CdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。     

Bi-2Sr-2CuO-y单晶正常态的电子输运

测量了不同Bi-(2)Sr-(2)CuO-(7)单晶样品ab平面内电阻ρ-(ab)随温度的变化关系.对于处在掺杂不足区域的样品,没有观察到类似于YBa-2Cu-4O-8,YBa-2Cu-3O-(r-y)体系由于自旋能隙的出现而引起的电阻率的突然加快减小现象.我们对实验结果进行了讨论. 关键词：     

YBa_2Cu_3O_(7-y)系统中交流磁化率与氧含量和结构的关系

我们测量了不同制备条件下的YBa_2Cu_3O_(7-y)多晶样品的交流磁化率,发现从正常态到超导态的交流磁化率的转变宽度△T_c强烈地依赖于样品的氧含量和结构,磁化率的大小与样品中超导成份的多少有关。     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

氧化物超导体的交流磁化率测量

本文描述了测量氧化物超导体的交流磁化率装置,温度可变范围为4.2K到300K,室温可换样品。样品的讯号必须从测量讯号中减去背底讯号。本文分析了背底讯号的起因,从理论计算得到的曲线和实验测量的曲线基本上是一致的。     

CdBa2Cu3O7-x薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。 关键词：     

Ca掺杂Nd1.85Ce0.15CuO4-δ体系的输运性质研究

为了研究Nd_1.85Ce_0.15CuO_4-δ体系中载流子的电荷性质，分别在Nd_1.85Ce_0.15CuO_4-δ中用Ca^2＋取代Nd^3＋制备了Nd_1.85-xCe_0.15Ca_xCuO_4-δ样品，在Nd₂CuO_{4-δ< 关键词：}     

NbSr_2（LaCe）_2Cu_2O_（10－δ）28K的超导电性

电阻和交流磁化率测量表明，ＮｂＳｒ２Ｌａ１．３５Ｃｅ０．６５Ｃｕ２Ｏ１０－δ在２８Ｋ时具有超导电性，起始转变温度为２８Ｋ．Ｘ射线衍射表明它属于四方晶系，晶胞参数ａ＝３．８９６Ａ，Ｃ＝２８．３１９Ａ．该化合物结构与Ｔａ－１２２２结构相似．     

Localization Exponent for the Second Landau Level in the Quantum Hall Effect

At temperature above 1 K, we measured the temperature dependence of the longitudinal and Hall resistivity ρxx,ρxy in the regime of the quantum Hall plateau-to-plateau transitions. The localization exponent v is extracted with an approach based on the variable range hopping theory. We find the quantity v ≈ 2.3 at the second Landau level, which is proven to be accurately universal.     

SYNTHESIS AT AMBIENT PRESSURE AND SUPERCONDUCTIVITY OF Hg-DOPED TI-BASED DOUBLE [(T1, Hg)-O]-LAYERED CDPHATES

The Hg-doped T1-based 2201 and 2212 phase layered cuprates have been successfully syn-thesized at ambient pressure and identified by X-ray powder diffraction and electron diffraction analysis. Compared with pure T1-based 2212 phase compound, there are indications that the corresponding Hg-doped T1-based compound (T1_1.8Hg_0.2)Ba₂CaCu₂O_z exhibits much higher T_c (> 132K).