顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究

采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO₃阳极,并研究了不同MoO₃厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明：采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33, 0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。     

溅射气压对非晶Hg1-xCdx Te薄膜微观结构和化学组分的影响（英文）

采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响。随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低。当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征;当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构。另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1 Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高。     

以金刚石薄膜为空穴传导层的有机薄膜电致发光

以在半透明金膜上生长的微晶金刚石薄膜作为空穴传导层，得到了以８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）为发光材料的有机薄膜的电致发光，对器件的电流－电压特性，电压－亮度特性进行了测量，并计算了量子效率，结果表明，该器件具有较高的量子效率及较小的工作电流，从能带图出发，对结果进行了分析。     

分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近; 其半峰宽和带尾能量较小, 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低, 双晶衍射的半峰宽也有明显的变窄     

压力引起的CdZnTe(111)表面局部形变

本文报道了在碲锌镉(CZT)晶片(111)Cd面上发现的等边三角形和四边形形变,并在CZT(111)面上做了压力实验.结果表明我们所发现的多边形是碲锌镉在压应力作用下产生的,不仅可以在(111)Cd面出现,也可以在(1 11)Te面出现.文中从经典的晶体范性形变理论和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,阐明了出现在CZT(111)Cd面的多边形的形成机理,其内角必为60°或120°.并对磨抛工艺提出了改进意见.     

金刚石薄膜的场致电子发射

现代信息技术日新月异的发展对显示技术提出了越来越高的要求,平板式场致发射器件的研究显得十分迫切,引起了研究者广泛的兴趣。金刚石薄膜是八十年代以来发展起来的一种具有优良的物理、化学性质的新型功能材料。