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1.
采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3.25La0.75
关键词:
铁电薄膜
3.25La0.75Ti3O12')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12
Sol-Gel工艺 相似文献
2.
采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750 ℃时不同退火气压(pO2:10-4—3 atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3 atm氧气压下退火
关键词:
3.25La0.75Ti3O12')" href="#">Bi3.25La0.75Ti3O12
铁电性能
sol-gel法
正交化度 相似文献
3.
4.
采用sol-gel工艺, 在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长行为、铁电性能、C-V特性和疲劳特性. 研究表明: Si基Bi4Ti3O12薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势; 退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi关键词:
sol-gel法
铁电薄膜
4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12
C-V特性 相似文献
5.
采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50) 的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxT i7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析 ,并测量铁
关键词:
4Ti3O12-SrBi4Ti4 O15')" href="#">Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15
La掺杂
铁电性能
居里温度
弛豫铁电 相似文献
6.
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上 ,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12 sub>栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
关键词:
铁电场效应晶体管
4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12
存储 特性
溶胶-凝胶工艺 相似文献
7.
8.
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了在氮氢混合气氛中退火后Bi4Ti3O12铁电性的退化机理. 分别计算了无氢、含氢模型中Ti沿c轴位移时体系总能量的变化,电子云密度分布,以及电子结构的总能态密度的变化. 结果表明含氢Bi4Ti3O12铁电相Ti-O,Bi-O间的电子云重叠布居分布较无氢情况下变化明显,氢氧之间较强的轨道杂化使它们趋于形成共价键;晶格中氢氧键的
关键词:
氮氢混合气氛退火
铁电性
4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12
第一性原理 相似文献
9.
按x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75和1.00,采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量的SrBi4-xLaxTi4O15的陶瓷样品. 用x射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变SrBi4Ti 4O15的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)下降,剩余极化(2P关键词:
4-xLaxTi4O15')" href="#">SrBi4-xLaxTi4O15
La掺杂
铁电性能
相变温度
弛豫铁电 相似文献
10.
11.
采用溶胶-凝胶法,在氧气氛中和层层晶化的工艺条件下,成功地制备了沉积在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上的铁电性能优良的Sr2Bi4Ti5O18 (SBTi)薄膜,并研究了SBTi薄膜的微结构、表面形貌、铁电性能和疲劳特性.研究表明:薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,且为随机取向;薄膜表面光滑,无裂纹,厚度约为725nm;铁电性能测试显示较饱和、方形的电滞回线,当外电场强度为275kV/cm时
关键词:
溶胶-凝胶法
铁电薄膜
2Bi4Ti5O18')" href="#">Sr2Bi4Ti5O18 相似文献
12.
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,利用LSCO/CeO2/YSZ多异质缓冲层,在Si(100)基 片上成功地制备了c轴一致取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了薄膜的相结构 、取向和形貌特征,考察了沉积温度和氧分压对BNT薄膜微结构、取向和形貌的影响,确定 了BNT薄膜的最佳沉积条件.对在优化的条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线测试得到了典型 的蝴蝶形曲线,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.最后讨论了BNT薄膜铁电性能与 薄膜取向的相关性.
关键词:
3.15Nd0.85Ti3O12')" href="#">Bi3.15Nd0.85Ti3O12
铁电薄 膜
多层异质结
脉冲激光沉积 相似文献
13.
R. Thomas R.E. Melgarejo N.M. Murari S.P. Pavunny R.S. Katiyar 《Solid State Communications》2009,149(45-46):2013-2016
High-k DyScO3 linear dielectric films were considered as a buffer layer for the metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structures with Aurivillius Bi3.25Nd0.75Ti3O12 ferroelectric films. The DyScO3 films on Si substrates were amorphous and dense with a smooth surface morphology, showing negligible CV hysteresis and low leakage current. The remnant polarization of ~20 μC/cm2, dielectric constant ~400, and the loss tangent ~0.04 were obtained for the ferroelectric Bi3.25Nd0.75Ti3O12 film on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates. The Pt/Bi3.25Nd0.75Ti3O12/DyScO3/Si MFIS capacitors showed a large memory window of 4.0 V and excellent retention up to 1000 s, encouraging results for practical applications in nonvolatile RAM. 相似文献