| Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究 |
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| 引用本文： | 王少伟,陆卫,王弘,王栋,王民,沈学础.Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究[J].物理学报,2001,50(12):2461-2465. |
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| 作者姓名： | 王少伟 陆卫 王弘 王栋 王民 沈学础 |
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| 作者单位： | (1)山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083,山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G199808140404);国家自然科学基金(批准号:10074088)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了AuBi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O关键词：
C-V特性
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电荷迁移
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| 关 键 词： | C-V特性 Bi2Ti2O7薄膜 电荷迁移 |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(12)2461-05 |
| 收稿时间： | 2001-05-29 |
| 修稿时间： | 2001年5月29日 |
C-V CHARACTERISTICS OF Bi2Ti2O7 THIN FILMS ON n-Si(100) |
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| WANG SHAO-WEI,LU WEI,WANG HONG,WANG DONG,WANG MIN and SHEN XUE-CHU.C-V CHARACTERISTICS OF Bi2Ti2O7 THIN FILMS ON n-Si(100)[J].Acta Physica Sinica,2001,50(12):2461-2465. |
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| Authors: | WANG SHAO-WEI LU WEI WANG HONG WANG DONG WANG MIN and SHEN XUE-CHU |
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| Abstract: | We report the growth of Bi2Ti2O7 thin films on n type Si substrates by the chemical solution decomposition technique. Both the X-ray double-crystal diffraction and atomic force micro spectroscopy measurements are used to check the film properties. It is shown that the film is a multi crystal film dominated by the Bi2Ti2O7 phase. The C-V measurements are also performed on Au/Bi2Ti2O7/n-Si(100) MOS structure. It is revealed that both the fixed and mobile negative charges are contained in the film. The mobile negative charge results in the hysteresis loops on C-V curve. |
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| Keywords: | C-V characteristics Bi2Ti2O7 thin films charge's move |
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