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1.
本文报道用特制的可耐30个大气压保护的密封炉制备近单相Tl_2Ba_2Ca_2Cn_3O_(10)超导体,它的零电阻温度和抗磁起始温度均为124K。结果表明样品的2223相含量直接与采用的标称配比有关。样品的超导性主要依赖合成期间对T1损失的控制。退火过程中理想的氧压也改善超导电性。该系统兼有封管式和快速反应二种方法的优点。  相似文献   
2.
用溶液共沉淀法(湿法)制备了Y_(0.6)Ba_(0.8)CuO_x超导体,其中点转变温度为94.1K,转变宽度为1.2K,对样品在二周时间内进行20次从液氮温度到室温、从液氮环境到空气环境的冷热循环,发现在1—3次冷热循环后,超导转变温度略有下降,然后稳定在91.5K左右。在正常态(室温)及超导态(77K)进行X射线分析,表明样品为两相的多晶体,有超导性的主相为正交缺氧的钙钛矿超结构。正常态与超导态的晶格结构没有变化。  相似文献   
3.
铊系超导单晶的低温生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用蠕爬型助熔剂CaO-CuO和蒸发型复合助熔剂CaO-CuO-NaCl来制备Tl-Ba-Ca-CU-O超导单晶,生长炉最高温度分别为890℃和850℃,因而实现了铊系单晶的低温生长.生长出的单晶分别是典型尺寸为2.0×1.5×0.2mm3,Tc在100K与119K之间的Tl-2212相单晶和尺寸为1.2×1.0×0.1mm3,Tc约为115K的Tl-2223相超导单晶.采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质,但导致熔料蠕爬,对生长大块单晶不利.采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象,减少了铊的损失,对生长多铜氧层的单晶有利.  相似文献   
4.
一、引言一些物质在温度低于某一值(T_c)时,其电阻率突然转变为零.这种状态称作超导状态,这类物质称为超导体。T_c 称作超导体的转变温度.不同的超导材料,其转变温度也不同.因而,超导体的转变温度(T_c)是超导材料最基本、最重要的物理参数之一,其它物理量无不与此相关.精确测量超导体的 T_c值已成为超导电性研究中必备的手段.为了培养高水平的接触近代科学前沿的硕士和博士人才,我们连续三年对固体物理、实验物理和低能核物理等专业的研究生开设了超导转变温度(T_c)测量的实验.结果表明,同学们不仅能完成实验要求,掌握实验技  相似文献   
5.
 在零电阻温度Tc0达到120 K的TlBaCa3Cu3Oy超导体中,掺入不同含量的Pb后,超导电性受到抑制,点阵常数减小。加压时,Tc先随压力p的增加而上升,样品1(xPb=0.05)的dTc0/dp=1.7 K/GPa,样品2(xPb=0.5)的dTc0/dp=2.2 K/GPa。Tc的峰值随Pb的增加而减小。加压时,对由于Pb的加入引起的Cu—O层的精细结构变化起到调制作用。  相似文献   
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