1,2,4-三苯基环戊二烯的合成及其烷基化反应

测定了颇哪醇在酸性条件下所得的脱水产物的分子结构.结果表明,在酸性条件下颇哪醇的脱水反应优于重排反应,由此合成了1,2,4-三苯基环戊二烯.该环戊二烯衍生物的烷基化反应,在通常条件下优先发生在碳环的第5位碳原子上,但在苛刻的剧烈反应条件下,进而发生在碳环的第3位碳原子上.讨论了脱水反应和烷基化反应的机理.     

南京北郊气溶胶质量浓度空间垂直分布反演

使用拉曼 米激光雷达在南京北郊进行常规性检测,通过分析激光雷达回波信号,借助气溶胶质量浓度的线性模型和指数模型进行气溶胶质量浓度空间垂直分布反演。为提高反演的精确度,对米散射信号进行近场修正,消除重叠因子的影响,拉曼散射信号进行小波分析等去噪方法处理。处理过的米散射信号用来反演0~3 km大气的气溶胶质量浓度,拉曼散射信号用来反演3 km~10 km大气的气溶胶质量浓度,然后通过2个信号拼接反演中低层气溶胶质量浓度。实验结果:2种模型反演的气溶胶质量浓度在不同时刻的相关性系数为0.991和0.973 6,具有一定的可信度。     

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm，偏置电压设置为 45 V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83，处于 2~26范围内，其对应的原电子能量约为980 eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。     

碳酸酐酶模型化合物的合成、表征及其催化性能研究

模拟碳酸酐酶的活性中心结构,以三(取代吡唑基)硼氢根[T~p^R^,^R^1]^-为配体,合成了一系列金属配合物[T~p^R^,^R^1]MX[R=Ph,2'-thie(2'-噻吩基),Me;R^1=Ph,2'-thie,Me;M=Co,Ni,Cu,Zn,Cd;X=Cl,NO~3,CH~3COO]共13个,均经元素分析,IR,^1HNMR谱表征。选取其中5个有代表性的配合物,采用Stopped-flow技术,研究了模型物催化CO~2可逆水合反应的动力学,结果表明具备酶促反应动力学的一般特征。详细考察了溶液pH值、模型物的结构(尤其是中心金属离子的电子结构)、浓度对该反应的影响,得出一些重要的结果。计算出该反应有、无催化剂时的活化能,从本质上阐明了反应活化能降低是模型物加速反应的根本原因。     

ESR OF Ni(C3H10N2)2NO2(ClO4) CRYSTAL

报道了Ni(C     

含位置异构配体的双核铜配合物[CU(μ-CI)(Cl)(C_(13)H_(10)N_2S)_2]_2的合成、表征和晶体结构

合成了双核铜配合物[Cu（μ-Cl）（Cl)(C13H10N2S)2]2，并对其进行了光谱表征和晶体结构测定．晶体属单斜晶系，空间群P21/n，a=1．3322（2）nm，b=1.5051（2）um，c=1.3591（2）nm；α=γ=90°，β=110．15（1）°，Z=2．在配合物中，每个铜原子与2个桥连氯原子，l个端基氯原子以及2个互为位置异构体的双取代毗唑环上氮原子配位，而使钢原子具有畸变三角双锥构型．     

CuGeO3晶体自旋-佩尔斯态的EPR

报道了CuGeO₃单晶在96GHz频率,1 4K温度下的电子顺磁共振(EPR)实验,测量了主轴g因子.导出了Cu²⁺离子在CuGeO₃自旋佩尔斯系统中的混合d轨道基态波函数.采用近似自洽场方法计算了CuGeO₃的主轴g因子.使实验结果得到了解释.     

含2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑的过渡金属配合物的合成及性质研究

含２，５－二巯基－１，３，４－噻二唑的过渡金属配合物的合成及性质研究郭胜利殷元骐＊（中国科学院兰州化学物理研究所７３００００）含单巯基的有机物与过渡金属形成的配合物，作为金属硫蛋白的模拟化合物，这方面研究已多有报道［１～３］。含两个及以上巯基的化合物...     

Progress of novel diluted ferromagnetic semiconductors with decoupled spin and charge doping: Counterparts of Fe-based superconductors

Diluted ferromagnetic semiconductors(DMSs) that combine the properties of semiconductors with ferromagnetism have potential application in spin-sensitive electronic(spintronic) devices. The search for DMS materials exploded after the observation of ferromagnetic ordering in Ⅲ-Ⅴ(Ga,Mn)As films. Recently, a series of DMS compounds isostructural to iron-based superconductors have been reported. Among them, the highest Curie temperature T_Co f 230 K has been achieved in(Ba,K)(Zn,Mn)_2As_2. However, most DMSs, including(Ga,Mn)As, are p-type, i.e., the carriers that mediate the ferromagnetism are holes. For practical applications, DMSs with n-type carriers are also advantageous. Very recently,a new DMS Ba(Zn,Co)_2As_2 with n-type carriers has been synthesized. Here we summarize the recent progress on this research stream. We will show that the homogeneous ferromagnetism in these bulk form DMSs has been confirmed by microscopic techniques, i.e., nuclear magnetic resonance(NMR) and muon spin rotation(μSR).