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1.
制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型.  相似文献   
2.
用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4 ( x = 1.25, 1.33, 1.60) 多晶.X射线衍射结果表明样品没有杂项,且都是四方层状K2NiF4结构[1].电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为.对于x= 1.25和1.33的样品,热电势为正值;而对于x= 1.60的样品,热电势在60K发生了由正到负的转变.所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值,在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂,表明在低温下样品存在类自旋玻璃态.我们同时测量了x = 1.25样品在110 K到300 K温区的电子自旋共振谱,发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争,强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化.  相似文献   
3.
测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。  相似文献   
4.
RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30-40K的超导体,其合成的主要问题是,在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成,本文报道了合成RuSr2GdCu2O8(Ru-1212相)纯相的新方法,即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6(Ru-211相)先驱物,然后Sr2GcRuO6与CuO高温烧结,生成RuSr2GdCu2O8。合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为,该体系的超导转变与生成的杂相有关。  相似文献   
5.
本文通过对La1/3Sr2/3Fe1-xCoxO3系列样品进行X射线衍射(XRD)和变温电阻率(p~T)、比热(C~T)、磁化率(M~T)等测试,研究了Co掺杂对该系列样品的晶体结构和电热磁性质的影响.结果表明,随着Co掺杂量的增加,晶胞体积单调减小;电阻中电荷有序(charge ordering,CO)的特征逐渐消失.Co含量低的样品随着温度降低发生顺磁-反铁磁(PM-AFM)转变和金属-绝缘体(M-I)转变;Co含量高的样品则在磁转变温度以下表现出团簇玻璃型短程铁磁有序行为,并且在整个测量温区内具有金属导电特性.这些证明Co掺杂引起电子的局域化效应是导致体系电磁和输运行为发生变化的主要原因.  相似文献   
6.
精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)样品的CuO面内和CuO面外的电阻率ρc(T)和ρab(T).发现ρc(T)和各向异性比(ρc(T)/ρab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρc随温度线性下降,而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系.ρc(T)和ρc(T)/ρab(T)的值可以用Alexandrov和Mot建立的双极化子模型很好地加以拟合  相似文献   
7.
MgB_2和Mg_(0.93)Li_(0.07)B_2的电阻率与霍尔效应研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
测量了MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的电阻率 ρ(T)与霍尔系数RH(T)的温度依赖关系 .电阻率的测量结果表明 ,MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的正常态电阻率与温度有平方的依赖关系 .MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的超导转变温度几乎相同 .霍尔系数的测量结果表明 ,MgB2 和Mg0 .93Li0 .0 7B2 的载流子类型为空穴型 ,二者的霍尔系数都随温度升高而减小 ,且Mg0 .93Li0 .0 7B2 的霍尔系数比MgB2 略有减小 ,这可能与Li掺杂引入空穴有关 .二者的霍尔角都与温度平方呈线性关系 .  相似文献   
8.
测量了不同Bi-(2)Sr-(2)CuO-(7)单晶样品ab平面内电阻ρ-(ab)随温度的变化关系.对于处在掺杂不足区域的样品,没有观察到类似于YBa-2Cu-4O-8,YBa-2Cu-3O-(r-y)体系由于自旋能隙的出现而引起的电阻率的突然加快减小现象.我们对实验结果进行了讨论. 关键词:  相似文献   
9.
王楠林  邓明  阮可青  种燕  潘国强  曹烈兆 《物理学报》1995,44(11):1819-1824
测量了不同Bi_2Sr_2CuO_y晶体ab平面内的电阻率-温度变化关系.发现在体系从金属到绝缘体的变化过程中,电子导电首先表现出低温下的二维弱局域化行为,然后逐渐过渡到强局域化的变程跳跃传导行为.依据实验结果对氧化物超导材料在低载流子浓度下的金属—绝缘体转变进行了讨论. 关键词:  相似文献   
10.
测量了Sm2-xCexCuO4(0.00≤x≤0.21)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体-金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由0.09增加到0.21时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x=0.17处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x=0.06-0.21的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致.  相似文献   
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