(Ba1—xKx)BiO3芯态能级随组份的变化 |
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引用本文: | 沈耀文,陈龙海.(Ba1—xKx)BiO3芯态能级随组份的变化[J].低温物理学报,1995,17(3):201-208. |
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作者姓名: | 沈耀文 陈龙海 |
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摘 要: | 本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体,
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关 键 词: | 超元胞 芯态能级 化学位移 K掺杂 |
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