MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜     

动态MOCVD法在Ag／Ni复合基体上连续制备YBCO超导带

本报道用ＭＯＣＶＤ方法在以１５ｃｍ／ｈｒ速度连续走带的Ａｇ／Ａｉ复合基体上制备ＹＢＣＯ超导带的结果。所有ＹＢＣＯ超导带的Ｊｃ值为１．３×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２；样品主相为ＹＢＣＯ１２３，呈强烈ｃ－轴取向，其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为２．８°；另外，还含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５和ＢａＣｕＯ２杂相，本还用ＳＥＭ和ＥＤＸ对样品沉积层进行了观测分析。     

在织构Ag基带上制备YBa2Cu3O7-δ超导膜

在织构Ａｇ基带上用脉冲激光方法沉积ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导膜,直流电阻法测量超导膜的临界电流密度为４×１０＾５Ａ／ｃｍ＾２。结合生成膜的结构分析,对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体在Ａｇ基带上的生长机制进行讨论。     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

二维核磁共振谱解析及其应用

２ＤＮＭＲ在波谱学的化学应用中占据首要位置。本文简述了ＣＯＳＹ，ＬＲＣＯＳＹ，ＣＯＳＹＤＥＣ，ＳＥＣＳＹ，ＤＱＣ－ＣＯＳＹ，ＲＣＴ，ＩＮＡＤＩＱＵＡＴＥ，ＲＥＬＡＹ，ＩＮＶＥＲＳＥ，ＮＯＥＳＹ，ＨＯＥＳＹ，ＯＨＡＨＡ，ＲＯＥＳＹ，ＨＭＱＣ，ＨＭＢＣ等谱的形状，指认步骤及其应用。     

TBP对部分皂化的DMHPA—正庚烷体系及萃取稀土有机相的影响

研究了部分皂化的二（１甲基庚基）磷酸（ＤＭＨＰＡ）磷酸三丁酯（ＴＢＰ）—正庚烷（Ｃ７Ｈ１６）体系及萃取稀土有机相的聚集状态。结果表明，ＴＢＰ可以扩大ＤＭＨＰＡＣ７Ｈ１６Ｈ２Ｏ微乳状液形成的区间，并且对萃取有机相的存在状态及水的行为有明显的影响，在一定的条件下有凝胶形成。ＦＴＩＲ光谱分析表明，该类凝胶中ＤＭＨＰＡ和ＴＢＰ与稀土离子以多种形式配位，ＴＢＰ与ＤＭＨＰＡ及水的氢键结合对凝胶网状结构的形成也起了一定的作用。     

Y稳定的ZrO_2基体上YBa_2Cu_3O_7／SrTiO_3／YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的制备、超导性能和显微结构

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜，利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征．研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．Ｋ和８６．７Ｋ之间．ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为Ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶粒．三层膜中层界面比较清晰但不十分平整．在膜／基界面处有８－１０ｎｍ厚的过渡层，它由多晶的ＢａＺｒＯ３组成．膜层和（１０）ＹＳＺ基底之间具有如下的外延生长关系ＹＳＺ［００１］／／ＹＢＣＯ［１１０］／／ＳｒＴｊＯ３［１１０］；ＹＳＺ（１００）／／ＹＢＣＯ（００１）／／ＳｒＴｉＯ３（００１）．     

YCO／CeO2／LaAlO3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱结合透射电子显微镜对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究。结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，基本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多。ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜。     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

掩模法制备高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结

本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应，原位沉积Ｎ－ＹＢＣＯ作为势垒层制备了高ＴｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ边缘结，在６０Ｋ，微波辐照观察到明显的Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，在Ｔｃ附近，Ｉｃ∽（１－Ｔ／Ｔｃ），ｎ＝１．８８。     

强磁场下（YBa2Cu3O7）24／（PrBa2Cu3O7）2多层膜的电阻转变展宽

本文研究了不同磁场位形下（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２４／（ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２多层膜的电阻转变展宽，结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜ｃ轴的相对位形决定，而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明，Ｈ‖ａｂ时，Ｕ０∝Ｈ＾－α，Ｈ‖ｃ时，Ｕ０∝ｌｎＨ。这种三维－二维（３Ｄ－２Ｄ）转变，可以归因于ＹＢＣＯ／ＰｒＢＣＯ和ＹＢＣＯ层厚度处于３Ｄ－２Ｄ转变厚度范围所致。     

在金属基片上激光沉积YBCO超导薄膜

介绍了在金属基片上激光沉积缓冲层和ＹＢａ２Ｃｕ３ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜的研究结果。在带ｙｔｔｒｉａ－ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ－ｚｉｒｃｏｎｉａ（ＹＳＺ）缓冲层的ＮｉＣｒ合金基片上,激光原位沉积出ＹＢＣＯ超导薄膜,薄膜的零电阻转变温度度４８Ｋ,７７Ｋ时临界电流密度约为２００Ａ／ｃｍ＾２;缓冲层的取向可以通过选择适当的沉积参数来改善;用扫描隧道电子显微镜对ＹＢＣＯ薄膜的微观结构分析表明：完善的螺     

Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件构造和性能的研究

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场,应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极,通过优化沉积条件和门电极面积小型化（６×１０－６ｃｍ２）,在６４Ｋ下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场（～３７ｋＶ／ｃｍ）、大的饱和极化强度（６０μＣ／ｃｍ２）、剩余极化强度（４１μＣ／ｃｍ２）以及击穿电压～３×１０５Ｖ／ｃｍ．对于我们的场效应器件,在±９Ｖ的情况下沟道电阻被调制～３％．     

THE MACQM CALCULATION OF THE TOTAL ENERGY CURVE OF THE BODY-CENTERED CUBIC STRUCTURE OF THE H_9~- CLUSTER

ＴＨＥＭＡＣＱＭＣＡＬＣＵＬＡＴＩＯＮＯＦＴＨＥＴＯＴＡＬＥＮＥＲＧＹＣＵＲＶＥＯＦＴＨＥＢＯＤＹ－ＣＥＮＴＥＲＥＤＣＵＢＩＣＳＴＲＵＣＴＵＲＥＯＦＴＨＥＨ－９ＣＬＵＳＴＥＲＧｏｕＱｉｎｇｑｕａｎＺｈａｎｇＪｉａｎｐｉｎｇＬｉＰｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕ...     

Ag含量对熔融织构YBCO结构及超导电性的影响

本对熔融眼导体进行了Ａｇ掺杂研究，Ａｇ掺杂量为０－１８ｗｔ％，并添加了适量的２１１相，使ＹＢＣＯ超导体中起钉扎中心作用的２１１相达到２０ｗｔ％。采用加高熔化温度的ＢｄＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ籽晶的办法解决子Ａｇ掺杂引起ＹＢＣＯ晶粒细化的问题，制备了强织构Ａｇ掺杂大块的ＹＢＣＯ超导体，并对其超导电性和Ａｇ的行为进行了研究。