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1.
该文利用锥上的不动点定理,给出四阶超线性奇异p-Laplacian边值问题正解存在的充分必要条件.所给出的条件与非线性项的可积性有关.  相似文献   
2.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In080Ga020As/In053Ga047As/In052Al048AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性  相似文献   
3.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词:  相似文献   
4.
利用Fourier变换红外光谱(FTIR)方法研究了光系统Ⅱ(PSⅡ)膜颗粒中蛋白二级结构在高温条件下的β聚合效应。具有生物活性和高温蛋白的β聚合样品的红外光谱测量温度均是室温,它们的酰胺Ⅰ吸收带被用来对两种样品的特性进行定量的分析。光谱的分析方法采用了直接Lorentz线型拟合,光谱结果表明光系统Ⅱ二级结构在400℃下发生热变性后,其红外光谱将发生很强的不可逆的变化。但其红外光谱与活性PSⅡ蛋白一样仍可用3个Lorentz线型拟合,显示了FTIR红外光谱方法在研究蛋白热变性方面的优越性。  相似文献   
5.
采用栅压比谱技术,在相对较低的磁场下,观察到GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气第零子能带的N=1 Landau能级与高达第五子能带的N=0 Landau能级的共振耦合现象,由此精确测量了各子能带能量间距,并与自洽的理论计算结果相比较.同时,讨论了共振子能带-Landau能级耦合所引起的Landau能级分裂大小与子能带量子数的关系.  相似文献   
6.
GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍. 关键词:  相似文献   
7.
研究了定义在有限区间内具有转移条件的m维向量型Sturm-Liouville问题.主要得到了该问题特征值重数的若干结论.证明了当矩阵值势函数Q满足一定的条件时,只能有有限个重数为m的特征值.作为重数结果的应用,证明了该问题的Ambarzumyan定理.  相似文献   
8.
应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级,在温度从4.2到165K范围内,观察到了位于0.24,0.34,0.38,0.47,0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果,对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论 关键词: xCd1-xTe')" href="#">ZnxCd1-xTe 光电导 杂质 深能级  相似文献   
9.
10.
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