分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究

用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了不同si掺杂浓度(从1016cm-3到1018cm-3)的,n-GaAs薄膜.通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱.文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动平衡被破坏,四价Si替代了三价Ga致使谱线移动.并且由于横声子模具有Raman活性,横声子模被相对的增强了.实验结果与理论是互相吻合的.     

基于近红外光谱技术的石油组分定量分析新方法

针对石油化工产品生产控制和质量检查的需要,为提高测定产品组成的效率,将近红外光谱法作为基础测定方法,以直馏柴油、加氢精制柴油和催化裂化柴油为校正模型的训练样本,测定其中饱和烃、胶质、单环芳烃、双环芳烃、三环芳烃和环烷烃的组成,论述了采用模糊神经网络建立校正模型测定石油化工产品组成的可行性。基于dSPACE硬件平台,用验证样本对模糊神经网络校正模型进行了检验,实验结果表明,该方法响应快、误差小、鲁棒性强,在近红外长波区内,校正样品和验证样品的均方误差小于10^-6。该方法可用于石油化工产品的生产工艺研究中。     

从基本反射光谱研究金刚石型和闪锌矿型半导体的能带结构

本文利用基本反射光谱资料,导出了二十多种金刚石型和闪锌矿型半导体的导带结构。指出了导带结构上的一些特征及其与元素周期表之间的联系。着重分析了反对称势对能带结构的影响,并找到了闪锌矿型和金刚石型半导体能带结构之间的内在联系,从而更好地说明了各个闪锌矿型半导体能带结构上的特殊性。     

CdSnAs_2的基本反射光谱

A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。     

Cu2O和Ge的基本反射光谱——两种不同性质的反射带结构

本文在室温下测量了Cu₂O和Ge的基本反射光谱(0.22—1.00μ);研究了区分激子反射带结构和带际跃迁反射带结构的实验方法。光学抛光处理晶体表面对反射光谱中激子结构的影响极大,但对带际跃迁结构的影响不大。确定了Cu₂O紫外反射带的带际跃迁性质。讨论了Cu₂O和Ge的基本反射光谱和能带结构的联系。特别注意了Ge的反射光谱中的一些弱结构和能带结构的联系。工作中也涉及了晶格的有序度和能带结构的联系和吸收气氛影响短波反射带“下塌”的现象。     

Cu_2O室温电调制反射激子光谱

本文用电解液电调制反射谱方法;研究了室温下Cu_2O的青系蓝系激子谱.实验结果用最小二乘法对Aspens的理论进行了曲线拟合.将拟合结果与低温和室温下的反射、吸收谱数据进行比较,得到在电解液电反射谱中,不仅有青系.系n=1的激子效应,而且也包含n=2的激子效应.文中也做了不同抛光表面样品的电反射谱;发现它们有显著不同的光谱特征.     

FRANZ-KELDYSH OSCILLATION FROM THE SPACE CHARGE REGION OF MBE GaAs FILMS

We have investigated doped MBE GaAs films using photoreflectance (PR) spec-troscopy. Special spectral structures have been observed in the vicinity of the funda-mental band gap, which are quite different from the Franz-Keldysh oscillation (FKO) from uniform electric fields under flatband modulations. Numerical analysis has been performed for FKO from electric fields in the space charge region under non-flatband modulations. Some typical FKO line shapes are illustrated. For moderately doped samples the calculated line shapes are basically consistent with experiments. The surface electric field and the Fermi level pinning have also been deduced from exper-iments.     

光诱导雄黄矿物同质异象变化的显微成像拉曼散射研究

利用拉曼光谱研究了激光照射诱导雄黄的同质异象变化,这些结果证实了下面的反应:由于As-As键相对较弱,首先As-As键被破坏,有1个S原子加入到As-As键中,形成As-S-As键.此时由As4S4(Realgar类型)变化为As4S5相,而As4S5处于不稳定状态,AS4S5相变化为Pararealgar时有1个S原子从As-S-As键中释放出来.释放出来的S原子又加入到另外1个As4S4(Realgar)中,引起As4S4(Realgar)相变化为As4S5,As4S5进而分裂为1个S原子和As4S4(Pararealgar类型).照射促进雄黄经由As4S5分子被转换成副雄黄.     

β-三苯锗基丙酸及β-三苯锗基丁酸的拉曼及红外光谱

我们合成了有机锗化合物的一类重要中间体β-三苯锗基丙酸和β-三苯锗基丁酸 ,测量了该化合物的拉曼光谱和红外光谱 ,经光谱分析 ,指认了主要波数所对应的分子振动。在这两种化合物的拉曼光谱中 ,30 50 cm- 1( m)、1 0 2 5cm- 1( m)和 61 8cm- 1( m)分属于 Ph- H的伸缩振动、面内弯曲振动和面外扭曲振动。饱和 Ge- C键的振动分别在 594cm- 1和 587cm- 1,同时指出了 Ph- Ge的几种振动所对应的振动频率。在红外光谱中 ,C=O的振动出现在 1 70 9cm- 1( s)和 1 70 5cm- 1( s) ,与饱和碳相连接的 Ge- C振动出现在 61 7cm- 1( w)和 61 7cm- 1( w)。     

绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究

为了提高聚合物电致发光器件中Ba（Ca）／Al阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly（2-（4-ethylexyl）phenyl-1,4-phenylene vinylene）（P-PPV）层之间插入一层7nm的LiF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数（发光器件的电压．电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标）上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba（Ca）／Al电极结构PLEDs器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。