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1.
层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶,主要研究了其磁电特性.结果表明,样品为Sr3Ti2O7型钙钛矿结构.随着温度的降低,其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时,在T*=231 K出现二维短程铁磁有序,在Tc=114 K出现三维长程铁磁有序,在TN=56 K出现倾斜的反铁磁转变.当x=0.05时,Cu替代使得T*,Tc和TN减小.其电特性表明,La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶呈现出双峰现象,这是由于钙钛矿结构锰氧化物共生现象造成的.虽然5%Cu替代,降低了金属一绝缘体转变温度,但是却增强了磁电阻效应.  相似文献   
2.
La0.67Pb0.33MnO3的磁性及输运特性   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
利用固相反应烧结法制备了La067Pb033MnO3单相多晶样品.研究了其结构、磁性及输运特性.结果表明,样品呈菱面相晶体结构,空间群为R3C,居里温度TC(=353K)非常接近TMI(=360K).在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变,导电特性由金属特征向半导体特征过渡.磁电阻在居里点达到极大值.当H=16T时,磁电阻的极大值为145%;当H=08T时,磁电阻的极大值为9%.输运性质表明,TTMI时 关键词: 磁电阻 输运特性 磁极化子 钙钛石  相似文献   
3.
用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La0.82Te0.18MnO3单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变,转变点温度为283 K.其电阻率在T<TMI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式;在T>TMI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm,40 mW)作用下电阻率显著增大,电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料;在高温段产生了较小的光电导,电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La0.82Te0.18MnO3薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系. 关键词: 0.82Te0.18MnO3薄膜')" href="#">La0.82Te0.18MnO3薄膜 光诱导 输运特性 电子掺杂  相似文献   
4.
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg005Zn095O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg005Zn095O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg005Zn095O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 关键词: 005Zn095O薄膜')" href="#">Mg005Zn095O薄膜 PLD 衬底温度 光致发光  相似文献   
5.
用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La0.82Te0.18MnO3单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变,转变点温度为283 K.其电阻率在 T相似文献   
6.
通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶,主要研究了其磁电特性.结果表明,样品为Sr3Ti2O7型钙钛矿结构.随着温度的降低,其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时,在T*=231K出现二维短程铁磁有序,在<  相似文献   
7.
通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶,主要研究了其磁电特性.结果表明,样品为Sr3Ti2O7型钙钛矿结构.随着温度的降低,其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时,在T*=231K出现二维短程铁磁有序,在< 关键词: 层状钙钛矿 磁性 电特性  相似文献   
8.
用直流磁控溅射法在(100)LaAlO3衬底上制备了La0.9Sr0.1MnO3薄膜.经退火处理后薄膜的原子力显微镜形貌观测和X射线衍射分析显示具有比较好的质量.电阻率-温度关系表明La0.9Sr0.1MnO3薄膜在281 K处发生金属绝缘体转变.电流在0.01-4 mA范围内,薄膜的峰值电阻率随电流增大而减小,在4 mA下获得了30.5%的峰值电阻率变化率,并从相分离图像给出了简单解释.  相似文献   
9.
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0.05Zn0.95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜具有很好的轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.  相似文献   
10.
用直流磁控溅射法在(100)LaAlO3衬底上制备了La0.9Sr0.1MnO3薄膜.经退火处理后薄膜的原子力显微镜形貌观测和X射线衍射分析显示具有比较好的质量.电阻率-温度关系表明La0.9Sr0.1MnO3薄膜在281 K处发生金属绝缘体转变.电流在0.01—4 mA范围内,薄膜的峰值电阻率随电流增大而减小,在4 mA下获得了30.5%的峰值电阻率变 关键词: 掺杂锰氧化合物 0.9Sr0.1MnO3薄膜')" href="#">La0.9Sr0.1MnO3薄膜 电流诱导效应 相分离理论  相似文献   
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