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以正电子寿命谱和多普勒展宽谱为主要实验手段,并结合X射线物相分析和电阻测量,系统地研究了在不同的锡掺杂量下,Bi-2212超导相电子态及结构细节的变化在低掺杂时,Sn^4+优先占据Bi位,导致了载充子浓度的提高和耦合的加强,有利于超导转变温度的提高。 相似文献
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利用X射线衍射 (XRD)和交流磁化率 (ACχ)方法系统地研究了Y1-xEuxBa2 Cu3O7-δ(x=0 .0~ 1.0 )超导体 ,研究发现Eu掺杂替代了Y晶位后引起了晶格失配 .这种晶格失配与电流密度有密切的联系 .对于不同掺杂成分样品 ,X射线衍射线形分析表明 ( 0 0 6)及 ( 0 0 7)衍射峰型随掺杂量变化 ,掺杂浓度在 30 %和 70 %附近时 ,半高宽 (FWHM)出现极大值 ,表明此时样品的晶格失配最大 .与此相对应 ,电流密度Js 也在此掺杂浓度范围内达到极大值 .我们在晶格失配应力场的钉扎模型下对实验现象进行了讨论 ,认为Y1-xEuxBa2 Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心 . 相似文献
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在铁掺杂的Tl-1223相中,铁对超导电性有明显的破坏作用,霍尔系数测量、热重分析和穆斯堡尔谱表明占据铜晶位的铁杂质原子不仅直接破坏CuO2面的完整性而使超导转变温度降低,更重要的是铁的掺入诱导了额外氧原子进入晶格,形成了对载流子的强局域束缚作用,致使载流子浓度随铁掺杂量呈线性下降.额外氧导致了与其近邻的铁和铜原子产生了偏离CuO2平面的位移,从而形成新的铁氧配位.针对额外氧缺陷精细结构的讨论,对研究额外氧和阳离子在CuO2平面上的无序排列 相似文献
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利用X射线衍射(XRD)和交流磁化率(ACχ)方法系统地研究了Y1x-EuxBa2Cu3O7-δ(x=0.0-1.0)超导体,研究发现Eu 掺杂替代了Y晶位后引起晶格失想与电流密度有密切的联系,对于不同掺杂成分样品,X射线衍射线分析表明(006)及(007)衍射峰型随掺杂量变化,杂浓度在30%和70%附近时,半高宽(FWHM)再现极大值,表明此时样品的晶格失配最大,与此相对应,电流密度Js也在此掺杂浓度范围内达到极大值,我们在晶格失配应力场的钉钆模型下对实现现象进行了讨论,认为Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心。 相似文献
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