Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te中深能级的红外光电导谱研究

应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级,在温度从4.2到165K范围内,观察到了位于0.24,0.34,0.38,0.47,0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果,对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论.     

n-Hg1-xCdxTe的Shubnikov-de Haas振荡

在T=2.3—24K的温度范围里,研究了不同组分的n-Hg_1-xCd_xTe样品的SdH效应。测量了纵向和横向的磁阻振荡峰,能清晰地分辨n>3的自旋分裂峰。由此计算了n-Hg_1-xCd_xTe的能带参数,讨论了导带的非抛物线性和费密能级随磁场的变化对实验结果的影响。 关键词：     

MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd_0.96Zn_0.04Te衬底上生长的Hg_0.8Cd_0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50～5000cm^-1进行了测量,在其中的一块样品上首次发现了143eV至193eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰,该发光峰对应的能带中心位于Hg_0.8Cd_0.2Te外延层导带底上方173eV,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析,得出样品在143eV至193eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg_0.8Cd_0.2Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。     

Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_1-xCd_xTe n⁺-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D₁(=E_v+0.75E_g)和D₂(=E_v关键词：     

CdxHg1-xTe混晶声子谱的远红外光谱研究

在温度4.2—300K和波数15—5OOcm^-1的范围内研究了x=0.18到0.45的不同组分的Cd_xHg_1-xTe的远红外吸收光谱。除剩余射线吸收带两侧的双声子吸收结构外,实验首次观察到一个位于波数20—50cm^-1的低频吸收带。用面间力常数的密度函数法等估计了Cd_xHg_1-xTe混晶的声子谱,并将上述低频吸收带归之于混晶导致的无序和“掺杂”诱发TA声子带模吸收效应。 关键词：     

CdxHg1-xTe混晶的远红外反射光谱和多振子模型

在温度4.2—300K和波数15—450cm^-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的Cd_xHg_1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd_(x^-)Hg_1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。 关键词：     

Sb掺杂Hg1-xCdxTe的光致发光

对不同Sb掺杂浓度Hg_1-xCd_xTe（x≈0.38）样品在3.9—115K的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用光致发光手段发现Sb掺杂在x≈0.38的Hg_1-xCd_xTe中引入的约30meV的受主能级 关键词：     

n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对 实验数据进行了分析,由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证 明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x关键词： 变磁场霍耳测量 界面积累层 二维电子气 1-xMg_xTe')" href="#">Hg_1-xMg_xTe     

高x值混晶Hg1-xCdxTe光吸收边的压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_0.3Cd_0.7Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_0.3Cd_0.7Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_0.3Cd_0.7Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10^-11eV/Pa,与用化学键介电 关键词：     

Cd1-xMnxTe混晶的远红外吸收光谱

本文报道4.2—300K和20—400cm^-1范围内不同组份的Cd_1-xMn_xTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。 关键词：     

Low temperature photoconductivity of ZnIn2Se4 and CdIn2Se4

The photoconductivity of ZnIn₂Se₄ and CdIn₂Se₄ single crystals has been studied at 4.2 K. The spectra are compared to reflectivity spectra and relevant structures are interpreted in terms of interband transitions. The absence of excitonic transitions is discussed in connection with the crystalline perfection.     

强耦合磁失措自旋冰系统Dy2Ti2O7单晶生长和基本磁性质测量

利用红外光源浮区法生长出大尺寸、高质量的磁失措自旋冰化合物Dy₂Ti₂O₇单晶体.X射线衍射实验证实晶体具有面心立方结构，空间群为Fd3m，晶胞参数a＝1.0112(2) nm，［111］和［400］方向X射线衍射摇摆曲线半高宽分别仅为0.07°和0.05°.直流磁化率与温度关系测量给出晶体的Van Vleck顺磁因子为2.46×10^-5 m³/mol，有效磁矩μ_eff＝10.24(4)μ_B，Cure-Weiss温度Θ_CW＝1.1 K，揭示Dy₂Ti₂O₇具有弱的铁磁性.对磁性起源的综合分析表明，该自旋冰晶体磁性质主要来源于磁偶极相互作用，且相关最近邻长程偶极相互作用能量标度D_nn＝3.00 K. 关键词： 2Ti₂O₇')" href="#">Dy₂Ti₂O₇ 浮区法晶体生长 关联电子系统 自旋冰     

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO₄(PWO),PWO:Y³⁺,PWO:Gd³⁺多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中,掺杂Y³⁺或Gd³⁺都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb³⁺,O^-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y³⁺可以消除253K的热释光峰,即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb³⁺,Gd³⁺,Y³⁺的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb²⁺后形成的电子陷阱深度有别(E_Pb>E_Gd>E_Y),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同 关键词： 4')" href="#">PbWO₄ Y和Gd掺杂 热释光 陷阱     

Spectral dependence of photoresponse and electronic structure of monocrystal of CuInTe2

The photoconductivity spectrum of a single crystal of the semiconducting compound CuInTe₂ has been experimentally resolved into various distinct peaks at 300 K in the range from 0.6 to 1.5 μ for the first time. The observed peaks are explained on the basis of the transitions originating from the valence sub-band structure. Impurity level is also reflected in the photoconductivity spectrum.     

衬底温度对PLD法生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg_005Zn_095O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg_005Zn_095O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg_005Zn_095O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 关键词： 005Zn_095O薄膜')" href="#">Mg_005Zn_095O薄膜 PLD 衬底温度 光致发光     

Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究

将生长得到的Cd_0.9Zn_0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理. 借助已建立的退火处理过程中Cd_1-xZn_xTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型，结合实验数据，获得了1073K，973K和873K下Cd在Cd_0.9Zn_0.1Te晶体中的扩散系数，并估算了其激活能. 通过使用获得的扩散系数，研究了在不同温度及饱和Cd气氛下，退火时间对Cd_0.9Zn_0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.     

La0.9Sr0.1MnO3薄膜中电流效应研究

用直流磁控溅射法在(100)LaAlO₃衬底上制备了La_0.9Sr_0.1MnO₃薄膜.经退火处理后薄膜的原子力显微镜形貌观测和X射线衍射分析显示具有比较好的质量.电阻率-温度关系表明La_0.9Sr_0.1MnO₃薄膜在281 K处发生金属绝缘体转变.电流在0.01—4 mA范围内，薄膜的峰值电阻率随电流增大而减小，在4 mA下获得了30.5%的峰值电阻率变 关键词： 掺杂锰氧化合物 0.9Sr_0.1MnO₃薄膜')" href="#">La_0.9Sr_0.1MnO₃薄膜 电流诱导效应 相分离理论     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质

研究了Gd₃Ga₅O₁₂:Ag材料的制备及其发光性质.Gd₃Ga₅O₁₂:Ag材料通过固相反应法制得,采用X射线衍射法分 析了材料的结晶度及成分.用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件,得到了 较好的蓝紫色发光,发光峰分别位于397和467nm.通过对材料的光致发光和激发光谱的研究 和比较,得出397和467nm分别来自于氧空位和Ag⁺的发光.     

Magnetocaloric effect in Gd6Co1.67Si3 compound with a second-order phase transition

The magnetic properties and the magnetic entropy change AS have been investigated for Gd6Co1.67Si3 compounds with a second-order phase transition. The saturation moment at 5 K and the Curie temperature TC are 38.1μB and 298 K, respectively. The AS originates from a reversible second-order magnetic transition around TC and its value reaches 5.2 J/kg.K for a magnetic field change from 0 to 5T. The refrigerant capacity （RC） of Gd6Co1.67Si3 are calculated by using the methods given in Refs.[12] and [21], respectively, for a field change of 0 5T and its values are 310 and 440 J/kg, which is larger than those of some magnetocaloric materials with a first-order phase transition.