镧掺杂BaSnO3薄膜的电学和光学特性

利用射频磁控溅射法在(LaAlO₃)_0.3(SrAl_0.5Ta_0.5O₃)_0.7 (001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO₃外延薄膜. 通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO₃薄膜具有n型简并半导体特征, 并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m₀ (m₀为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO₃薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm, 能带宽度为3.43 eV、 带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律, 而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.     

Fe3O4薄膜的电输运及光诱导特性研究

用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe₃O₄薄膜.电阻-温度关系表明Fe₃O₄薄膜的Verwey转变(T_V)约在122 K,低温段(T_V)输运特征满足Mott变程跳跃模型,高温段(T>T_V)为小极化子输运.激光作用下的光电导实验发现,在整个温区表现为光致电阻率减小,而且低温段的电阻变化率比高温段要大很多.分析认为Fe₃O₄薄膜的光致电阻率变化主要与激光激发t_2g电子的转移有关. 关键词： 3O₄薄膜')" href="#">Fe₃O₄薄膜 小极化子 光诱导特性     

YMnO_3薄膜的铁电行为及其纳米尺度铁电畴的研究

六方YMnO_3是一种特殊的多铁性材料,因其具有介电常数低、单一极化轴、无挥发性元素等特点,在磁电领域具有独特的优势,但目前关于YMnO_3薄膜的铁电性特别是畴结构的研究相对较少.本文采用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备了多铁性YMnO_3薄膜,利用掠入射X-射线衍射、原子力显微镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,用压力显微镜(PFM)技术研究了纳米尺度畴结构及微区电滞行为,并通过I-V,P-E曲线进一步研究了薄膜的漏电流和宏观电滞行为.结果表明,该薄膜为六方钙钛矿结构,YMnO_3晶粒大小均匀并且结晶性较好,薄膜表面粗糙度为7.209 nm.PFM图显示出清晰的电畴结构,结合典型的微区振幅蝴蝶曲线和相位电滞回线,证实该YMnO_3薄膜具有较好的铁电性.由于受内建电场的作用,振幅曲线和相位曲线都向正向偏移,表现出非对称特征.该薄膜的漏电流密度低于10~(-6)A·cm~(-2),因而其电滞回线基本能够达到饱和.     

Photoinduced Resistance Change in an Oxygen-Deficient La 0.9 Sr 0.1 MnO 3-δ Thin Film

Photoinduced resistance change （ △ R/R） in an oxygen-deficient La0.9Sr0.1MnO3-δ thin film is studied. At room temperature, the resistance change of about 30% and response time of about 75 ns are observed under the illumination with a 532nm laser pulse of 7ns and light power of 750mW. It is also found that △ R/R changes with the light power. The phenomena are explained in terms of the photoinduced hole carriers and localized insulator-to-metal transition, which may have potential applications in optoelectronic devices.     

层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性

通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶,主要研究了其磁电特性.结果表明,样品为Sr3Ti2O7型钙钛矿结构.随着温度的降低,其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时,在T*=231 K出现二维短程铁磁有序,在Tc=114 K出现三维长程铁磁有序,在TN=56 K出现倾斜的反铁磁转变.当x=0.05时,Cu替代使得T*,Tc和TN减小.其电特性表明,La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶呈现出双峰现象,这是由于钙钛矿结构锰氧化物共生现象造成的.虽然5%Cu替代,降低了金属一绝缘体转变温度,但是却增强了磁电阻效应.     

Dielectric loss of half-doped manganite Lao.sCao.sMnO3＊

The dielectric loss tanfi of half-doped manganite Lao.sCao.sMnO3 is investigated using Green＇s function technique. The Lao.sCao.sMnO3 is described by the Kondo-lattice model in the double exchange limit, taking into account the Jahn- Teller distortion and the super-exchange interaction between the localized electrons. It is found that the intensity of tans decreases with increasing [e]TI, V, and U. It is also observed that the transition temperature Tp rises as l eJTI and U increase. It is worth noting that Tp remains unchanged and the strength of tans increases with increasing g. The calculated dielectric loss results are explained theoretically, and these behaviors are in qualitative agreement with the experimental results.     

(La,Mn)共掺BiFeO3材料的合成及性质研究

改善BiFeO3性能的有效途径,就是对其进行掺杂或与其他钙钛矿材料复合固熔。由于稀土元素与Bi的化合价相同,较容易取代Bi离子,而且Mn,Cr的掺杂又可提高BiFeO3的磁性。通过掺杂,采用溶胶-凝胶法合成了Bi1-xLaxFe0.8Mn0.2O3材料(x=0.3,0.35,0.4),用XRD测试了其晶体结构,通过原子力显微镜测试其表面形貌。通过对复合陶瓷(Bi1-xLaxFe0.8Mn0.2O3)的磁性能、介电性能和磁电耦合性能的研究,作出复合陶瓷的M-H磁滞回线。结果显示:随着La掺杂量的增加,原胞体积变小,x=0.4时,颗粒进一步细化;磁滞回线显示,随着La掺杂量的增加,剩磁逐渐增大,磁性能得到一定的改善,磁电耦合性能进一步提高,但介电性能有所减弱。     

衬底温度对PLD法生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg_005Zn_095O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg_005Zn_095O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg_005Zn_095O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 关键词： 005Zn_095O薄膜')" href="#">Mg_005Zn_095O薄膜 PLD 衬底温度 光致发光     

层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性

通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La_1.3Sr_1.7Mn_2-xCu_xO₇多晶，主要研究了其磁电特性.结果表明，样品为Sr₃Ti₂O₇型钙钛矿结构.随着温度的降低，其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时，在T^*=231K出现二维短程铁磁有序，在<     

BaTiO3/p-Si异质结的整流特性和光诱导特性的研究

利用脉冲激光沉积法成功制备了BaTiO₃/p-Si异质结, 该异质结在80–300 K 显示出了良好的整流特性和光诱导特性. 开启电压随着温度的升高而逐渐降低. 利用不同频率的光子辐照样品, 观察到明显的光电导效应. 且随着照射光子能量的增大, 结电流也相应变大, 光诱导效应越明显. BaTiO₃薄膜电阻-温度(R-T) 曲线显示氧缺陷条件下BaTiO₃薄膜具有良好的半导体特性. 关键词： 异质结 光诱导效应 3薄膜')" href="#">BaTiO₃薄膜