｔ＝－１．０４ＧＨｚ／℃，压电陶瓷调谐系数１５０ＭＨｚ／Ｖ。研究了加热影响件性能的情况。     

高次谐波开槽回旋行波放大管自洽非线线数值模拟

在未考虑电子在速率零散，引导中心零散以及波导壁损耗的情况下２四阶龙格库塔法，对均匀截面开槽高次回放大管注波作用进行了数值计算，得出一些重要的互作用规律，电子注绕轴作大回旋运动，在π模式、四次谐波、３５．０５ＧＨｚ、５８ｋＡ、８Ａ、ｖ／ｖ∥＝１．５的情况下，饱和效率达到２４．４％。增益为３４ｄＢ，峰刑罚继１１３．２ｋＷ，饱和带宽为４％。     

YBCO沟槽型台阶结和rf SQUID的制备及性能研究

本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ＹＢＣＯ）超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器（ｒｆＳＱＵＩＤ）．液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到２．０×１０－４Φ０／Ｈｚ和２９４ｆＴ／Ｈｚ．涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达１０个月,经历了３０次以上（个别器件达５０次）测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性．通过研究,解决了制备ｒｆＳＱＵＩＤ器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到３０％～５０％．     

快速光电探测器脉冲响应的电光取样测量

建立了半导体激光器电光取样系统。选择１．３μｍ，ＩｎＧａＡｓ增益开关半导体激光器作为取样光源，利用微带ＧａＡｓ衬底的纵向电光效应作为电光取样器，测量了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明，本系统具有０．３５ｍＶ／√Ｈｚ的电压灵敏度和９ｐｓ的时间分辨率。     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器Ⅱ.实验

在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器实验。建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构参数，完成器件的制作。器件采用共平面行波电极，击穿电压２８Ｖ。用１．０６μｍＹＡＧ激光器进行测试，开关电压８．５Ｖ。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性，测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于３％，且在３０ＧＨｚ下，微波传输损耗小于３０ｄＢ，表明器件的３ｄＢ调制带宽超过３２ＧＨｚ     

高压超快三角波脉冲的产生

本文讨论了使用高压功率晶体管作为开关器件研制的高压超快速斜坡脉冲发生器.得到的脉冲幅值为±1kV,上升时间为10ns,大大提高了脉冲电路的耐大电流冲击性.利用开关器件可耐大电流冲击的特点合成了三角波脉冲,三角波脉冲半宽为10ns左右,通过改变电路参量可得到不同的半宽.     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

串联DC-SQUID阵列的实验研究

本文研究了高温超导３×３并联ＤＣＳＱＵＩＤ串联阵列台阶约瑟夫森结。其性能指标：７７Ｋ下,磁通白噪声为８．９×１０－５Φ０／Ｈｚ,磁场灵敏度在白噪声段为２×１０－１１Ｔ／Ｈｚ．研究表明,约瑟夫森结的并联对衬底台阶晶界结离散性较大的器件参量有很好的补偿作用     

激光二极管列阵侧面泵浦Nd：YLF激光器

报道准连续６０Ｗ激光二极管列阵侧面泵浦Ｎｄ：ＹＬＦ固体激光器的研究结果，当器件的动转重复频率为３０Ｈｚ时，得到４．４ｍＪ的１．０４７μｍ激光输出，光－光转换效率达到１８．３％，斜率效率达２４．４％。声光和电光调Ｑ，得到能量为２．２ｍＪ，脉宽分别为５０ｎｓ和３０ｎｓ的脉冲输出。     

新型超快速三角波脉冲电路的研究

本文讨论了一种新型三角波脉冲发生器,此脉冲发生器是由雪崩晶体管作为开关器件,产生出的三角波脉冲半宽度为3.5ns,上升时间最快达2ns,幅值为±1300V,电路的延迟时间为8.3us。     

B/N掺杂类直三角石墨烯纳米带器件引起的整流效应

基于密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法, 研究了硼(氮)非对称掺杂类直三角石墨烯纳米带器件的电子输运性能. 计算结果表明: 单个硼或氮原子取代类直三角石墨烯纳米带顶点的碳原子后, 增强了体系的电导能力, 并且出现了新颖的整流效应. 分析表明: 这是由于硼氮掺杂类直三角石墨烯纳米带器件在正负偏压下分子能级的移动方向和前线分子轨道空间分布的不对称而产生的. 最重要的是, 当左右类直三角石墨烯纳米带的顶端原子同时被硼和氮掺杂后, 体系的整流效应显著增强, 而且出现负微分电阻效应.     

纳米精度外差干涉仪非线性漂移的研究

在纳米精度外差干涉仪中，由于非线性温度漂移，成为外差干涉仪实现纳米精度测量的重要误差源。本文对差动干涉仪的理论分析得出如下的结论，干涉仪中除了测量光路和参考光路以外，还存在参考光误差分量和测量光误差分量的额外光路，从而引和了干涉混叠，产生非线性漂移：１／４波片的相位延迟量误差和安装是引入非线性漂移的主要因素，其影响程度是一阶的，提高波片对加工精度，并尽量减少其级数可降低非线性漂移。     

微尺度薄膜热导率测试技术

随着器件尺寸进入到微／纳米尺度，其热物性与体材料相比有了很大差别。在器件热性能和可靠性研究过程中，对热导率的测量成为了关键技术之一。本文概述了SiO2、SiNx、金刚石等薄膜在微小型器件中的用途及其热导率测试技术的发展，并进一步总结了用于薄膜热导率测量的常用方法。     

交流偏置的高T_cdcSQUID的1／f噪声

我们把交流偏置反转技术应用于ｄｃＳＱＵＩＤｓ，观察了各级波形，测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下ＹＢＣＯ双品结ｄｃＳＱＵＩＤｓ磁通噪声功率谱密度曲线．交流偏置使１／ｆ噪声显著降低，在ＳＨｚ下的磁通噪声功率谱密度由１×１０－６Φ２０／Ｈｚ降到了３×１０－８Φ２０／Ｈｚ．     

由实验曲线求气体分子速率分布函数

气体分子速率分布函数ｆ（ｖ）＝４／√π（ｍ／２ｋＴ）＾３／２ｖ＾２ｅ－ｍｖ＾２／２ｋＴ，最初是由麦克斯韦用统计理论推导出来的。本文阐述了一种从实验曲线出发寻求这一分布函数的方法，虽不严廑，但过程简单，便于掌握。     

无冲突4端口榕树开关网络的实验研究

提出了一种新型的无冲突４端口榕树型开关网络。采用液晶列阵及偏振棱镜、三角棱镜、波片等光学元件，在光学上实现了这种网络，得到了由４端进到４端出的２４种全排列方式。