重离子物理研究所核药物化学组的12

用放射性核素标记抗肿瘤单克隆抗体（ＭｃＡＢ）一直是核药物化学组的研究重点．研究出一个制备超纯无载体１１１Ｉｎ的方法．通过双功能连接剂ＤＴＰＡ环酐将其标记于抗肿瘤ＭｃＡＢ在临床实验中获得成功．用直接标记法制备的９９Ｔｃ标ＭｃＡＢ片段在诊断胃癌方面性能优良．此外,还进行了两种标记法的方法学及Ｔｃ和Ｒｅ的配位化学研究．用加速器质谱计（ＡＭＳ）研究化学物质与ＤＮＡ的加合作用及其遗传毒性是另一个研究方向．已测定过的化学物质有烟碱、烟碱衍生物ＮＮＫ、抗蚜威等,灵敏度达到每１００亿个ＤＮＡ分子中１个加合物.The labeling of anti tumor monoclonalantibodies (McAB) with radionuclides has been regarded as our main aim in the past 12 years. A procedure of preparation of ultrapure carrier free 111 In has been developed. Anti tumor McABs labeled with 111 In via a bifunctional conjugating agent (DTPA cycloanhydride) were used successfully in clinical trials. 99m Tc labeled McAB fragments prepared by a direct method were also proved very powerful in diagnosis of gastric carcinoma...     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

图G的关联矩阵A与基本回路矩阵Bf之间关系的一种表示

根据图Ｇ的关联矩阵Ａ与图Ｇ关于某一生成树Ｔ的完全回路矩阵Ｂ之间的联系，导出关联矩阵Ａ与生成树Ｔ的基本回路矩阵Ｂ之间关系的的一种表示，Ｂｆ＝（Ｉ２Ａ＾Ｔｃ（Ａ＾Ｔｆ）＾－１），其中Ｉ为ｎｅ－ｎｖ＋１阶单位矩阵，Ａｃ对应生成树Ｔ的连枝集，Ａｔ对应生成树下Ｔ的树枝。     

菱钾沸石中铝在不等价四面体位上分布的^29SiMASNMR谱研究

根据菱钾沸石＾２９ＳｉＭＡＳＮＭＲ实验讨论了骨架Ｓｉ／Ａｌ比（Ｒ）和Ａｌ在两种不等价四面体位分配比率（ｒ）二者之间必须满足的关系，对于合成原粉，Ａｌ择优占据ＴＢ位；用（ＮＨ４）２ＳｉＦ６同晶取代脱铝，ＴＢ位上的Ａｌ择优解脱。     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

柠檬酸盐热解法制备YBa2Cu3O7—δ超导体及其性能研究

本采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉，在份调节和粒度控制方面具有独到之处。用这种粉末合成的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１，２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０＾５（Ａ／ｃｍ＾２），制备中烧结时间短，温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法。     

二（2,4,4—三甲基戊基）膦酸稀土配合物的振动光谱

测定了二（２，４，４－三甲基戊基）膦酸（ＢＴＭＰＰＡ）及其稀土配合物Ｌｎ（ＢＴＭＰＰ）３在４０００～５０ｃｍ＾－１光谱区内的ＦＴ－ＩＲ光谱和部分配合物的激光拉曼光谱，对其谱带进行了经验归属。发现稀土氧键具有较高的离子键特性。由Ｌｎ－Ｏ伸缩振动频率值算出其近似力常数约８ｍ ｄｙｎ／ｎｍ。     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

Tm^3＋掺杂的MFT玻璃上转换发光及光学增益

报道了一种新型ＭＦＴ（Ｍｕｌｔｉ－Ｆｌｕｏｒｉｄｅ－Ｔｅｌｌｕｒｉｄｅ）玻璃材料（组份为５０ＴｅＯ２－１９．７ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ－０．３Ｔｍ２Ｏ３）的制备方法,测量了６５０ｎｍ激发下Ｔｍ＾３＋离子掺杂在ＭＦＴ玻璃材料中源于＾１Ｄ２→＾３Ｈ６（４７６ｎｍ）跃迁的两组蓝色上转换发光研究了上转换发光强度随激光率的变化关系,并且首次应用ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅ     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜     

单源溶液超声波雾化MOCVD法在Ag基体上制备YBCO膜

本报道了用单溶液超声波雾化ＭＯＣＶＤ工艺在金属Ａｇ基体上制备了ＹＢＣＯ超导膜的结果。将Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２按要求比例溶于四氢呋喃中，经超声波雾化，通过毛细管送入蒸发室，随即进入沉积室，在Ａｇ基体上沉积ＹＢＣＯ。该技术有效地简化了ＣＶＤ过程，提高了所制样品的再现性。ＸＲＤ分析表明，ＹＢＣＯ膜具有较好的ｃ－轴取和向单相性。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）样品的ＣｕＯ面内和ＣｕＯ面外的电阻率ρｃ（Ｔ）和ρａｂ（Ｔ）．发现ρｃ（Ｔ）和各向异性比（ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ））随着载流子浓度增加而迅速下降．在过掺杂样品中，高于１２０Ｋ时，ρｃ随温度线性下降，而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系．ρｃ（Ｔ）和ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ）的值可以用Ａｌｅｘａｎｄｒｏｖ和Ｍｏｔ建立的双极化子模型很好地加以拟合     

动态MOCVD法在Ag／Ni复合基体上连续制备YBCO超导带

本报道用ＭＯＣＶＤ方法在以１５ｃｍ／ｈｒ速度连续走带的Ａｇ／Ａｉ复合基体上制备ＹＢＣＯ超导带的结果。所有ＹＢＣＯ超导带的Ｊｃ值为１．３×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２；样品主相为ＹＢＣＯ１２３，呈强烈ｃ－轴取向，其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为２．８°；另外，还含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５和ＢａＣｕＯ２杂相，本还用ＳＥＭ和ＥＤＸ对样品沉积层进行了观测分析。     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。