螺旋线型脉冲形成线匝间击穿与输出波形的研究

 针对螺旋线型脉冲形成线放电过程的匝间击穿问题，采用数值模拟的方法研究了影响螺旋线上轴向电场的因素，模拟结果表明：螺旋线的螺旋角越大、开关的上升沿越小、负载的阻值越小则越容易造成匝间击穿；针对输出波形的前沿上冲和下凹问题，通过数值模拟和实验方法研究了加速器内阻抗不匹配段对输出波形的影响，结果表明: 改变螺旋线与开关之间连接段的阻抗以及开关和二极管之间过渡段的阻抗，使之接近于螺旋线阻抗，并使电长度减小，可以消除波形的前沿上冲和下凹，得到近似方波的高电压脉冲输出。     

ICP-AES测定硫酸锌中痕量杂质铜铅铁锰镉镍

应用电感藕合等离子体和WSP-1光栅摄谱仪测定硫酸锌中痕量杂质元素Cu、Fe、Pb、Mn、Cd和Ni。对于Cu、Pb、Fe、Mn和Ni的检测限分别为1.7,16,1.8,0.46,12.7和11.8微克/克。没有光谱干扰。变异系数在4.1—17.6％的范围内。     

X波段长脉冲高功率微波产生的实验研究

 获得长脉冲高功率微波（HPM）输出是HPM源技术追求的重要目标之一。从物理机理上分析了影响慢波结构HPM器件实现长脉冲HPM输出的因素,并利用长脉冲脉冲功率源和过模慢波结构HPM器件,开展了X波段长脉冲HPM产生实验。实验中,采用介质-铜阴极,并在慢波结构表面镀Cr,在导引磁场约0.7 T、二极管电压约400 kV、电流约10 kA、束流脉宽200 ns的条件下,获得了功率500 MW、脉宽约100 ns、主模为TM₀₁的X波段长脉冲HPM输出。对实验结果的分析表明,脉冲功率源与HPM器件的阻抗不匹配,是导致HPM器件输出微波脉宽比电子束脉宽短、以及HPM器件输出微波功率效率较低的主要原因。     

平行板电流电感梯度的近似计算与仿真

大学物理的电磁学部分,对后续理论课程和工程应用都十分重要.在讲授时可以将基本物理理论与前沿科研应用相结合,培养学生的创新思维,同时使得物理知识贴近生活,具有鲜明的时代特征.提出了一种平行板电流电感梯度的近似计算方法,并利用有限元软件进行仿真,分析了该近似方法的适用条件.     

俄歇电子谱及莫应用

1925年俄歇(M·P.Auger)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径迹的长度却并不随着照射的X射线的能量变化而变化,仅同被照射的原子的种类有关.俄歇对后者作了正确的解释,认为它是由一个外壳层电子填补内壳层空穴释放出来的能量,激发外壳层另一个电子所引起的,后来称这种电子为俄歇电子.长期以来,这种物理现象未能找到应用.直到 1953年,兰德(J.J.Lander)[1]才首次提出…     

铀-锑氯化物催化剂表面结构的XPS和AES分析

U-Sb氧化物是烯烃选择性氧化和氨氧化的有效催化剂之一,具有很高的活性和选择性。文献中对该催化剂的体相结构进行了深入的研究,证明活性相是USb_3O_(10),晶格中铀、锑和氧分别处于一种、二种和四种不同的位置。但关于催化剂表面层的组成和结构的研究尚未引起人们的充分注意,而这对于了解催化剂的特征是十分重要的。XPS和AES技术是表征催化剂表面结构的重要工具,Cross和Seiyama等人利用XPS和SIMS对Sn-Sb和Fe-Sb氧化物催化剂进行的研究表明,这两种催化剂的表层和体相的组成和结构是不同的。本     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜     

CeO2/Nb2O5界面效应对提高CeO2氧敏特性的XPS研究

用射频/直流磁控溅射法制备了CeO₂/Nb₂O₅双层氧敏薄膜，利用X射线光电子能谱(XPS)，描述并解释了单层CeO₂薄膜中氧随温度变化的动力学行为，以及CeO₂/Nb₂O₅薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3d XPS谱的高斯拟合，计算了Ce³⁺浓度并给出了判定Ce⁴⁺还原的标志.结果表明，界面效应可以提高CeO₂/Nb₂O₅薄膜中Ce⁴⁺的还原能力，使之远远高于单层CeO₂薄膜，这对薄膜的氧敏特性是极为有利的. 关键词：     

螺旋线型水介质长脉冲形成线的设计与改进

 设计了长2.2 m、直径0.40 m、工作电压400 kV、脉宽200 ns的螺旋线型水介质脉冲形成线加速器，并进行了实验研究。为消除输出脉冲的前沿上冲和后沿拖尾现象，分析了脉冲形成线中的连接段与螺旋线阻抗的不匹配对输出波形的影响。用高分子材料加工了内径为10 cm，外径为18 cm的高阻抗环套在螺旋线与主开关之间的连接段上，使这一段的阻抗与螺旋线阻抗接近，并使其电长度减小，消除了前沿上冲，减弱了后沿拖尾，得到了上升沿约18 ns、下降沿约40 ns的近似方波高电压脉冲输出。     

邻二甲苯氧化制苯酐催化剂的研究I.V2O5-TiO2的组成、物性和反应性能

用XPS,IR,TG和脉冲色谱法考察了V_2O_5-TiO_2复合氧化物催化剂中V_2O_5与TiO_2的相互作用,V_2O_5的分散状态和释氧活性,以及催化剂对邻二甲苯氧化的活性和生成苯酐的选择性。阐明了该催化剂组成对活性和选择性的影响。XPS和TG结果表明,V_2O_5含量<10wt%时,它与TiO_2可形成有V_2O_5与TiO_2相互作用和释氧活性的表面层;在V_2O_5含量～10wt%时,该表面层形成得最充分。IR研究证实表面层的释氧活性是由V_2O_5的V=O键松弛引起。V_2O_5>10wt%时,样品中除有释氧活性的V_2O_5外,还有不具有释氧活性的V_2O_5,前者对催化活性和选择性有主要贡献,后者则有不利影响。