Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)近单相超导体的制备

本文报道用特制的可耐30个大气压保护的密封炉制备近单相Tl_2Ba_2Ca_2Cn_3O_(10)超导体,它的零电阻温度和抗磁起始温度均为124K。结果表明样品的2223相含量直接与采用的标称配比有关。样品的超导性主要依赖合成期间对T1损失的控制。退火过程中理想的氧压也改善超导电性。该系统兼有封管式和快速反应二种方法的优点。     

湿法制备Ba-Y-Cu氧化物的超导电性及其稳定性

用溶液共沉淀法(湿法)制备了Y_(0.6)Ba_(0.8)CuO_x超导体,其中点转变温度为94.1K,转变宽度为1.2K,对样品在二周时间内进行20次从液氮温度到室温、从液氮环境到空气环境的冷热循环,发现在1—3次冷热循环后,超导转变温度略有下降,然后稳定在91.5K左右。在正常态(室温)及超导态(77K)进行X射线分析,表明样品为两相的多晶体,有超导性的主相为正交缺氧的钙钛矿超结构。正常态与超导态的晶格结构没有变化。     

TI基高温超导单晶的生长与研究 *

在计算机控制的封闭式单晶生长炉内,采用自助熔剂法生长出最大尺寸2.0mm×2.0mm×O.3mm,典型尺寸1.0mm×1.0mm×O.1mm的TI-2223,TI-2212单晶,T_c分别达到119 K和110 K.TI的含量对晶体生长的大小、相的形成及T_c均有重要影响.TI-2212单晶的交流磁化率的虚部峰值温度 T_p和外场 H_D 的关系为(1-T_p/T_c)∝H_D^0.71(H_D//C轴)TI-2223单晶可见光区的光反射谱存在强烈的各向异性.     

铊系超导单晶的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－ＣＵ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度分别为８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生长．生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ３，Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶．采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质，但导致熔料蠕爬，对生长大块单晶不利．采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象，减少了铊的损失，对生长多铜氧层的单晶有利．     

Ce1+εFe4B4合金一维无公度调制结构的透射电子显微镜研究

用电子衍射和高分辨电子显微术研究了永磁合金Ce₁₅Fe(77)B₀中富硼相Ce_1+εFe₄B₄(ε≈0.1)的晶体结构,确定了Ce_1+εFe₄B₄合金具有烟囱-梯子型一维无公度调制结构,它由Ce原子和Fe-B原子团分别组成的两套亚结构相互嵌套形成。Ce亚结构晶胞参数为a=7.08?,c_Ce=3.51—3.60? 关键词：     

GaP中1.71eV发光带的研究

本文研究了GaP中普遍出现的1.71eV光致发光(PL)宽带。这是一个与多个杂质能级有关的发光带,由吸收谱和光致发光激发谱(PLE)检测到在价带上方0.37—0.089eV范围内与该发光带有关的深能级。时间分辨谱测量表明。随着衰减过程的延续,谱峰移向低能方向,说明该带起源于D—A对复合。讨论了该发光带与背景Cu杂质有关的可能性及其发光机制和激发途径。     

CALCULATION OF THE HEAT OF FORMATION OF TERNARY COMPOUNDS: P-Ga-As, N-Ga-As, N-Ga-P

Miedema method, which was proposed to calculate the heat of formation of binary alloy system, is extended for calculating the heat of formation of ternary system by using the Toop's model. The hypothetical metallic allotropes correspounding to the properties of nonmetallic elements are introduced. In our calculation, the structure-dependent energy contributions have not been taken into account. The heat of formation of GaAs_1-x P_x, GaAs_1-xN_x, and GaP_1-xN_x are obtained by projecting the heat of formation of ternary systems, P-Ga-As, N-Ga-As, and N-Ga-P onto the plane of the concentration of Ga, c₂ = 0.5, respectively. The possibility of existence of ordered ternary compound was predicted. The dependence of direct band gap, E^Γ, or indirect one, E^X, for GaP_1-xN_x and GaAs_1-xN_x, on x, the concentration of N, is obtained by using the dielectric theory of electronegativity.     

压力对TlPbxBaCa3Cu3O超导电性的影响

 在零电阻温度T_c0达到120 K的TlBaCa₃Cu₃O_y超导体中，掺入不同含量的Pb后，超导电性受到抑制，点阵常数减小。加压时，T_c先随压力p的增加而上升，样品1（x_Pb=0.05）的dT_c0/dp=1.7 K/GPa，样品2（x_Pb=0.5）的dT_c0/dp=2.2 K/GPa。T_c的峰值随Pb的增加而减小。加压时，对由于Pb的加入引起的Cu—O层的精细结构变化起到调制作用。