氧掺杂形成的T‘—R2CuO4（R=Nd,Sm,Eu）化合物中的铁磁性团簇

本文报道了一个由氧掺杂产生的Ｔ’相Ｒ２ＣｕＯ４系列化合物中位于２８Ｋ附近的公有的磁反常规象。     

超导体Bi_(1.8)Pb_(0.2)Sr_(2- x)La_xCuO_(6+δ)的电阻率和热电势研究(英文)

本文对名义组份为Ｂｉ１ ．８Ｐｂ０ ．２Ｓｒ２ － ｘＬａｘＣｕＯｙ 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究．测量表明，Ｐｂ 掺杂可以进一步提高超导转变温度Ｔｃ ；随着Ｌａ 含量的增加，Ｔｃ 按照典型的抛物线型规律变化；Ｌａ 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性．我们的分析指出，热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关，而且电阻率正常态输运特性的变化可用Ｌａ 掺杂造成ＣｕＯ６ 八面体顶点氧发生位移来解释．     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

铊系超导体的额外氧缺陷研究

本文结合有效价键模型和原子对势的理论计算研究了Ｔｌ－１２２３超导相的Ｃｕ－Ｏ金字塔五配位上由于Ｆｅ掺杂所导致的额外氧效应。研究结果表明Ｆｅ掺杂原子占据Ｃｕ晶位后，将导致额外氧进入晶格而占据Ｃａ原子四方网络的间隙位置。     

Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应

用Ｘ－射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的氟掺杂效应。在Ｂｉ２２２３样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂，样品的超导转变温度升高而晶格参量ｃ减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小，说明氟没有占据Ｃｕ－Ｏ２面中氧的位置。它们可能占据Ｃｕ－Ｏ２面之间的其它原子层的位置，这样，会改善Ｃｕ－Ｏ２面间的藕合进而提高Ｔｃ和保持比热反常幅度。     

电化学增氧La_2CuO_（4＋δ）（0＜δ＜0．12）的研究Ⅲ．氧掺杂效率与超导电性

本文研究了Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中额外氧的掺杂效率和低温下的超导相图．当氧含量较低时（δ＜０．０３），每个额外氧向铜氧面提供两个空穴；而当δ＞０．０３时，每增加一个氧则平均只提供１．３个空穴．在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中首次发现了１５Ｋ反常现象，这种反常不是由晶体相变诱导的．     

电化学增氧La2CuO4＋δ（0〈δ〈0.12）的研究：Ⅲ.氧掺杂效率与超…

本研究了Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中额外氧的掺杂效率和低温下的超导相图。当氧一较低时，每个额外氧向铜氧面提供两个空穴；而当δ〉０．０３时，每增加一个氧则平均只提供１．３个空穴。在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中首次发现了１５Ｋ反常现象，这种反常不是由晶体相变诱导的。     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

铁掺杂Tl-1223超导相的额外氧缺陷研究

在铁掺杂的Ｔｌ-１２２３相中，铁对超导电性有明显的破坏作用，霍尔系数测量、热重分析和穆斯堡尔谱表明占据铜晶位的铁杂质原子不仅直接破坏ＣｕＯ₂面的完整性而使超导转变温度降低，更重要的是铁的掺入诱导了额外氧原子进入晶格，形成了对载流子的强局域束缚作用，致使载流子浓度随铁掺杂量呈线性下降．额外氧导致了与其近邻的铁和铜原子产生了偏离ＣｕＯ₂平面的位移，从而形成新的铁氧配位．针对额外氧缺陷精细结构的讨论，对研究额外氧和阳离子在ＣｕＯ₂平面上的无序排列     

电化学增氧La2CuO4＋δ（0〈δ〈0.12）的研究：Ⅱ.化学相分离

在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的电化学增氧过程中，额外氧含量δ与电量Ｑ之间存在直线关系：δ＝Ｑ／２，在室温附近至少存在两个相共存区。它们的δ分布范围分别为０．００６－０．０４７和０．０７５－０．１７。其中在较高掺杂浓度范围内的第二个两相区是本研究首次发现的，其存在不能用Ｅｍｅｒｙ理论来解释。     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）样品的ＣｕＯ面内和ＣｕＯ面外的电阻率ρｃ（Ｔ）和ρａｂ（Ｔ）．发现ρｃ（Ｔ）和各向异性比（ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ））随着载流子浓度增加而迅速下降．在过掺杂样品中，高于１２０Ｋ时，ρｃ随温度线性下降，而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系．ρｃ（Ｔ）和ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ）的值可以用Ａｌｅｘａｎｄｒｏｖ和Ｍｏｔ建立的双极化子模型很好地加以拟合     

高压增氧T′相R2CuO4＋δ（R=Nd～Tm）低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注，报导了通过高温高氧压(6GPa，1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示，在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为，转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入，使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

高Tc超导体的NMR和NQR研究的进展

本文简要地叙述了近年来用该磁共振（ＮＭＲ）和核四汲共振（ＮＱＲ）方法对高Ｔｃ超导体的研究．讨论了Ｌａ系和Ｙ系材料在从反铁磁性转变到超导电性各阶段中的ＮＱＲ谱的变化及其所提供的信息．讨论了 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的 ＮＭＲ研究，表明无论 Ｃｕ（１）或 Ｃｕ（２）均为自旋 Ｓ＝１／２的 Ｃｕ２＋伏态，并讨论了其中氧的伏态．简要叙述了金属超导体的自旋－晶格弛豫率随温度变化的规律，并将其与高Ｔｃ超导体中各元素的自旋－晶格弛豫率随温度变化的规津作了比较．     

三个不同温区下影响Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶抗磁转变宽度因素的研究(英文)

本文研究了三个不同退火温区下（低于４５０℃、４５０～７００℃和高于７００℃）影响Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶抗磁转变宽度的因素．发现普遍被接受的在７００℃以下退火温区的分界线并不明确．ΔＴｃ的变化强烈依赖于退火条件，即使在２５０℃的较低退火温度下，Ｔｃ和ΔＴｃ也可以通过快速淬火而得到显著改善．然而在７００℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔＴｃ与已有的报道是一致的，这可能是Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶的本征行为．以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释．     

高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

铊系超导单晶的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－ＣＵ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度分别为８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生长．生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ３，Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶．采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质，但导致熔料蠕爬，对生长大块单晶不利．采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象，减少了铊的损失，对生长多铜氧层的单晶有利．     

Y-123相超导体Cu位掺Sn的XPS研究

本文利用Ｘ射线光电子能谱实验技术（ＸＰＳ）研究了Ｙ－１２３相Ｃｕ位掺Ｓｎ超导体的电子结构．实验发现在掺杂量较小时，样品的芯能级谱都变化很小，特别是Ｃｕ２ｐ３／２谱，其卫星峰与主峰的强度比Ｉｓ／Ｉｍ还略有升高；但当掺杂量较大时，芯能级谱的变化方向与掺杂浓度较低时相反，Ｃｕ２ｐ３／２谱的Ｉｓ／Ｉｍ出现了明显下降．电子结构上的这种变化与Ｓｎ掺杂对超导转变温度的影响相一致．实验结果表明高价态的Ｃｕ确实有益于超导，杂质Ｓｎ主要占据在Ｃｕ－Ｏ链上Ｃｕ的格位上．     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。